Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Цвет | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный выходной ток | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Максимальный обратный ток утечки | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Максимальное напряжение во включенном состоянии | Длина волны | Пиковая длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РПИ-441С1Е | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | Модуль, контакты ПК, тип слота | Без свинца | 12 недель | 4 | 1 | 80мВт | 0,035А | 10 мкс | 10 мкс | 0,157 (4 мм) | Транзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 950 нм | 500нА | 30 мА | 4 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-125 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | Щелевой модуль | Без свинца | 12 недель | 4 | да | Медь, Серебро, Олово | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 80мВт | 50 мА | 10 мкс | 10 мкс | 0,047 (1,2 мм) | 1,2 мм | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 950 нм | 500нА | 1,2 мм | 1,8 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТХ-301-05 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/liteonnc-lth30105-datasheets-8943.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | неизвестный | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 60 мА | 0,0005А | 15 мкс | 20 мкс | 0,236 (6 мм) | 6 мм | Фототранзистор | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 6 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК70П1 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-moc70p1-datasheets-8835.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 20 мкс, 80 мкс | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1235A-P2 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, Snap-in | Оснастка | -25°К~95°К | Масса | Непригодный | Прикрепить | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1235ap2-datasheets-8948.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 50 мА | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 3 | да | 1 | 100мВт | 8 мкс, 8 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 8 мкс | 8 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 5 мм | 0,6 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SPX613 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усилитель | Монтаж на шасси, DIN-рейка | Крепление на шасси | -10°К~55°К | Масса | 1 (без блокировки) | Кабель | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omron-eespx613-datasheets-6524.pdf | 24В | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | Неизвестный | 26,4 В | 12 В | 3 | EAR99 | 24В | 12 В | 8541.40.80.00 | 1 | 100 мА | Фототранзистор | 0,236–0,512 (6–13 мм) РЕГУЛИРОВКА | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 100 мА | 940 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB21114 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | QVB | Сквозное отверстие, фланец | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-qvb11134-datasheets-8774.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | да | 1 | НЕ УКАЗАН | 0,005А | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 100нА | 30 В | 40 мА | 3,18 мм | 0,2 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК70П2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-moc70p1-datasheets-8835.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 20 мкс, 80 мкс | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX952-W 1М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 24 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-129БН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-rpi129bn-datasheets-8746.pdf | Щелевой модуль | 4 | 80мВт | 50 мА | 10 мкс | 10 мкс | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX677-WR 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EE-SX67 | Крепление на шасси | -25°С~55°С ТА | Непригодный | Соответствует RoHS | 2007 год | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 2 недели | неизвестный | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1301H | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1301h-datasheets-8761.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | нет | неизвестный | 1 | 35 мкс, 35 мкс | 0,05А | 0,055 (1,4 мм) | 1,4 мм | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 5В | 100нА | 20 мА | 1,4 мм | 0,1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ860Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКУТ1800Х01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcut1800x01-datasheets-8758.pdf | Модуль, без результата, тип слота | Пересечение объекта | 7 недель | 9 мкс, 16 мкс | 25 мА | 1,2 В | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 25 мА | 20 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11134 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | QVB | Сквозное отверстие, фланец | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-qvb11134-datasheets-8774.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | да | неизвестный | 1 | НЕ УКАЗАН | 0,005А | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 100нА | 30 В | 40 мА | 3,18 мм | 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCUT1630X01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcut1630x01-datasheets-8699.pdf | Модуль, без результата, тип слота | Пересечение объекта | 7 недель | 9 мкс, 16 мкс | 25 мА | 1,2 В | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 25 мА | 20 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ821С5З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 50 мА | 15,24 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 300 мкА | 50 мА | 2В | 890 нм | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QCK5TR | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-qck5tr-datasheets-8812.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Пересечение объекта | 8 мкс, 50 мкс | 0,157 (4 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX153 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, Припой | Припой | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx153-datasheets-8662.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | да | неизвестный | 1 | 100мВт | 1 | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 940 нм | 200нА | 20 мА | 3,4 мм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1888-011 | Решения Honeywell для измерения и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Защелкивается, внешнее крепление | Привязка | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 14 недель | 4 | Поликарбонат | неизвестный | 100мВт | 1 | 100мВт | Другая оптоэлектроника | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,472 (12 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С52ВДЖ000Ф | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12,2 мм | 20 мА | 10 мм | 5 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 20 мА | 35В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 15 мкс | 20 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 6В | 3 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX199 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx199-datasheets-8819.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | Без свинца | 7 недель | Нет СВХК | 4 | да | неизвестный | 1 | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 30 В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-СВ3-Д | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 850 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22A6 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-h22a6-datasheets-8833.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | да | 1 | НЕ УКАЗАН | 8 мкс, 50 мкс | 0,06А | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 55В | 100нА | 55В | 3,15 мм | 4мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-128 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-rpi128-datasheets-8704.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Без свинца | 1 | 80мВт | 80мВт | Фототранзистор | 0,03 А | 10 мкс | 10 мкс | 0,047 (1,2 мм) | Транзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 30 мА | 800 нм | 100нА | 1,2 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1321 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1321-datasheets-8686.pdf | Модуль, разъем, тип слота | Пересечение объекта | 8 недель | 25 мА | 1,1 В | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 25 мА | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX951-W 1М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ829ДЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 24,64 мм | Черный | Без свинца | Пластик | 8 недель | 4 | НПН | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 100 мкА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ820С5 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 15,24 мм | 20 мА | 8,89 мм | 6,35 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ877Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА |
