| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Особенности монтажа | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Время отклика-Макс. | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Обратное напряжение проба | Обратное напряжение | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Обратное напряжение (постоянный ток) | Полупроводниковый материал | Длина волны | Длина волны – пик | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий — Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C30659-1550E-R2AH | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/excelitastechnologies-c30659900r5bh-datasheets-5187.pdf | 33 недели | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VTS2084H | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | 125 | 8 недель | 2 | НЕТ | -40°С | ФОТОЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ОБНАРУЖЕНИЯ | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | КРЕМНИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В601-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/advancedphotonix-pdbv601125-datasheets-2505.pdf | Править | Без свинца | 14 недель | 300 нс | 300 нс | 25В | 940 нм | 3нА | 25В | 350 нм ~ 1100 нм | 1 053 мм2 | 3нА | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД3010ПМ | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtd3010pm-datasheets-5416.pdf | неизвестный | 8541.40.60.50 | Фотодиоды | 120° | 30 В | 900 нм | 10нА | 30 В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,2 А/Вт при 450 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAPDLP05RDDA1 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 20 недель | 8541.40.80.00 | 45нс | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 940 нм | 5нА | 32В | 730 нм ~ 1100 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП955 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op950-datasheets-0598.pdf | 60В | Радиальный | 10 недель | Нет СВХК | 2 | 100мВт | 5нс | 60В | 1 мА | 90° | 5нс | 5 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 935 нм | 1нА | 60В | 500 нм ~ 1100 нм | 1нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WP3DPD1BT/BD | Кингбрайт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | Радиальный | 12 недель | 6нс | 50° | ПРИКОЛОТЬ | 940 нм | 170 В | 670 нм ~ 1070 нм | 10 нА Макс. | Инфракрасный (БИК) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AXUV16ELG | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АКСУВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -10°К~40°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/optodiodecorp-axuv16elg-datasheets-5435.pdf | 16 недель | 500 нс | 10 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД5510CF-GS15 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd5510cf-datasheets-4894.pdf | 4-SMD, контактная площадка без контакта со свинцом | 9 недель | 70нс | 130° | ПРИКОЛОТЬ | 540 нм | 20 В | 440 нм ~ 620 нм | 7,5 мм2 | 200пА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД8080 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd8080-datasheets-4912.pdf | 8-СМД, без свинца | 17 недель | 70нс | 130° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 20 В | 350 нм ~ 1100 нм | 4,5 мм2 | 10 нА Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛС-ПД70-01С/ТР7 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | СМД/СМТ | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 15 недель | 2 | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 1,3 В | Прозрачный | ОДИНОКИЙ | 35В | 630 нм | 2нА | НЕТ | 390 нм ~ 700 нм | 0,012 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТП100Х | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/excelitastechnologies-vtp100h-datasheets-5450.pdf | Радиальный, вид спереди | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 6 недель | Нет СВХК | 2 | неизвестный | 8541.40.60.50 | 1 | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 140° | ОДИНОКИЙ | 140 В | Кремний | 925 нм | 30нА | ДА | 725 нм ~ 1150 нм | 7,45 мм2 | 30нА | 0,055 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T1610P-SD-F | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Поднос | 3 (168 часов) | ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-ВНУТРЕННИЙ-ОТРИЦАТЕЛЬНЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-t1610psdf-datasheets-5454.pdf | Править | 1 | 14 недель | EAR99 | 8541.10.00.40 | ДА | ВЕРХНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 100 нс | 1 | Не квалифицирован | S-XUUC-N1 | 120° | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 16 В | ПРИКОЛОТЬ | 560 нм | 16 В | 390 нм ~ 800 нм | 7,7 мм2 | 2нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТР-546АД | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/liteonnc-ltr546ad-datasheets-5373.pdf | Радиальный, вид спереди | 30 В | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 12 недель | 2 | Вид спереди | EAR99 | неизвестный | 1 | 150 мВт | 150 мВт | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 5е-8с | 30 В | 30 В | Кремний | 900 нм | 30нА | 7 мм | ДА | 30нА | 0,002 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-C172SMF | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~80°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | 2-СМД, без свинца | 5 мм | 4 мм | 14 недель | 130° | 20нс | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 900 нм | 4нА | 60В | 840 нм ~ 1050 нм | 7,67 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПД438Б/С46 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | ТО-226-2, ТО-92-2 удлиненный кузов | КВАДРАТ | 15 недель | 2 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 50 нс | ОДИНОКИЙ | ПРИКОЛОТЬ | 170 В | 940 нм | 5нА | 3 мм | ДА | 170 В | 840 нм ~ 1100 нм | 0,018 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJL6402R-2-TE1 | Корпорация NJR/NJRC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | /files/njrcorporationnjrc-njl6402r2te1-datasheets-5458.pdf | 2-СМД, без свинца | 12 недель | 2нс | ПРИКОЛОТЬ | 800 нм | 35В | 1 мм2 | 100пА | 0,47 А/Вт при 780 Нм, 0,42 А/Вт при 650 Нм | Инфракрасный (NIR)/синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МАССИВJ-60035-4P-BGA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-arrayj600354ppcb-datasheets-2253.pdf | 9-ЭБГА | 4 недели | 420 нм | 9 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJL6414R-TE1 | Корпорация NJR/NJRC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | /files/njrcorporationnjrc-njl6414rte1-datasheets-5459.pdf | 2-СМД, без свинца | 12 недель | 16нс, 22нс | 900 нм | 35В | 2,25 мм2 | 500пА | 0,27 А/Вт при 405 Нм, 0,47 А/Вт при 780 Нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТР-536АД | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /fileonc-ltr536ad-datasheets-5385.pdf | Радиальный, вид спереди | 30 В | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 12 недель | 2 | Вид спереди | неизвестный | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | 150 мВт | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 5е-8с | 30 В | 30 В | Кремний | 900 нм | 30нА | ДА | 30 нА Макс. | 0,002 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С157 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | Радиальный | Без свинца | 14 недель | 120° | 50 нс | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 9 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПР5911 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Масса | 4 (72 часа) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5911-datasheets-5390.pdf | СМД/СМТ | 12 недель | Неизвестный | 12 | 14 В | 14 В | 890 нм | 30нА | 14 В | 400 нм ~ 1100 нм | 1,27 мм2 (х4) | 30нА | 0,45 А/Вт при 890 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJL6401R-3-TE1 | Корпорация NJR/NJRC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | /files/njrcorporationnjrc-njl6401r3te1-datasheets-5463.pdf | 2-СМД, без свинца | 12 недель | 2нс | ПРИКОЛОТЬ | 800 нм | 35В | 0,49 мм2 | 100пА | 0,47 А/Вт при 780 Нм, 0,42 А/Вт при 650 Нм | Инфракрасный (NIR)/синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ 34 ФСР-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Масса | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpw34fsrz-datasheets-5401.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | 20нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 950 нм | 16 В | 780 нм ~ 1100 нм | 7 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2504 АН23 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2504an23-datasheets-5469.pdf | 14 недель | 5нс | 30° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 50В | 750 нм ~ 1100 нм | 100пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БП 104 ФАСР-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-bp104fasrz-datasheets-5407.pdf | 2-СМД, З-изгиб | 14 недель | 20нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 880 нм | 20 В | 730 нм ~ 1100 нм | 4,84 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-8СМД-ДФ | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общий | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/optodiodecorp-odd8smddf-datasheets-5474.pdf | 16 недель | 50 нс | 940 нм | 170 В | 730 нм ~ 1100 нм | 8 мм2 | 5нА | 0,44 А/Вт при 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 203 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh203-datasheets-5341.pdf | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 14 недель | 5нс | 40° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | 1нА | 0,62 А/Вт при 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПД70-01Б/ТР10 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 2-СМД, З-изгиб | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 15 недель | 2 | да | ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | 150 мВт | Фотодиоды | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 32В | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 32В | Кремний | 940 нм | 5нА | 4,4 мм | ДА | 730 нм ~ 1100 нм | 0,035 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ 34 СР-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Масса | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-bpw34srz-datasheets-5346.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 20нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 32В | 400 нм ~ 1100 нм | 7 мм2 | 2нА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.