Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Источники питания | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Размер пикселя | Динамический диапазон | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS0260HQSC28SUD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Непригодный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-as0260hqsc28sud20-datasheets-0992.pdf | 54-ВФБГА, КСПБГА | Без свинца | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,7 В~1,95 В 2,5 В~3,1 В | 1,4 мкмx1,4 мкм | 120 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||||
| 4LS_2K5_RGB_LGA ФТ SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9М113Д00СТЦК24АС1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9P004EBMSTC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIP3FN1300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3fn1300aqti-datasheets-2977.pdf | Без свинца | 15 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 360 МГЦ (10 БИТ) И 288 МГЦ (8 БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | ДА | 1,8 В~3,3 В | 72 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 50 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | ||||||||
| MLX75023RTF-BAA-001-TR | Мелексис Технологии Н.В. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3D время полета | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/melexistechnologiesnv-mlx75023rtfbaa000tr-datasheets-2782.pdf | 44-УФБГА, ВЛБГА | 16 недель | да | 3,3 В | 15 мкмx15 мкм | 320 х 240 В | |||||||||||||||||||||
| AR0543CSSC25SUD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ar0543cssc25sud20-datasheets-2982.pdf | 45-ВФБГА, КСПБГА | 111 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | 1,4 мкмx1,4 мкм | 15 | |||||||||||||||||||||||
| KAE-02150-ABB-JP-FA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -70°К~40°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kae02150abbjpfa-datasheets-2937.pdf | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | НЕТ | 4,5 В~6 В | 15 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33 мм | 30 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 68 дБ | 60 | 1920 Г х 1080 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||
| MT9M003D00STCC14DC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 111 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29052-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-kai29052axajdb1-datasheets-2942.pdf | 71-БКПГА | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 35 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 4 | 6576Г х 4384В | ||||||||||||||||
| ORION2K_CERAMIC_LCC_V1.1 (Н СТЕКЛО) | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°К~50°К | 1 (без блокировки) | /files/ams-orion2kceramiclccv11-datasheets-2926.pdf | 76-CLCC | 3,3 В | 10 мкмx10 мкм | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-47051-AXA-JP-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | Масса | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kai47051qxajdb2-datasheets-2761.pdf | 201-БФПГА | 52 недели | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 5,5 мкмx5,5 мкм | 7 | 8856Г х 5280В | ||||||||||||||||||||||
| MT9D113D00STCK25AC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 111 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0143ATSC00XUEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2017 год | 80-ЛФБГА | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 3 мкмx3 мкм | 30 | 1344Г х 968В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-29052-FXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai29052axajdb1-datasheets-2942.pdf | 71-БКПГА | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 35 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 4 | 6576Г х 4384В | |||||||||||||||
| КАИ-47051-AXA-JP-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | Масса | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kai47051axajpb2-datasheets-2954.pdf | 201-БФПГА | 52 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | 5,5 мкмx5,5 мкм | 7 | 8856Г х 5280В | ||||||||||||||||||||||
| MT9D112D00STCK15AC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 111 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0833CS3C29SMD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 1 (без блокировки) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0833cs3c29smd20-datasheets-2956.pdf | 48-CLCC | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 недели назад) | 1,4 мкмx1,4 мкм | 30 | |||||||||||||||||||||||
| MT9T111D00STCK26AC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0832ESSC25SUD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | 111 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-2Е5М1ПН | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAI-08052-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08052abajpba-datasheets-2852.pdf | 52 недели | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 35 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||
| CHR71000HGES-1E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAE-04471-FBA-JP-FA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -70°К~40°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-kae04471fbajpfa-datasheets-2902.pdf | 12 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | НЕТ | 4,5 В~6 В | 20 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 43,5 мм | 41 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 72 дБ | 30 | 2096Г х 2096В | 4/3 дюйма | |||||||||||||||
| КАИ-16070-AAA-JP-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 8 | 4864Г х 3232В | |||||||||||||||||||||
| НОИП3SE5000A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | Без свинца | 12 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | |||||||||||||||||||
| KAF-09001-ABA-DP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~60°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf09001abadpba-datasheets-2919.pdf | 9 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 14,8 В~17 В | 12 мкмx12 мкм | 3024Г х 3024В | ||||||||||||||||||||||
| 4LS_5К ФТ ЮВ | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-47051-QXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai47051qxajdb2-datasheets-2761.pdf | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 38 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 69,96 мм | 44,55 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 66 дБ | 7 | 8856Г х 5280В | |||||||||||||||
| KAI-08052-ABA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08052abajpba-datasheets-2852.pdf | 52 недели | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 35 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма |
