| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Макс. частота | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Выходной ток | Тип выхода | Время подъема | Осень (тип.) | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип датчиков/преобразователей | Длина волны | Тип датчика | Внешнее приближение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 21055-903-EPT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOA1212CUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 64 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-noa1212cutag-datasheets-7987.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | Оптический | 3В | Без свинца | 6 | 19 недель | Нет СВХК | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 8542.39.00.01 | 1 | 5,5 В | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | ДА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 6 | 2В | 2В | Текущий | 540 нм | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21076-902-EPT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL29030ИРОЗ-T7S2426 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl29030irozt7r5430-datasheets-7919.pdf | 2,25~3,63 В | I2C | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМГ39937 | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокий | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/ams-tmg39931-datasheets-7696.pdf | Модуль 8-СМД | 2,4 В~3,6 В | I2C | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21055-904-EPT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX44009EDT+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max44009edt-datasheets-8072.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | Оптический | 2 мм | 2 мм | 6 | 6 | 2-проводной, I2C, последовательный | да | EAR99 | Золото | 400 кГц | 8542.33.00.01 | 1 | е4 | ДА | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 6 | 1,7 В | 30 | I2C | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗОПТ1202AC5V ES | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА2301W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | /files/onsemiconductor-noa2301w-datasheets-8075.pdf | да | совместимый | ДАТЧИК БЛИЗОСТИ,ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПДС-9200 | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/broadcomlimited-apds9200-datasheets-8013.pdf | Модуль 6-СМД | 2 мм | 6 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 0,65 мм | 3,6 В | 1,7 В | С-ПДСО-Н6 | I2C | 290–320 нм 320–400 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOA1213CUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 0,65 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noa1213cutag-datasheets-8003.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 1,6 мм | 6 | 24 недели | да | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | ДА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 5,5 В | 2В | С-ПДСО-Н6 | Текущий | 590 нм | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗОПТ2201CC5WES | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21577-901-EPT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1153-AA00-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-si1153aa9xgmr-datasheets-7792.pdf | 10-WFQFN | 8 недель | 10 | 1,62 В~3,6 В | I2C | 0,65 мм | 2 мм | 2 мм | 525 нм | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2AP052A00F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокий | Поверхностный монтаж | -35°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/sharpsocletechnology-pd410pi2e00f-datasheets-5357.pdf | 8-СМД, без свинца | 5,5 В | 8-СМД | I2C | 940 нм | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA1A1S100WP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sharpmicroelectronics-ga1a1s100wp-datasheets-7849.pdf | 4-СМД, без свинца | 600 мкм | 2 мм | Неизвестный | 3,6 В | 2,7 В | 2,7 В~3,6 В | 1,42 мА | Напряжение | 555 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOA1305CUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 120 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-noa1305cutag-datasheets-7949.pdf | 6-ВФДФН Открытая площадка | Оптический | 2 мм | Без свинца | 6 | 6 | 2-проводной, I2C, последовательный | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 400 кГц | 8542.39.00.01 | 1 | 3,6 В | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 6 | 2,4 В | I2C | 545 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМГ39933 | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-tmg39931-datasheets-7696.pdf | Модуль 8-СМД | Без свинца | да | 2,4 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | I2C | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММКС6 ЛКК10 | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1142-A11-YM0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИК | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Полоска | 3 (168 часов) | /files/siliconlabs-si1142a11ym0-datasheets-7870.pdf | 10-WFQFN | 8 недель | ДА | 1,71 В~3,6 В | I2C | 0,65 мм | 2 мм | 2 мм | 850 нм | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSL2591FN-U ODFN6 LF UT | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 6-WDFN Открытая площадка | 6-ДФН (2,4х2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМГ39933-М | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-tmg39931-datasheets-7696.pdf | Модуль 8-СМД | Без свинца | 2,4 В~3,6 В | I2C | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1153-AA9X-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/siliconlabs-si1153aa9xgmr-datasheets-7792.pdf | 10-ЛЛГА | 8 недель | 10 | да | 1,62 В~3,6 В | I2C | 1,2 мм | 4,9 мм | 2,85 мм | 525 нм | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX44005EDT+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max44005edt-datasheets-7878.pdf | 6-УДФН | 2 мм | 2 мм | 6 | 6 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,7 В~2 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 2В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | I2C | Температура | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗОПТ1202AC2B | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL29018ИРОЗ-T7S2722 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl29018irozt7s2722-datasheets-7887.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,25~3,63 В | I2C | 540 нм | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПДС-9303-020 | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/broadcom-apds9303020-datasheets-0134.pdf | 6-СМД, без свинца | 2,6 мм | 550 мкм | 2,2 мм | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | 3,6 В | 2,7 В | 8542.39.00.01 | 1 | 600 мкА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 40 | 3,8 В | 20 мА | SMBus | 300 нс | 300 нс | 640 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX44004GDT+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 3 (168 часов) | 0,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max44004gdt-datasheets-7889.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 2 мм | 6 | да | EAR99 | 8542.33.00.01 | 1 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,65 мм | 6 | 3,6 В | 1,7 В | С-ПДСО-Н6 | I2C | 555 нм | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗОПТ2202CC5WES | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCS34007FN | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-tcs34007fn-datasheets-7895.pdf | 6-ВДФН | 2 мм | 6 | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,65 мм | 3,6 В | 2,7 В | 10 | Р-ПДСО-Н6 | I2C | 615 нм 525 нм 465 нм 2700 К | Нет |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.