Транзисторные оптические датчики – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Входной ток Рабочее напряжение питания Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Материал корпуса Радиационная закалка Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Сенсорный экран Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Время подъема Осень (тип.) Расстояние внедрения Конфигурация вывода Обратное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Темный ток Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
OPB892T51 ОПБ892Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB892N55Z ОПБ892Н55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
HOA1875-002 НОА1875-002 Решения Honeywell для измерения и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -55°С Соответствует RoHS 1997 год 30 В Модуль, прорезной Пересечение объекта 30 мА 8 недель Нет СВХК 4 Полисульфон Нет 75мВт 15 мкс 1 30 В 50 мА 1,6 В 15 мкс 15 мкс 0,200 (5,08 мм) Фототранзистор 30 В 400мВ 30 В 30 мА 50 мА 100нА 30 В 30 мА
OPB882N55 ОПБ882Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB861T51 ОПБ861Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890T11 ОПБ890Т11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB862N55 ОПБ862Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 880 нм 30 В 30 мА
OPB892L55 ОПБ892Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB891T55 ОПБ891Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 1,7 В 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB892L55Z ОПБ892L55Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB892P51Z ОПБ892П51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890N51Z ОПБ890Н51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB892N51 ОПБ892Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB892P51 ОПБ892П51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB882P51Z ОПБ882П51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890T51 ОПБ890Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 1,7 В 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB892N55 ОПБ892Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB882N51 ОПБ882Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB890P55 ОПБ890П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB891L55Z ОПБ891L55Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890N11 ОПБ890Н11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB891L51Z ОПБ891L51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB891L55 ОПБ891Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB891N51 ОПБ891Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB892N51Z ОПБ892Н51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890P11 ОПБ890П11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB880N55 ОПБ880Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB880P11Z ОПБ880П11З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB890N55Z ОПБ890Н55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB891P55 ОПБ891П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.