Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSharp Microelectronics (4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Эксплуатационный ток снабжения | Ток - поставка | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Метод зондирования | Длина | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Форма | Количество терминаций | Время выполнения завода | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Толщина | Ориентация | Дополнительная функция | Контакт | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Напряжение - вход (макс) | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Приложения | Полярность | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Точность | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Время ответа | Входной смещение ток | Количество элементов | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Мин входное напряжение | Мин выходной напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Отметное напряжение | Вперед | Впередное напряжение | Вывод типа | Оптоэлектронный тип устройства | Время подъема | Время падения (тип) | Конфигурация | Приложение | Количество выходов | Ширина тела | Тип завершения | Крыжительный ток | Чувствительное расстояние | Измерение диапазона-макс | Измерение диапазона мин | Датчики/преобразователи тип | Выходной диапазон | Выходная конфигурация | Выходное напряжение 1 | Обратное напряжение разбивки | Обратное напряжение | Справочное напряжение | Напряжение разбивки излучателя коллекционера | Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) | Макс Коллекторный ток | Current - DC Forward (if) (max) | Длина волны | Размер | Инфракрасный диапазон | Напряжение - выход (макс) | Текущий - покоящий (IQ) | Функции управления | Ток - выход | Напряжение - выход (мин/фиксирован) | Количество регуляторов | Особенности защиты | Отступие напряжения (макс) | PSRR | Обнаружение близости | BPF Центральная частота |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PQ015yz01zzh | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -25 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -25 ° C. | ROHS COMPARINT | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq015yz5mzph-datasheets-8379.pdf | До 252-6, dpak (5 свинцов + вкладка) | Свободно привести | 63 | 3,7 В. | 3,7 В. | 8 Вт | SC-63 | 1,7 В. | 1,5 В. | Регулируемый | 1 | Положительный | 1,03 В. | 1,5 В. | 1A | 1V | 1 | Над током, выше температуры | 65 дБ ~ 60 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ15RW21J00H | Островая микроэлектроника | $ 5,37 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -20 ° C ~ 80 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | 80 ° C. | -20 ° C. | ROHS COMPARINT | 1999 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq15rw11-datasheets-3001.pdf | До 220-4 | Свободно привести | 20 В | 35 В | 18w | До 220-4 | 4,5 В. | 15 В | 500 мВ | Регулируемый | 1 | Положительный | 1.275V | 15 В | 8 мА | 2A | 3В | 1 | Над током, выше температуры | 0,5 В @ 2a | 55 дБ (120 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ07vr5mazzh | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -20 ° C ~ 80 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq07vr5mazz-datasheets-8746.pdf | До 252-6, dpak (5 свинцов + вкладка) | Свободно привести | 63 | 10 В | 8 Вт | 3,4 В. | 7 В | 500 мВ | Регулируемый | Положительный | 1,27 В. | 5 мА | Перезагрузить | 500 мА | 1,5 В. | 1 | Над током, выше температуры | 60 дБ (120 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ1R23J0000H | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 80 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq1r30-datasheets-2807.pdf | SOT-23L-6 | Свободно привести | 16 В | 400 МВт | 170 мкА | 2,3 В. | 290 МВ | Зафиксированный | Положительный | 350 мкА | Давать возможность | 150 мА | 1 | Над током, выше температуры | 0,4 В при 150 мА | 55 дБ (400 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ1R33J0000H | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 80 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 80 ° C. | -30 ° C. | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-pq1r30-datasheets-2807.pdf&product=sharpmicroelectronics-pq1r33j0000h-5539068 | SOT-23L-6 | Свободно привести | 6 | Нет | 16 В | 16 В | Положительный | 400 МВт | 170 мкА | SOT-23L-6 | 150 мА | 3,3 В. | 290 МВ | Зафиксированный | 1 | 350 мкА | Положительный | 350 мкА | Давать возможность | 150 мА | 3,3 В. | 1 | Над током, выше температуры | 0,4 В при 150 мА | 55 дБ (400 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pq012fz5mzzh | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Трубка | Непригодный | 125 ° C. | 0 ° C. | 3,05 мм | ROHS COMPARINT | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq010fz01zzh-datasheets-5612.pdf | До 252-6 | 5,5 мм | Свободно привести | 5 | 63 | 1 | 3,7 В. | E2 | Жестяная медь | Положительный | 8 Вт | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 260 | 10 | Не квалифицирован | R-PSSO-G5 | 1,7 В. | 1,2 В. | 500 мА | Зафиксированный | 1 | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ025EH02ZRH | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Трубка | Непригодный | 85 ° C. | -40 ° C. | 4 мм | ROHS COMPARINT | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq018eh02zzh-datasheets-7969.pdf | До 263 | 8,4 мм | Свободно привести | 5 | неизвестный | 1 | 10 В | E2 | Жестяная медь | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 260 | 10 | 1MA | Не квалифицирован | R-PSSO-G5 | 3В | 2,5 В. | 2A | Зафиксированный | 1 | 2,5 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQ20WZ5UJ00H | Островая микроэлектроника | $ 7,29 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -20 ° C ~ 80 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 80 ° C. | -20 ° C. | ROHS COMPARINT | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pq20wz51j00h-datasheets-5600.pdf | До 252-6, dpak (5 свинцов + вкладка) | Свободно привести | 17 недель | Нет | 24 В | 24 В | Положительный | 8 Вт | 2,5 % | SC-63 | 500 мА | 3,5 В. | 20 В | 500 мВ | Регулируемый | 1 | 8 мА | Положительный | 2.706V | 20 В | 8 мА | Давать возможность | 500 мА | 3В | 1 | Над током, выше температуры | 0,5 В @ 300 мА | 60 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2S40J0000F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -25 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 1997 | /files/sharpmicroelectronics gp2s40j0000f-datasheets-6213.pdf | Крепление печатной платы | Отражающий | Свободно привести | 4 | 5 В. | Медь, олова | неизвестный | E2 | Олово/медь (sn/cu) | 100 МВт | 50 мкс, 50 мкс | 1 | 20 мА | 20 мА | 1,2 В. | Фототранзистор | 50 мкс | 50 мкс | 3 мм | Припаяна | 0,138 (3,5 мм) | 3 мм | 3 мм | Линейный датчик положения, фотоэлектрический, диффузный | 0,50-3MA | 6 В | 6 В | 35 В | 35 В | 20 мА | 50 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA1A1S204WP | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Окружающий | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C. | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2012 | 4-SMD, нет лидерства | 2,5 В. | 3,2 В. | 2,3 В. | 4 | 150 мкА | 2,3 В ~ 3,2 В. | SMD | 1MA | Текущий | 150 мкс | 150 мкс | 555 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1FA512TZ | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 13ma | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1fa512rz-datasheets-9099.pdf | 12 мм | 12 мм | Содержит свинец | 19 мм | неизвестный | Цифровой аудио | 4,75 В ~ 5,25 В. | 13,2 Мбит / с | Оптоэлектронное устройство | 660 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1fav30tk0f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Внедрить | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -20 ° C. | 13ma | 13ma | ROHS COMPARINT | 2007 | /files/sharpmicroelectronics-gp1fav30tk0f-datasheets-4973.pdf | 3В | 3 | Цифровой аудио | 2,7 В ~ 3,6 В. | 15,5 Мбит / с | 660 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1FSV51TKMF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um261xk | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 500 мкА | 500 мкА | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1um277xk-datasheets-4971.pdf | 8,8 мм | Содержит свинец | Верхний вид | 4,5 В ~ 5,5 В. | 10,5 м | 38,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE28YK | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 600 мкА | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 16,1 мм | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 3 | Верхний вид | неизвестный | 1 | 2,4 В ~ 3,6 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 4,2 мм | ДА | 40,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE28XK00F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 17,8 мм | 3,6 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Верхний вид | Нет | 1 | 400 мкА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 2,4 В ~ 3,6 В. | 1,9 