Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Материал корпуса | Длина результата | Достичь соответствия кода | Количество функций | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Обратное напряжение | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Длина волны | Длина волны – пик | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Темный ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий – Темный (тип.) | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный | Напряжение обратного проба-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОДД-15ВБ | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/optodiodecorp-odd15wb-datasheets-5701.pdf | 16 недель | неизвестный | 20нс | 60В | 940 нм | 4нА | 60В | 400 нм ~ 1100 нм | 15 мм2 | 0,28 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В617-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbv6172-datasheets-5774.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 15,2 мм | 5,08 мм | 14 недель | 2,5 мкс | 15 В | 25 В | 940 нм | 35нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 62,91 мм2 | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПФ794 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/optek-opf794-datasheets-6513.pdf | 12 недель | 2нс | 6нс | 6 нс | 100 В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 800 нм | 500пА | 50В | 800 нм ~ 1000 нм | 500пА | 0,55 А/Вт при 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С609-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/advancedphotonix-pdbc6093-datasheets-5778.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | Без свинца | 16 недель | 30 нс | 75В | 940 нм | 30нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 42,4 мм2 | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МИКРОРБ-10020-MLP-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РБ-СЕРИЯ СИПМ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microrb10020mlptr1-datasheets-2268.pdf | 4-СМД, без свинца | 9 недель | да | 1нс | ПРИКОЛОТЬ | 905 нм | 23В | 300 нм ~ 1050 нм | 1 мм2 | 540нА | 270 кА/Вт при 905 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТАПД-06-015 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/marktechoptoelectronics-mtapd06016-datasheets-2196.pdf | ТО-46-3 Металлическая банка | 12 недель | 600пс | лавина | 905 нм | 120 В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,2 мм2 | 400пА | 55 А/Вт при 800 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAPDLP04SCAA0 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eapdlp04scaa0-datasheets-5711.pdf | 20 недель | 50 нс | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 940 нм | 5нА | 32В | 840 нм ~ 1100 нм | 5нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДУ-В114 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pduv114-datasheets-5788.pdf | 8,25 мм | Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива | 4,26 мм | Без свинца | 14 недель | Металл | 13нс | 63° | 900 нс | 10 В | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 950 нм | 10пА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 3,15 мм В x 5,69 мм Ш | 10пА | 0,09 А/Вт при 254 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С165 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | 2-СМД, без свинца | 5,59 мм | 3,18 мм | Без свинца | 14 недель | 13нс | 75В | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 950 нм | 1нА | 350 нм ~ 1100 нм | 8,53 мм2 | 1нА | 0,17 А/Вт при 450 нм | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 225-23-21-040 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-2252321040-datasheets-5792.pdf | 14 недель | 13нс | 45° | 660 нм | 50В | 350 нм ~ 1100 нм | 5 222 мм2 (х4) | 1,2 нА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПР5910 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5910t-datasheets-5521.pdf | 12 недель | 4 | 35В | ПРИКОЛОТЬ | 35В | 880 нм | 30нА | 35В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,75 мм2 | 30нА | 0,45 А/Вт при 890 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С201 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc201-datasheets-5796.pdf | 9,09 мм | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 4,26 мм | Без свинца | 14 недель | Металл | 13нс | 72° | 8нс | 75В | 100 В | 950 нм | 500пА | 100 В | 350 нм ~ 1100 нм | 3,23 мм2 (x2) | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП916 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С607-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6072-datasheets-5668.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 10,1 мм | 410 мкм | 2,46 мм | 14 недель | 31,8 мм | 25нс | 100 В | 75В | 950 нм | 15нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 14,5 мм2 | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ 21 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Трубка | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpw21-datasheets-5604.pdf | ТО-39 | 14 недель | 1,5 мкс | 110° | 550 нм | 10 В | 350 нм ~ 820 нм | 7,45 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В609-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/advancedphotonix-pdbv6093-datasheets-5673.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | Без свинца | 14 недель | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 25 В | 940 нм | 50нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 42,4 мм2 | 50нА | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЛСД-71Н200 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/advancedphotonix-slsd71n200-datasheets-5615.pdf | Коробка с проводами | 14 недель | Неизвестный | 2 | 130 мм | 120° | 930 нм | 3,3 мкА | 20 В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,55 А/Вт при 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЛСД-71Н700 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-slsd71n700-datasheets-5678.pdf | Прямоугольные проволочные выводы | 14 недель | 120° | 940 нм | 20 В | 400 нм ~ 1100 нм | 5мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 039-151-001 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Полоска | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-039151001-datasheets-5619.pdf | 14 недель | 2нс | 40В | 800 нм ~ 1700 нм | 200пА | 0,90 А/Вт при 1310 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 012-УВА-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-012uva011-datasheets-5682.pdf | 14 недель | 55° | 5В | 220 нм ~ 370 нм | 100нА | 0,18 А/Вт при 350 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD3410-002 | Решения Honeywell для измерения и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd3410003-datasheets-4889.pdf | 5,56 мм | ТО-46 | 12,7 мм | 14 недель | 3 | НПН | 150 мВт | 150 мВт | 75 мкс | 1 | 90° | 75 мкс | 75 мкс | 15 В | 1,1 В | 15 В | 880 нм | 250 нА | 250 нА | |||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2704 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЧИПЛИРОВАННЫЙ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh2704-datasheets-5366.pdf | 2-СМД, без свинца | 47нс, 67нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 6В | 400 нм ~ 1100 нм | 1,51 мм2 | 100пА | 0,34 А/Вт при 535 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД5510С-GS15 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd5510c-datasheets-1705.pdf | 4-SMD, контактная площадка без контакта со свинцом | 9 недель | 70нс | 130° | ПРИКОЛОТЬ | 550 нм | 20 В | 440 нм ~ 700 нм | 7,5 мм2 | 200пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МИКРОФК-30020-СМТ-ТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 600пс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 9 мм2 | 50нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТП413Х | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/excelitastechnologies-vtp413h-datasheets-5637.pdf | Радиальный | 6 недель | 2 | 925 нм | 400 нм ~ 1150 нм | 7,45 мм2 | 30нА | 0,55 А/Вт при 925 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МИКРОФК-30050-СМТ-ТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 600пс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 9 мм2 | 319нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МИКРОФК-10020-СМТ-ТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 300пс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 1 мм2 | 5нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFJ-40035-TSV-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfj60035tsvtr1-datasheets-0053.pdf | 14-ВБГА | КВАДРАТ | 4 недели | да | 1 | 110пс | СЛОЖНЫЙ | лавина | 420 нм | 3,93 мм | НЕТ | 4000нА | 24,7 В | 200 нм ~ 900 нм | 15,45 мм2 | 3 мкА | 24,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПР5011Т | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5011-datasheets-1148.pdf | 12 недель | 1 мкс | 0,50 мм2 (х6) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFJ-30035-TSV-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfj60035tsvtr1-datasheets-0053.pdf | 8-ШБГА | КВАДРАТ | 4 недели | да | 1 | 110пс | СЛОЖНЫЙ | лавина | 420 нм | 3,07 мм | НЕТ | 3000нА | 24,7 В | 200 нм ~ 900 нм | 9,43 мм2 | 1,9 мкА | 24,2 В |
