ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Напряжение изоляции Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Обратное время восстановления Время восстановления Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXTA200N055T2-TRL IXTA200N055T2-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 55В 360 Вт Тс N-канал 6970пФ при 25В 4,2 мОм при 50 А, 10 В 4 В при 250 мкА 200А Тс 109 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA4N65X2 ИКСТА4N65X2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta8n65x2-datasheets-2725.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 15 недель EAR99 не_совместимо НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 650В 80 Вт Тс N-канал 455пФ при 25В 850 мОм при 2 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 4А Тк 8,3 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFX55N50F IXFX55N50F ИКСИС $3,26
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerRF™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx55n50f-datasheets-6230.pdf 500В 55А ТО-247-3 Без свинца 3 10 недель 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 560 Вт 1 Не квалифицирован 20нс 9,6 нс 45 нс 55А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 560 Вт Тс 220А 0,0085Ом 500В N-канал 6700пФ при 25 В 85 мОм при 27,5 А, 10 В 5,5 В @ 8 мА 55А Тс 195 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTV22N50P IXTV22N50P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq22n50p-datasheets-2023.pdf 500В 22А ТО-220-3, короткая вкладка Без свинца 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 350 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 27нс 21 нс 75 нс 22А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 350 Вт Тс 50А 0,27 Ом 750 мДж 500В N-канал 2630пФ при 25В 270 мОм при 11 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 22А Тк 50 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFC26N50P IXFC26N50P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc26n50p-datasheets-5861.pdf 500В 26А ISOPLUS220™ Без свинца 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 130 Вт 1 Не квалифицирован 25нс 20 нс 58 нс 15А 30 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 130 Вт Тс 78А 0,26 Ом 1000 мДж 500В N-канал 3600пФ при 25В 260 мОм при 13 А, 10 В 5,5 В @ 4 мА 15А Тс 65 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV22N60P IXFV22N60P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh22n60p-datasheets-3796.pdf 600В 22А ТО-220-3, короткая вкладка Без свинца 3 350МОм 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Не квалифицирован 20нс 23 нс 60 нс 22А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс 66А 1000 мДж 600В N-канал 3600пФ при 25В 350 мОм при 11 А, 10 В 5,5 В @ 4 мА 22А Тк 58 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFC22N60P IXFC22N60P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc22n60p-datasheets-5996.pdf 600В 22А ISOPLUS220™ Без свинца 3 3 да ПРИЗНАН UL, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 130 Вт 1 Не квалифицирован 20нс 23 нс 60 нс 12А 30 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 130 Вт Тс 66А 1000 мДж 600В N-канал 4000пФ при 25В 360 мОм при 11 А, 10 В 5 В при 4 мА 12А Тс 58 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV14N80P IXFV14N80P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft14n80p-datasheets-3875.pdf ТО-220-3, короткая вкладка 3 220 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 62 нс 14А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс 0,72 Ом 500 мДж 800В N-канал 3900пФ при 25В 720 м Ом при 500 мА, 10 В 5,5 В @ 4 мА 14А Тс 61 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA160N075T ИКСТА160N075T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n075t-datasheets-7442.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 360 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 64нс 60 нс 60 нс 160А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 360 Вт Тс 430А 0,006Ом 750 мДж 75В N-канал 4950пФ при 25 В 6 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 250 мкА 160А Тс 112 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFV74N20P IXFV74N20P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh74n20p-datasheets-3542.pdf ТО-220-3, короткая вкладка 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 480 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 21нс 21 нс 60 нс 74А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 480 Вт Тс 200А 1000 мДж 200В N-канал 3300пФ при 25В 34 мОм при 37 А, 10 В 5 В при 4 мА 74А Тк 107 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA220N055T7 ИКСТА220N055T7 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta220n055t7-datasheets-7522.pdf ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB 6 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Г6 62нс 53 нс 53 нс 220А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 430 Вт Тс 600А 0,004 Ом 1000 мДж 55В N-канал 7200пФ при 25В 4 м Ом при 25 А, 10 В 4 В при 250 мкА 220А Тс 158 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTF230N085T IXTF230N085T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtf230n085t-datasheets-7556.pdf i4-Pac™-5 5 5 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 5 Одинокий НЕ УКАЗАН 200 Вт 1 Не квалифицирован 49нс 39 нс 56 нс 130А КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200 Вт Тс 0,0049Ом 85В N-канал 9900пФ при 25 В 5,3 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мА 130А Тс 187 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP160N075T IXTP160N075T ИКСИС $6,32
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n075t-datasheets-7442.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 да EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) 3 Одинокий 360 Вт 1 Р-ПСФМ-Т3 64нс 60 нс 60 нс 160А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 360 Вт Тс ТО-220АБ 430А 0,006Ом 750 мДж 75В N-канал 4950пФ при 25 В 6 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 250 мкА 160А Тс 112 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP200N075T IXTP200N075T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta200n075t-datasheets-7507.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 57нс 52 нс 54 нс 200А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 430 Вт Тс ТО-220АБ 540А 0,005 Ом 750 мДж 75В N-канал 6800пФ при 25В 5 м Ом при 25 А, 10 В 4 В при 250 мкА 200А Тс 160 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTQ200N075T IXTQ200N075T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth200n075t-datasheets-7639.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Не квалифицирован 57нс 52 нс 54 нс 200А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 430 Вт Тс 540А 0,005 Ом 750 мДж 75В N-канал 6800пФ при 25В 5 м Ом при 25 А, 10 В 4 В при 250 мкА 200А Тс 160 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP70N085T IXTP70N085T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta70n085t-datasheets-7511.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 176 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 72нс 40 нс 40 нс 70А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 176 Вт Тс ТО-220АБ 190А 0,0135Ом 500 мДж 85В N-канал 2570пФ при 25В 13,5 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 50 мкА 70А Тс 59 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFT12N100Q IXFT12N100Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh12n100q-datasheets-0603.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА Без свинца 2 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 23нс 15 нс 40 нс 12А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 300 Вт Тс 48А 1кВ N-канал 2900пФ при 25В 1,05 Ом при 6 А, 10 В 5,5 В @ 4 мА 12А Тс 90 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFN24N100 IXFN24N100 ИКСИС $41,98
