Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Длина результата | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Время ответа | Подкатегория | Выходная мощность | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Время отклика-Макс. | Обратное напряжение проба | Обратное напряжение | Тип диода | Минимальное напряжение проба | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Обратное напряжение (постоянный ток) | Полупроводниковый материал | Длина волны | Длина волны – пик | Пиковая длина волны | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий — Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МТД3910PM | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtd3910pm-datasheets-1013.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | 12 недель | 900 нм | 30 В | 400 нм ~ 1100 нм | 10 нА Макс. | 0,58 А/Вт при 900 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 066-24-21-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-0662421011-datasheets-1121.pdf | 14 недель | 13нс | 42° | 660 нм | 50В | 350 нм ~ 1100 нм | 0,69 мм2 (x2) | 200пА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТР-516АД | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/liteonnc-ltr516ad-datasheets-1015.pdf | Радиальный | 6,6 мм | 5 мм | 30 В | Без свинца | ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ | 12 недель | 2 | Пластик | неизвестный | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | 150 мВт | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 5е-8с | 30 В | 30 В | Кремний | 940 нм | 30нА | ДА | 770 нм ~ 1000 нм | 30 нА Макс. | 0,002 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 205 Ф | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh205f-datasheets-1127.pdf | Радиальный | 14 недель | 20нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 950 нм | 32В | 800 нм ~ 1100 нм | 7,02 мм2 | 2нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С158 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | 5 мм | Радиальный | 14 недель | 16,3 мм | 120° | 50 нс | 75В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 9 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 113-24-21-021 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-1132421021-datasheets-0930.pdf | 14 недель | 13нс | 80° | 660 нм | 50В | 350 нм ~ 1100 нм | 3,1 мм2 (x2) | 900пА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТПД3650Д-1.4 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~70°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtpd3650d14-datasheets-0936.pdf | 12 недель | 50° | 5В | 365 нм | 5пА | 5В | 245 нм ~ 400 нм | 0,07 А/Вт при 365 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-5ВИСОЛ | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-odd5wisol-datasheets-0744.pdf | 16 недель | неизвестный | 10 нс | 60В | 940 нм | 1нА | 60В | 300 нм ~ 1100 нм | 5 мм2 | 0,4 А/Вт при 632 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 0090-3111-185 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-00903111185-datasheets-0942.pdf | 14 недель | 1,2 нс | 55° | 40В | 800 нм ~ 1700 нм | 100пА | 0,90 А/Вт при 1310 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 172-11-21-221 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-1721121221-datasheets-0749.pdf | 14 недель | 13нс | 79° | ПРИКОЛОТЬ | 660 нм | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 15,04 мм2 | 5нА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 229ФА | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh229fa-datasheets-0948.pdf | Радиальный | 14 недель | 10 нс | 34° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 20 В | 730 нм ~ 1100 нм | 0,31 мм2 | 50пА | 0,6 А/Вт при 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОБТК430 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opf430-datasheets-0755.pdf | ТО-46 | 12 недель | 3 | 200мВт | 80° | 2нс | 2 нс | 100 В | 100 В | ПРИКОЛОТЬ | 100 В | 860 нм | 100пА | 100 В | 800 нм ~ 900 нм | 100пА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ03-023 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mt03023-datasheets-0953.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-3 | 12 недель | 100 нс | 950 нм | 50В | 250–1100 нм | 1,2 мм2 | 200пА | 0,22 А/Вт при 365 нм | Синий/Зеленый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЛСД-71Н300 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/advancedphotonix-slsd71n300-datasheets-0761.pdf | Прямоугольные проволочные выводы | 5,1 мм | 14 недель | Неизвестный | 2 | 130 мм | 120° | 930 нм | 1,7 мкА | 20 В | 400 нм ~ 1100 нм | 1 мкА | 0,55 А/Вт при 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВБПВ34ФАСР | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbpw34fas-datasheets-9916.pdf | 2-СМД, З-изгиб | 4,4 мм | 1,2 мм | 3,9 мм | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 13 недель | Неизвестный | 2 | да | Олово | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | 215мВт | 215мВт | Фотодиоды | 50 мА | 1,3 В | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | Кремний | 950 нм | 2нА | ДА | 780 нм ~ 1050 нм | 7,5 мм2 | 0,055 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 221 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh221-datasheets-0777.pdf | ТО-39-4 Металлическая банка | 14 недель | 500 нс | 110° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 10 В | 400 нм ~ 1100 нм | 1,54 мм2 | 10нА | 0,55 А/Вт при 900 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЭМД5020Х01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-temd5020x01-datasheets-0546.pdf | 4-СМД, без свинца | 5 мм | 1,12 мм | 4,24 мм | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 7 недель | Неизвестный | 2 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 215мВт | 215мВт | Фотодиоды | 50 мА | 1,3 В | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | Кремний | 900 нм | 2нА | 4,4 мм | ДА | 430 нм ~ 1100 нм | 4,4 мм2 | 0,035 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTD5052N | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtd5052n-datasheets-0789.pdf | 12 недель | неизвестный | Фотодиоды | 24° | 5В | 525 нм | 5пА | 5В | 410 нм ~ 580 нм | 0,3 А/Вт при 525 нм | Синий/Зеленый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП905 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op906-datasheets-0639.pdf | Т | Без свинца | 12 недель | 2 | Нет | 100мВт | 5нс | 1 мА | 1,2 В | Прозрачный | 5нс | 5 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 850 нм | 1нА | 60В | 500 нм ~ 1100 нм | 1нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП954 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op950-datasheets-0598.pdf | Радиальный | Без свинца | 12 недель | 2 | 100мВт | 5нс | 1 мА | 5нс | 5 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 850 нм | 890 нм | 1нА | 60В | 500 нм ~ 1100 нм | 1нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 100-11-21-221 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-1001121221-datasheets-0977.pdf | 14 недель | 13нс | 90° | ПРИКОЛОТЬ | 660 нм | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 5 067 мм2 | 1,6 нА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТБ8440БХ | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~75°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/excelitastechnologies-vtb8441bh-datasheets-9948.pdf | Радиальный | 8 мм | 6 недель | Нет СВХК | 2 | да | неизвестный | 100° | 580 нм | 2нА | 40В | 330 нм ~ 720 нм | 5,16 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSB34GR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-qsb34cgr-datasheets-0470.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 3 мм | 1,2 мм | 3 мм | Без свинца | Прямоугольный | 4 недели | 46 015 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | Одинокий | 150 мВт | Фотодиоды | 120° | 50 нс | 50 нс | 32В | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 32В | 32В | Кремний | 940 нм | 30нА | 4,4 мм | ДА | 730 нм ~ 1100 нм | 6,5 мм2 | 0,037 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТР-323ДБ | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /fileonc-ltr323db-datasheets-0841.pdf | Радиальный | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 12 недель | 2 | Вид сверху | неизвестный | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | 150 мВт | 150 мВт | 60° | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 30 В | 940 нм | 30нА | 5 мм | ДА | 30 нА Макс. | 0,013 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-5400#011 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХСДЛ-5400 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/liteonnc-hsdl4400011-datasheets-4550.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 12 недель | 2 | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | ИНН | 150 мВт | 1 мА | 800мВ | 110° | 7,5 нс | 7,5 нс | ОДИНОКИЙ | 40В | 40В | ПРИКОЛОТЬ | 40В | 875 нм | 1нА | 1,53 мм | ДА | 770 нм ~ 1000 нм | 0,15 мм2 | 0,0016 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 200-12-22-041 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-2001222041-datasheets-0890.pdf | 16 недель | 13нс | 83° | ПРИКОЛОТЬ | 660 нм | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 20,27 мм2 | 6,5 нА | 0,28 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ46 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw46-datasheets-0915.pdf | Радиальный, вид спереди | 70пФ | 5 мм | 6,4 мм | 3 мм | Без свинца | 19 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 215мВт | Фотодиоды | 130° | Прозрачный | 100 нс | 100 нс | 1e-7s | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 900 нм | 2нА | 430 нм ~ 1100 нм | 7,5 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЭФД4300 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300-datasheets-0612.pdf | Радиальный | Без свинца | 32 недели | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 215мВт | 100 нс | 50 мА | 1В | 40° | Прозрачный | 100 нс | 100 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 10 В | 60В | 950 нм | 150пА | 10 В | 350 нм ~ 1120 нм | 150пА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTD5010W | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtd5010w-datasheets-0723.pdf | 12 недель | 1 | 3,5 нс | 110° | ОДИНОКИЙ | 30 В | 850 нм | 5нА | ДА | 30 В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,03 мА | 0,2 А/Вт при 450 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2430-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2430z-datasheets-0619.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 200 мкс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 570 нм | 6В | 400 нм ~ 900 нм | 7,02 мм2 | 100пА |