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 4,2 мм | ДА | 40,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE281XK | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 600 мкА | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 17,8 мм | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 3 | Верхний вид | неизвестный | 1 | 2,4 В ~ 3,6 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 4,2 мм | ДА | 38,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE277XK0F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 13,8 мм | 3,6 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Верхний вид | Нет | 1 | 400 мкА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 2,4 В ~ 3,6 В. | 1,9 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 4,2 мм | ДА | 56,8 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ux51qs | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2006 | /files/sharpmicroelectronics gp1ux510qs-datasheets-5313.pdf | 5,5 В. | Свободно привести | 3 | Вид сбоку | Нет | 600 мкА | 4,5 В ~ 5,5 В. | 4 В | 8 м | 40,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE26XK00F | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 8,6 мм | 3,6 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Верхний вид | Нет | 1 | 400 мкА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 2,4 В ~ 3,6 В. | 1,9 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10 м | 4,2 мм | ДА | 40,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE281RKVF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 400 мкА | 400 мкА | ROHS COMPARINT | 2006 | /files/sharp-gp1ue281rkvf-datasheets-7456.pdf | 17,8 мм | 5,5 В. | Свободно привести | 15 недель | 3 | Верхний вид | Нет | 270 мкА | 2,7 В ~ 5,5 В. | 2,2 В. | 8 м | 38,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um281yk0f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 1,5 мА | ROHS COMPARINT | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1um277xk-datasheets-4971.pdf | 16,1 мм | 5,5 В. | Свободно привести | КРУГЛЫЙ | 3 | Верхний вид | Нет | 1 | 950 мкА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 4,5 В ~ 5,5 В. | 4 В | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 10,5 м | ДА | 38,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1ud262xk | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 200 мкА | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ud281yk-datasheets-4987.pdf | 8,8 мм | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | Верхний вид | неизвестный | 1 | 2,7 В ~ 5,5 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 5 м | 3,8 мм | ДА | 36,7 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE287YKVF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 400 мкА | ROHS COMPARINT | Верхний вид | 10 м | 56,8 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um291qk0f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 500 мкА | 500 мкА | ROHS COMPARINT | 2002 | 5,5 В. | 3 | Верхний вид | Нет | 950 мкА | 4,5 В ~ 5,5 В. | 4 В | 8,5 м | 38,0 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1uf311xp0f | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85 ° C. | -30 ° C. | 270 мкА | 270 мкА | ROHS COMPARINT | /files/sharp-gp1uf311xp0f-datasheets-8689.pdf | 5,5 В. | 15 недель | 7 | Верхний вид | Нет | 2,7 В ~ 5,5 В. | 5 мм | 38,0 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um262xkvf | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 600 мкА | 2006 | /files/sharpmicroelectronics-gp1um26xk0vf-datasheets-1444.pdf | Верхний вид | 4,5 В ~ 5,5 В. | 10,5 м | 36,7 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gp1um292qkvf | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 600 мкА | 2006 | Вид сбоку | 4,5 В ~ 5,5 В. | 8,5 м | 36,7 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE272RKVF | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -10 ° C ~ 70 ° C TA | Масса | 1 (неограниченный) | 270 мкА | ROHS COMPARINT | /files/sharpmicroelectronics gp1ue280qkvf-datasheets-1559.pdf | КРУГЛЫЙ | Верхний вид | 1 | 2,7 В ~ 5,5 В. | Логический выходной фото IC | СЛОЖНЫЙ | Дистанционное управление | 6 м | ДА | 36,7 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1UE27XK | Островая микроэлектроника | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | -10 ° C. | 600 мкА | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/sharpmicroelectronics-gp1ue28yk-datasheets-5210.pdf | 13,8 мм | Содержит свинец | 3 | Верхний вид | 10 м |
