Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Количество функций | мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение запуска | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Текущий коэффициент передачи | Длина волны | Доминирующая длина волн | Пиковая длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ800W51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | НПН | 100мВт | 1 | 30 мА | 30В | 30 мА | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX954-W 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2009 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ811W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 30,99 мм | 20 мА | 10,8 мм | 30,99 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | 100мВт | 100мВт | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1025 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | печатная плата | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1025-datasheets-7534.pdf | 5В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | да | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,110 (2,8 мм) | Фототранзистор | 4В | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 2,8 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ804 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb804-datasheets-7542.pdf | 30В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 1,6 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30В | 50 мА | 1,25 В | 0,155 (3,94 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 935 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ810Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 11,1 мм | 2В | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ831W55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 8 недель | 4 | 1 | 100мВт | 1 | 30В | Инфракрасный (ИК) | 30В | 50 мА | 1,7 В | 20 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Т51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 8 недель | 4 | 1 | 100мВт | 1 | 30 мА | 30В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350Л250 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | 30В | Монтаж на печатной плате | Жидкость | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 5,25 В | 4,75 В | 100мВт | 1 | 50 мА | 50 мА | 0,250 (6,35 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 50 мА | 50 мА | 890 нм | 890 нм | 30В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-0226 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | Модуль, плоский вывод, слотового типа | Без свинца | 12 недель | 4 | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 80мВт | 1 | 80мВт | 10 мкс | 50 мА | Фототранзистор | 50 мкс | 50 мкс | 0,047 (1,2 мм) | Транзистор | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 800 нм | 2 мм | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ815Л | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb815l-datasheets-7436.pdf | 30В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 32 мм | 20 мА | 14,35 мм | 31,75 мм | 1,7 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 16 мА | 30В | 20 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 16 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ800Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | 30В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 31,24 мм | 20 мА | 11,05 мм | 30,99 мм | 1,7 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | 100мВт | 100мВт | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ100-СЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb100sz-datasheets-7450.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 2 | Нет | НПН | 250мВт | 250мВт | 1 | 250мВт | 30В | 100 мА | 1,7 В | 25° | 12 (304,8 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 400мВ | 30В | 50 мА | 100 мА | 880 нм | 30В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ100-ЭЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb100sz-datasheets-7450.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 2 | Нет | 142 МВт | 250мВт | 1 | 30В | 20 мА | 1,7 В | 25° | Купол | 500 нс | 200 нс | 12 (304,8 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 50 мА | 100 мА | 880 нм | 890 нм | 880 нм | 30В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ620 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Припой | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb621-datasheets-0525.pdf | 30В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10,16 мм | 1 мА | 9,52 мм | 10,16 мм | 1,6 В | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 30В | 10 мА | 1,6 В | 40 мкс | 0,190 (4,83 мм) | Транзистор, резистор база-эмиттер | 3В | 24В | 400мВ | 24В | 30 мА | 50 мА | 3В | 890 нм | 24В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ811Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 11,1 мм | 30,99 мм | 1,7 В | Без свинца | Пластик | 10 недель | Нет СВХК | 4 | Пластик | 100мВт | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1042 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | печатная плата | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1042-datasheets-7511.pdf | 30В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 14 мм | 30 мА | 14,5 мм | 5 мм | Без свинца | 11 недель | Неизвестный | 4 | да | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 4В | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 5 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКУТ1300X01 | Отделение оптической оптики полупроводников Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcut1300x01-datasheets-7456.pdf | 6-СМД | Пересечение объекта | 4 мм | 15 мА | 4 мм | 5,5 мм | Без свинца | 18 недель | Неизвестный | 6 | да | Нет | 1 | 75мВт | 20 мкс, 30 мкс | 2 | 20 В | 20 мА | 25 мА | 1,2 В | 150 мкс | 150 мкс | 0,118 (3 мм) | 3 мм | Фототранзистор | 5В | 20 В | 20 В | 20 В | 20 мА | 5В | 950 нм | 3300нА | 3 мм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ800Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 1,7 В | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1070 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~95°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1070-datasheets-7285.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 17,7 мм | 30 мА | 10,8 мм | 6 мм | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 4 | да | Цинк | 1 | е3 | Олово (Вс) | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 95°С | 30В | 50 мА | 1,2 В | 30 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,315 (8 мм) | Фототранзистор | 4В | 4В | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 8 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-352 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohm-rpi352-datasheets-6030.pdf | 1,3 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 6,4 мм | 5,4 мм | 4,2 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 352 | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | 80мВт | 1 | 80мВт | 10 мкс, 10 мкс | 50 мА | 1,3 В | 10 мкс | 10 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1330 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1330-datasheets-7300.pdf | Модуль, разъем, тип слота | Пересечение объекта | 5,2 мм | 12 недель | е4 | Золото (Ау) | 25 мА | 1,1 В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 19 мкс | 26 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 12 В | 20 мА | 10нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ865Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ830Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 23,75 мм | 10,54 мм | 12,95 мм | 12 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCST2202 | Отделение оптической оптики полупроводников Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcst2202-datasheets-7395.pdf | 1,25 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 24,5 мм | 60 мА | 10,8 мм | 6,3 мм | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Серебро | Нет | 1 | 250мВт | 10 мкс, 8 мкс | 1 | 70В | 60 мА | 1,25 В | 3,75 кВ | 10 мкс | 8 мкс | 0,122 (3,1 мм) | Фототранзистор | 6В | 70В | 70В | 70В | 100 мА | 60 мА | 6В | 10 % | 950 нм | 70В | 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1046 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1046-datasheets-7219.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 мм | 6,5 мм | 6,5 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | да | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 85°С | 20 мА | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 4В | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 920 нм | 200нА | 3 мм | 1,2 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С53ВДЖ000Ф | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 13,7 мм | 20 мА | 10 мм | 5,2 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 75мВт | 1 | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 20 мА | 35В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 15 мкс | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 6В | 800 нм | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S092HCPIF | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/sharpsocletechnology-gp1s092hcpif-datasheets-7261.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | 2,6 мм | 2,9 мм | 4,5 мм | Без свинца | 16 недель | 4 | Медь, Олово | Нет | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 20 мА | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 150 мкс | 150 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 35В | 20 мА | 950 нм | 2 мм | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S094HCZ0F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/sharpsocletechnology-gp1s094hcz0f-datasheets-7275.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 5,5 мм | 20 мА | 4,8 мм | 2,6 мм | Без свинца | 16 недель | Неизвестный | 4 | Медь, Олово | Нет | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 1 | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 35В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 150 мкс | 150 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 6В | 3 мм | 0,04 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1131-1 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Сумка | 1 (без блокировки) | 2010 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx11311-datasheets-8671.pdf | Модуль, разъем, тип слота | Пересечение объекта | 10 мкс, 10 мкс | 0,079 (2 мм) | 2 НПН | 25 мА | 20 В | 20 мА |
