Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9F002I12STCV-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mt9f002i12stcvdp-datasheets-5867.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,70-3,10 В. | ДА | 70°С | -30°С | 1,9 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 0,40-1,40 В | 1,4x1,4 мкм | 65,3 дБ | 4384 | 3288 | 1/2,3 дюйма | 64 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||
| МТ9П031И12СТМ-ДП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mt9p031i12stmdp1-datasheets-4561.pdf | 48-LCC | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,7 В~3,1 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 53 | 2592Г х 1944В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSC00SUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | 63-ЛФБГА | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR1820HSSC00SHEA0-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ar1820hssc00shea0dr-datasheets-5903.pdf | 60-ЛБГА | 22 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | 1,8 В 2,8 В | 1,34 мкмx1,34 мкм | 60 | 24 кадра в секунду | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9F002I12-N4000-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mt9f002i12stcvdp-datasheets-5867.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТРЕБУЕТСЯ АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2,7–3,1 В. | ДА | 1,8 В 2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | 0,40-1,40 В | 1,4 мкмx1,4 мкм | 65,3 дБ | 60 | 4384Г х 3288В | 1/2,3 дюйма | 64 МГц | 13,7 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| NOIP1SE0300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | ДА | 85°С | -40°С | 1,9 В | 1,7 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 80 мА | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 640 | 480 | 1/4 дюйма | 72 МГц | 815 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | 63-ЛБГА | 20 недель | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE1300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | 1,9 В | 1,7 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 1280 | 1024 | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||
| AR0132AT6R00XPEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6m00xpea0drbr1-datasheets-5852.pdf | 63-ЛБГА | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 115 дБ | 45 | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M00XUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | Соответствует ROHS3 | 63-ЛБГА | 20 недель | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR1820HSSC12SHEA0-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 60-ЛБГА | 22 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 1,34 мкмx1,34 мкм | 60 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3C00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0dpbr-datasheets-5818.pdf | 87-ЛБГА | 19 недель | 4,2 мкмx4,2 мкм | 60 | 1828 х 948 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V034C12STC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mt9v034c12stmdp1-datasheets-4534.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V023IA7XTC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v023ia7xtcdr-datasheets-5615.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | 0,30-3В | 6x6 мкм | 110 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||
| MT9M034I12STC-ДРБР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m034i12stmdpbr-datasheets-5737.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6M00XPEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6m00xpea0drbr1-datasheets-5852.pdf | 63-ЛБГА | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 115 дБ | 45 | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||
| AR0230ATSC12XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 80-ЛБГА | 17 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0330CM1C12SHAA0-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0330cm1c12shaa0dr-datasheets-2420.pdf | CLCC | Без свинца | 17 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | Золото | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6M00XPEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 130 мА | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||
| МТ9П401И12СТЦ-ДР1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mt9p401i12stcdr-datasheets-5654.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 60 | 2592Г х 1944В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3C00XUEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0dpbr-datasheets-5818.pdf | 87-ЛБГА | 4,2 мкмx4,2 мкм | 60 | 1828 х 948 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTR-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~105°C со снижением номинальных характеристик | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmdp2-datasheets-4903.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | АЭК-Q100; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752 х 480 В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0138AT3R00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0138at3r00xuea0drbr-datasheets-5777.pdf | 109-ЛФБГА | 20 недель | да | 4,2 мкмx4,2 мкм | 1288 х 968 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3B00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~125°С ТДж | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0drbr-datasheets-5809.pdf | 87-ЛБГА | 18 недель | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,8 В. | совместимый | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,14–1,26 В 2,6–3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,65 мм | 12 мм | 9 мм | 0,40-1,20 В | 4,2 мкмx4,2 мкм | 120 дБ | 1828 г. | 60 | 1820 Г х 940 В | 1/1,8 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2C19SUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0135cs2c19suea0dpbr1-datasheets-2427.pdf | 63-ЛБГА | 19 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3R00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~125°С ТДж | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0drbr-datasheets-5809.pdf | 87-ЛБГА | 18 недель | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,8 В. | совместимый | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,14–1,26 В 2,6–3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,65 мм | 12 мм | 9 мм | 0,40-1,20 В | 4,2 мкмx4,2 мкм | 120 дБ | 1828 г. | 60 | 1820 Г х 940 В | 1/1,8 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM25SUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА |
