Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые оптические датчики(318)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Полярность | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Материал корпуса | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Расстояние внедрения | Диапазон измерения-Макс. | Диапазон измерения-мин. | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ700TX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -65°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb700txv-datasheets-5938.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 25 недель | 4 | 100мВт | 12 мкс, 12 мкс | 1 | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 12 мкс | 12 мкс | 0,200 (5,08 мм) | 2В | 2В | 50В | 50В | 50 мА | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRB1114 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-qrb1114-datasheets-5953.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 40 мА | 1,7 В | Без свинца | 4 | 2 | 100мВт | 8 мкс, 8 мкс | 1 | 30 В | 40 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 8 мкс | 8 мкс | 0,150 (3,81 мм) | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 940 нм | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ730 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb730f-datasheets-5069.pdf | 15 В | ТО-72 | Светоотражающий | 50 мА | 1,5 В | 12 недель | Нет СВХК | 2 | НПН | 150 мВт | 1 | 15 В | 50 мА | 1,5 В | Фотодарлингтон | 0,250 (6,35 мм) | 3В | 15 В | 3В | 15 В | 15 В | 25 мА | 50 мА | 3В | 935 нм | 15 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ704W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -45°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-opb704w-datasheets-5964.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | Фототранзистор | 0,200 (5,08 мм) | 40 мА | 30 В | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z4D-A01 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -10°К~55°К | Непригодный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-z4da01-datasheets-5965.pdf | Светоотражающий | Без свинца | неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 100 мкс | 25 мм | 20 мм | РАЗЪЕМ | 0,256 (6,5 мм) | 6,5 мм | 6,5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY169A-D | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy169a-datasheets-5558.pdf | 2-SIP | Светоотражающий | 17 недель | 30 мкс, 30 мкс | Фототранзистор | 0,157 (4 мм) | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRC1113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qrc1113-datasheets-5975.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 8 мкс, 8 мкс | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТРС5750 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs5750-datasheets-5979.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | 20 мкс, 30 мкс | Фототранзистор | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 20 В | 50 мА | 30 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAITRBA6 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaitrba6-datasheets-5899.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 15 недель | 8541.40.80.00 | 15 мкс, 15 мкс | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRB1113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-qrb1114-datasheets-5953.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 50 мА | 1,7 В | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 2 | 100мВт | 8 мкс, 8 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 8 мкс | 8 мкс | 0,150 (3,81 мм) | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 5В | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS6140D | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs6140d-datasheets-5798.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | 1 мкс | Фотодиод | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТХ-301-19 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/liteonnc-lth30119-datasheets-5805.pdf | Щелевой модуль | Светоотражающий | 12 недель | 4 | неизвестный | 1 | 100мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 60 мА | Фототранзистор | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 15 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 20 мА | 4,1 мм | 0,07 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAITRDA8 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaitrda8-datasheets-5810.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 15 недель | 8541.40.80.00 | 15 мкс, 15 мкс | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 30 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ701Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb700alz-datasheets-4971.pdf | 15 В | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 50 мА | 10 недель | Нет СВХК | 4 | 1 | 80мВт | 1 | 15 В | 100 мА | 1,7 В | Фотодарлингтон | 50 мА | 0,200 (5,08 мм) | 2В | 15 В | 2В | 15 В | 15 В | 43 мА | 100 мА | 2В | 890 нм | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИТР20001/Т | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 4-ДИП (0,100, 2,54 мм) | Светоотражающий | 15 недель | да | Нет | 75мВт | 1 | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 25 мкс | 25 мкс | 6,5 мм | 6,4 мм | ПАЙКА | ПЛАСТИК | 0,197 (5 мм) | 5 мм | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 9206-5/6 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh9206-datasheets-5291.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Светоотражающий | 8 недель | 30 мкс | Фототранзистор | 0,039 ~ 0,197 (1 мм ~ 5 мм) | 50 мА | 30 В | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ606Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb607a-datasheets-5398.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 1,7 В | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 20 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 2В | 935 нм | 30 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-СБ5 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Панель, Винт, Припой | Припой | -25°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesb5b-datasheets-5190.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 30 мА | 25,4 мм | 24В | Без свинца | 9 недель | UL | Неизвестный | 4 | 1 | 100мВт | 30 мкс, 30 мкс | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мА | 30 мкс | 30 мкс | АБС | 6,35 мм | 0,197 (5 мм) | 5 мм | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,20–2 мА | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ702Д | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb702-datasheets-5075.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 1,7 В | 12 недель | 4 | 20 мА | 1,7 В | Фотодарлингтон | 0,150 (3,81 мм) | 15 В | 2В | 15 В | 15 В | 65 мА | 50 мА | 890 нм | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИТР8307/ТР8 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/everlightelectronicscoltd-itr8307tr8-datasheets-5854.pdf | 4-SMD, плоские выводы | Светоотражающий | Без свинца | 15 недель | 4 | да | Нет | 2 | 75мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 20 мкс | 20 мкс | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | 0,039 (1 мм) | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 50 мА | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ755ТАЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb755tz-datasheets-5310.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | Без свинца | 12 недель | 4 | 40 мА | 1,8 В | Фототранзистор | 0,220 (5,59 мм) | 2В | 24В | 24В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 24В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS5900D | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs5900d-datasheets-5875.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | 1 мкс | Фотодиод | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 331-JK | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СВЕРНЕН | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh331jk-datasheets-5882.pdf | 4-LCC (J-вывод) | Светоотражающий | 10 недель | 300 нс, 150 нс | Фототранзистор | 30 мА | 35В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ606С | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb607a-datasheets-5398.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 1,7 В | Без свинца | 12 недель | 4 | 75мВт | 1 | 20 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 935 нм | 30 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ704GWZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb703wz-datasheets-5004.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | 40 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,149 (3,8 мм) | 2В | 2В | 30 В | 30 В | 6мА | 40 мА | 890 нм | 30 В | 6мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS9520D | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs9520d-datasheets-5788.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | неизвестный | 20 мкс | Фотодиод | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 60 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ70ФВЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb703wz-datasheets-5004.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 40 мА | 1,7 В | Транзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 40 мА | 640 нм | 30 В | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИТР8307/Л24 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Светоотражающий | 15 недель | 8541.40.80.00 | 20 мкс, 20 мкс | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 0,039 (1 мм) | 5В | 30 В | 30 В | 50 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С60 | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 5 (48 часов) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | /files/sharp-gp2s60-datasheets-6466.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 3,2 мм | 20 мА | 1,25 мм | 3,2 мм | Без свинца | 16 недель | Неизвестный | 4 | Золото | Нет | 1 | 100мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 35В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 0,028 (0,7 мм) | 6В | 35В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 6В | 930 нм | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ITR8307 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/everlight-itr8307-datasheets-6471.pdf | 4-SMD, плоские выводы | Светоотражающий | Без свинца | 15 недель | 4 | да | Нет | 1 | 75мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | Другая оптоэлектроника | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 20 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,039 (1 мм) | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 50 мА | 940 нм |
