Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Код дела (метрика) | Код корпуса (имперский) | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Терминал Питч | Количество контактов | Аналоговая микросхема — другой тип | Рассеяние активности | Время ответа | Подкатегория | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Обратное напряжение проба | Обратное напряжение | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Полупроводниковый материал | Длина волны | Пиковая длина волны | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Темный ток-Макс. | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий — Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный | Напряжение обратного проба-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C30724PH | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/excelitastechnologies-c30724ph-datasheets-2332.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | 12 недель | 2 | неизвестный | 8541.40.60.50 | НЕТ | 5нс | Фотодиоды | лавина | Кремний | 920 нм | 40нА | 350В | 400 нм ~ 1100 нм | Диаметр 0,50 мм | 20нА | 8,5 А/Вт при 920 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 076-11-31-211 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-0761131211-datasheets-2242.pdf | 14 недель | 5нс | 59° | ПРИКОЛОТЬ | 660 нм | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 2,91 мм2 | 8нА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТП1112Х | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~110°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | Радиальный металлический корпус с линзами, ТО-46-2 | 6 недель | 2 | неизвестный | 8541.40.60.50 | НЕТ | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 30° | Кремний | 580 нм | 7нА | 40В | 400 нм ~ 1150 нм | 1,60 мм2 | 100пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МАССИВJ-60035-4P-PCB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-arrayj600354ppcb-datasheets-2253.pdf | Массив — 8 элементов | 4 недели | 420 нм | 9 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТАПД-06-003 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/marktechoptoelectronics-mtapd06001-datasheets-2164.pdf | ТО-46-3 Металлическая банка | 12 недель | неизвестный | 300пс | лавина | 800 нм | 120 В | 400 нм ~ 1100 нм | Диаметр 230 мкм | 50пА | 50 А/Вт при 800 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД5510С | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd5510c-datasheets-1705.pdf | 4-СМД, площадка без контакта со свинцом | 9 недель | 70нс | 130° | ПРИКОЛОТЬ | 550 нм | 440 нм ~ 700 нм | 7,5 мм2 | 200пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТАПД-07-016 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Полоска | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/marktechoptoelectronics-mtapd07016-datasheets-2170.pdf | 6-LCC | 12 недель | да | 600пс | лавина | 200В | 905 нм | 400пА | 200В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,2 мм2 | 55 А/Вт при 905 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД6110X01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd6110x01-datasheets-1444.pdf | 3-СМД, без свинца | Без свинца | КВАДРАТ | 7 недель | Неизвестный | 2 | 8541.40.80.00 | ТР, 7 ДЮЙМОВ | 1 | 100 нс | 60° | ОДИНОКИЙ | ПРИКОЛОТЬ | 32В | Кремний | 950 нм | 1нА | 0,85 мм | ДА | 32В | 750 нм ~ 1050 нм | 0,0095 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFJ-30020-TSV-TR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfj60035tsvtr1-datasheets-0053.pdf | 8-ШБГА | КВАДРАТ | 4 недели | да | 1 | 160пс | СЛОЖНЫЙ | лавина | 420 нм | 3,07 мм | НЕТ | 720нА | 24,7 В | 200 нм ~ 900 нм | 9,43 мм2 | 450 нА | 24,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WP7113PD1BT/BD-P22 | Кингбрайт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Непригодный | Соответствует ROHS3 | 2018 год | Радиальный | 12 недель | 6нс | 20° | 940 нм | 170 В | 670 нм ~ 1070 нм | 10 нА Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AXUV100AL | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АКСУВ | Сквозное отверстие | -10°К~40°К | Масса | 1 (без блокировки) | 40°С | -10°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/optodiodecorp-axuv100al-datasheets-2093.pdf | ОКУНАТЬ | 16 недель | 250 нс | 10 В | 10 В | 100 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADPD2140BCPZN-R7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,7 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adpd2140bcpznr7-datasheets-1910.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 2 мм | 8 | 8 недель | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,45 мм | 8 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 227нс, 228нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 8В | 800 нм ~ 1080 нм | 0,31 мм2 | 1,74 пА | 0,43 А/Вт при 880 нм | Инфракрасный (БИК) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WP7113PD1C | Кингбрайт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | Радиальный | 12 недель | 6нс | 20° | 940 нм | 170 В | 420 нм ~ 1120 нм | 10 нА Макс. | Инфракрасный (БИК) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AXUV576C | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АКСУВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -10°К~40°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 40°С | -10°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/optodiodecorp-axuv576c-datasheets-2116.pdf | 16 недель | 10 В | 10 В | 576,5 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WP3DPD1C | Кингбрайт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | Радиальный | 12 недель | 6нс | 50° | ПРИКОЛОТЬ | 940 нм | 170 В | 420 нм ~ 1120 нм | 10 нА Макс. | Инфракрасный (БИК) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-1W | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-odd1w-datasheets-2127.pdf | КРУГЛЫЙ | 16 недель | да | неизвестный | 1 | 8нс | ОДИНОКИЙ | 60В | 940 нм | 200пА | 1 мм | 60В | 400 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | 0,4 А/Вт при 632 нм | Красный | 25В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДА-6W-500М | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Гибридный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-oda6w500m-datasheets-2132.pdf | 16 недель | неизвестный | 940 нм | 400 нм ~ 1100 нм | 6 мм2 | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 008-2171-112 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-0082171112-datasheets-2016.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-3 | 2 недели | 1нс | Шоттки | 220 нм ~ 380 нм | 5В | 0,076 мм2 | 1пА | 0,06 А/Вт при 254 нм | Ультрафиолетовый (УФ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ03-001 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 8 | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mt03001-datasheets-2137.pdf | Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива | 12 недель | 2нс | 940 нм | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 5 мм2 | 1нА | 0,6 А/Вт при 940 нм | Синий/Зеленый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-C152SM | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~80°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc152sm-datasheets-1730.pdf | 1206 (3216 Метрическая единица) | 3,2 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 14 недель | 3216 | 1206 | 50 нс | 120° | 50 нс | 100В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 1,66 мм2 | 2нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ03-047 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mt03047-datasheets-2144.pdf | 8-СМД, без свинца | 4 недели | 100 нс | 950 нм 1650 нм | 50В | 250–1100 нм, 600–1750 нм | 100 пА 2 мкА Макс. | 0,40 А/Вт при 633 Нм, 0,7 А/Вт при 1550 Нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJL6195R-TE1 | Корпорация NJR/NJRC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/njrcorporationnjrc-njl6195rte1-datasheets-1865.pdf | 2-СМД, без свинца | 12 недель | 25 нс, 42 нс | 890 нм | 35В | 2,98 мм2 | 1нА | 0,55 А/Вт при 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SXUV100 | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СКСУВ | Сквозное отверстие | -10°К~40°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/optodiodecorp-sxuv100-datasheets-2146.pdf | ОКУНАТЬ | КВАДРАТ | 16 недель | неизвестный | 8541.40.60.50 | 1 | 250 нс | ОДИНОКИЙ | 10 В | 100 мм | 100,6 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2500 ФА-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2505faz-datasheets-0860.pdf | Радиальный | 14 недель | 5нс | 30° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 50В | 750 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | 100пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП472 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Панель, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opf472-datasheets-2151.pdf | ТО-46-3 | 3пФ | 12,7 мм | 20,32 мм | 10,4 мм | 5В | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 3 | Нет | 200мВт | 20нс | 6нс | 6 нс | 100В | 100В | 100В | ПРИКОЛОТЬ | 100В | 880 нм | 880 нм | 100пА | 100В | 500 нм ~ 1100 нм | 100пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 02А6А-163-ХМД | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 6 (время на этикетке) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С110 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без блокировки) | 60°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc110-datasheets-2157.pdf | Радиальный | 16,5 мм | 2,03 мм | 15 мм | Без свинца | 14 недель | Керамика | 13нс | 120° | 25нс | 50В | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 950 нм | 10нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 93,54 мм2 | 10нА | 0,17 А/Вт при 450 нм | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2440 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh2440-datasheets-1616.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | КВАДРАТ | 14 недель | 8541.40.80.00 | 1 | 90 нс | 60° | ОДИНОКИЙ | 620 нм | 2,65 мм | НЕТ | 10нА | 16 В | 400 нм ~ 690 нм | 7,02 мм2 | 5нА | 0,0081 мА | 0,37 А/Вт при 550 нм | 16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТАПД-06-001 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/marktechoptoelectronics-mtapd06001-datasheets-2164.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | 12 недель | неизвестный | 300пс | лавина | 120 В | 800 нм | 50пА | 120 В | 400 нм ~ 1100 нм | Диаметр 230 мкм | 50 А/Вт при 800 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUF268J001 | Усовершенствование датчиков амфенола | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Определяется пользователем | -30°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/amphenoladvancedsensors-suf268j001-datasheets-1567.pdf | 11 недель | 40° | 925 нм | 400 нм ~ 1100 нм |
