Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Напряжение - номинальное | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Коэффициент шума | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Приложение | Технология полевых транзисторов | Скорость | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Частота перехода | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Коэффициент шума (дБ, тип @ f) | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMR2U-06 TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmr2u04tr13pbfree-datasheets-1840.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 46 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | 100 нс | Стандартный | 50А | 1 | 2А | 28пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 2 А | 2А | -60°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMR1-06 TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr102tr13pbfree-datasheets-1619.pdf | ДО-214АА, СМБ | 16 недель | EAR99 | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | ДА | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600В | Стандартный | 30А | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦФШ-4 ТР ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cfsh4trpbfree-datasheets-9999.pdf | СОД-882 | 20 недель | ДА | 125°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 40В | 5нс | Шоттки | 0,6А | 0,2 А | 5 пФ @ 0 В 1 МГц | 40В | 200 нА при 30 В | 1 В при 40 мА | 200 мА | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5061 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5060trpbfree-datasheets-4620.pdf | СОД-88А, Осевой | 12 недель | НЕТ | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600В | Стандартный | 40А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,2 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSHD10-45L TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cshd1045ltr13pbfree-datasheets-6570.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 22 недели | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45В | Шоттки | 200А | 10А | 45В | 100 мкА при 45 В | 750 мВ при 10 А | 10А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4454 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4454trpbfree-datasheets-6234.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 4нс | Стандартный | 2пФ @ 0В 1МГц | 75В | 100 нА при 50 В | 1 В @ 10 мА | 150 мА | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMR3U-01 БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr3u01tr13pbfree-datasheets-3567.pdf | ДО-214АБ, СМК | 12 недель | совместимый | ДА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100В | 50 нс | Стандартный | 150А | 3А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 3 А | 3А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМР1Ф-02М БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr1f06mtr13pbfree-datasheets-0807.pdf | ДО-214АС, СМА | 26 недель | совместимый | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200В | 150 нс | Стандартный | 30А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМР1-04М БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr106mtr13pbfree-datasheets-0787.pdf | ДО-214АС, СМА | 26 недель | совместимый | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400В | Стандартный | 30А | 1А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMR1-04 БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr102tr13pbfree-datasheets-1619.pdf | ДО-214АА, СМБ | 26 недель | совместимый | ДА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400В | Стандартный | 30А | 1А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMR3-10 БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr310tr13pbfree-datasheets-9558.pdf | ДО-214АБ, СМК | 12 недель | совместимый | ДА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1000В | Стандартный | 200А | 3А | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМР1У-02М БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr1u01mtr13pbfree-datasheets-6776.pdf | ДО-214АС, СМА | 16 недель | совместимый | ДА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200В | 35 нс | Стандартный | 30А | 1А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4005GL БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 2016 год | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4003GL ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4864 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4864bk-datasheets-6547.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 80В | ДО-35 | 9нс | Стандартный | 0,2 А | 80В | 100 нА при 80 В | 1,1 В @ 100 мА | 200 мА | -65°К~200°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4004 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4007tr-datasheets-9053.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.10.00.80 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 2 | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | Стандартный | 30А | 1А | 400В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5F-010 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5f120bk-datasheets-6707.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 150 нс | Стандартный | 125А | 1 | 5А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,3 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н485Б БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n485btr-datasheets-6699.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | да | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.70 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 200В | ДО-35 | Стандартный | 0,2 А | 200В | 25 нА при 200 В | 1 В при 100 мА | 200 мА | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHD4150 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhd4150tr-datasheets-8823.pdf | СОД-123 | 10 недель | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.70 | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50В | 4нс | Стандартный | 4А | 0,25 А | 4пФ @ 0В 1МГц | 50В | 100 нА при 50 В | 1 В @ 200 мА | 250 мА | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-020 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 50пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR3-020ГПП ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | Стандартный | 200А | 1 | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR8U-08FP | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr8u04fp-datasheets-2619.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 800В | 90 нс | Стандартный | 125А | 1 | 8А | 50пФ @ 4В 1МГц | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,5 В при 8 А | 8А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CPD93V-1N4150-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cpd93v1n4150wn-datasheets-4400.pdf | умереть | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 6нс | Стандартный | 2,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 50В | 100 нА при 50 В | 1 В @ 200 мА | 200 мА | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFY90 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bfy90pbfree-datasheets-3861.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 23 дБ | 200мВт | 15 В | 25 мА | НПН | 20 @ 25 мА 1 В | 5,5 дБ при 800 МГц | 1,4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPTH10 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmpth10tr-datasheets-7231.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 650 МГц | 25В | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 650 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP618-CM5583-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | умереть | умереть | 30В | 500 мА | ПНП | 25 @ 100 мА 2 В | 1,3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3866 ЛОТОК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 10 дБ | ТО-39 | 5 Вт | 30В | 400 мА | НПН | 10 @ 50 мА 5 В | 500 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5033 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 20 В | 1 кГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-pn5033-datasheets-9625.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 8 недель | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 125°С | Малый сигнал общего назначения на полевом транзисторе | 2 дБ | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | P-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MD7003B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-md2905-datasheets-8618.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПНП | 200 МГц | 40В | 50 мА | 2 ПНП (двойной) | 40 @ 100 мкА 10 В | 200 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKT5088 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkt5088trpbfree-datasheets-0792.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 50 МГц | 30В | 50 мА | 50нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 300 @ 100 мкА 5 В | 50 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА |
