Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Подкатегория | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива | Чувствительность (В/лк.с) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NOIX2SE9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMV12000-2E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE5000A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | ООО | 3,6 В | Без свинца | 12 недель | 84 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE5000A-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX2SN9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX2SE9400B-LTI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0231AT7C00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | /files/onsemiconductor-ar0231at7c00xuea0drbr-datasheets-5784.pdf | 121-ЛФБГА | 21 неделя | 1,14–1,26 В 2,6–3 В | 3 мкмx3 мкм | 60 | 1928Г х 1208В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3E5C1CA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 92-ЛЦК | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е12М1ЛП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 95-ЛГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН5000А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | ООО | 3,6 В | Без свинца | 12 недель | 84 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M031I12STM-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m021ia3xtmdpbr1-datasheets-5682.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M001C12STM-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m001c12stmdp-datasheets-5076.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е12М1СА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 92-ЛЦК | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0231AT7B00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0231at7b00xuea0drbr-datasheets-5802.pdf | 121-БГА | 21 неделя | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 мкмx3 мкм | 40 | 1928Х × 1208В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIP1FN0300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | 3,4 В | Без свинца | 15 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 640 | 480 | 1/4 дюйма | 72 МГц | 815 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН5000А-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 128-БЛГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,7 В~1,9 В 3,2 В~3,4 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SE8000B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | 4 (72 часа) | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-ЛГА | 13 недель | да | совместимый | 1,7 В ~ 1,9 В 2,7 В ~ 2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 128 | 4096 х 2160 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIP3SE5000A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR1820HSSC00SHEA0-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ar1820hssc00shea0dr-datasheets-5903.pdf | 60-ЛБГА | Без свинца | 22 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 21 час назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | 1,8 В 2,8 В | 1,34 мкмx1,34 мкм | 60 | 1/2,3 дюйма | 24 кадра в секунду | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2M25SUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135cs2m25suea0drbr-datasheets-5644.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | |||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е5М1ПА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-2Е5С1ПП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20002e12m1pp-datasheets-6135.pdf | 22 недели | да | 1,8 В 3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-2Е5М1ЛП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20002e5m1lp-datasheets-6125.pdf | 95-CBLGA | 22 недели | РАБОТАЕТ ПРИ ТОКЕ 370 И 115 МАМП И ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ 2,1 В, 3 В VDD; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | ДА | 1,8 В~3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 18,65 мм | 13,5 мм | КЕРАМИКА | 0,40-2,40 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 60 дБ | 340 | 2048Г х 1088В | 2/3 дюйма | 48 МГц | 5,56 В/лк.с | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН2000А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | ООО | 3,6 В | Без свинца | 12 недель | 84 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-2Э12М1ПП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20002e12m1pp-datasheets-6135.pdf | 22 недели | да | неизвестный | 1,8 В 3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0231AT7E00XUEAH3-GEVB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/onsemiconductor-ar0231at7c00xuea0drbr-datasheets-5784.pdf | 52 недели | 3 мкмx3 мкм | 40 | 1928Г х 1208В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SPCA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ar0134cssm00spca0dpbr2-datasheets-4936.pdf | Модуль 48-СМД | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН2000А-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 128-БЛГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,7 В~1,9 В 3,2 В~3,4 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1СН2000А-QDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°C~70°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-noiv1se2000aqdc-datasheets-4850.pdf | 52-ЛЦК | 3,6 В | Без свинца | 15 недель | 52 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | Без галогенов | ДА | 1,8 В 3,3 В | 52 | Другие датчики/преобразователи | 3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,2 мм | 19,05 мм | 19,05 мм | КЕРАМИКА | 4,8 мкмx4,8 мкм | 53 дБ | 92 | 1920 Г х 1080 В | 2/3 дюйма | 62 МГц |