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Крепление на шасси, панель, винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка Непригодный Винт МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn24n100-datasheets-5306.pdf 1кВ 24А СОТ-227-4, миниБЛОК 38,23 мм 9,6 мм 25,42 мм Без свинца 4 4 недели 40 г Нет СВХК 390мОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL Нет Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 Одинокий 600 Вт 1 Мощность FET общего назначения Р-ПУФМ-X4 2,5 кВ 35 нс 35 нс 21 нс 75 нс 24А 20 В 1кВ КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 5,5 В 568 Вт Тс 250 нс 250 нс 96А 1кВ N-канал 8700пФ при 25 В 5,5 В 390 мОм при 12 А, 10 В 5,5 В @ 8 мА 24А Тк 267 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFE180N20 IXFE180N20 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Крепление на шасси Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe180n20-datasheets-8464.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК 4 4 да EAR99 ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован 85нс 36 нс 180 нс 158А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс 720А 0,012 Ом 200В N-канал 14400пФ при 25В 12 м Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 8 мА 158А Тс 380 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH150N17T IXFH150N17T ИКСИС 4,90 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчHV™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh150n17t-datasheets-8516.pdf ТО-247-3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 830мВт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 30 нс 30 нс 150А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 830 Вт Тс ТО-247АД 400А 0,012 Ом 1500 мДж 175В N-канал 9800пФ при 25В 12 мОм при 75 А, 10 В 5 В при 3 мА 150А Тс 155 нК при 10 В 10 В
IXFN180N07 IXFN180N07 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Крепление на шасси Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn180n07-datasheets-8616.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК 4 4 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 520 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 60нс 60 нс 100 нс 180А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 520 Вт Тс 600А 0,007Ом 2000 мДж 70В N-канал 9000пФ при 25В 7 мОм при 500 мА, 10 В 4 В @ 8 мА 180А Тс 480 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR55N50 IXFR55N50 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°C~150°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr50n50-datasheets-7374.pdf ISOPLUS247™ Без свинца 3 90МОм 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 3 Одинокий 400 Вт 1 Мощность FET общего назначения 60нс 45 нс 120 нс 48А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400 Вт Тс 220А 500В N-канал 9400пФ при 25 В 90 мОм при 27,5 А, 10 В 4,5 В @ 8 мА 48А ТЦ 330 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR80N10Q IXFR80N10Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n10q-datasheets-8688.pdf ISOPLUS247™ 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 310 Вт 1 Не квалифицирован 70нс 30 нс 68 нс 76А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 310 Вт Тс 0,015 Ом 1500 мДж 100 В N-канал 4500пФ при 25В 15 мОм при 76 А, 10 В 76А Тк 180 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR80N15Q IXFR80N15Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n15q-datasheets-8713.pdf ISOPLUS247™ 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 310 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 55нс 20 нс 68 нс 75А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 310 Вт Тс 0,0225Ом 1500 мДж 150 В N-канал 4600пФ при 25В 22,5 мОм при 40 А, 10 В 4 В @ 4 мА 75А Тс 180 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR80N20Q IXFR80N20Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n20q-datasheets-9024.pdf ISOPLUS247™ 3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 310 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 50 нс 20 нс 75 нс 71А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 310 Вт Тс 80А 0,028 Ом 1500 мДж 200В N-канал 4600пФ при 25В 28 мОм при 80 А, 10 В 4 В @ 4 мА 71А Тк 180 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTV110N25TS IXTV110N25TS ИКСИС $52,66
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv110n25ts-datasheets-0994.pdf ПЛЮС-220СМД Без свинца 2 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 694 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПСИП-Т2 27нс 27 нс 60 нс 110А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 694 Вт Тс 0,024 Ом 1000 мДж 250 В N-канал 9400пФ при 25 В 24 мОм при 55 А, 10 В 4,5 В @ 1 мА 110А Тс 157 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH20N60Q IXFH20N60Q ИКСИС $16,79
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft20n60q-datasheets-7472.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 350мОм 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет 3 Одинокий 300 Вт 1 Мощность FET общего назначения 20нс 20 нс 45 нс 20А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 300 Вт Тс ТО-247АД 80А 600В N-канал 3300пФ при 25В 350 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 20А Тс 90 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFI7N80P IXFI7N80P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp7n80p-datasheets-9747.pdf ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 200 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСИП-Т3 32нс 24 нс 55 нс 30 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200 Вт Тс ТО-263 18А 300 мДж 800В N-канал 1890пФ при 25В 1,44 Ом при 3,5 А, 10 В 5 В при 1 мА 7А Тк 32 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV18N90PS IXFV18N90PS ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarP2™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh18n90p-datasheets-7103.pdf ПЛЮС-220СМД 2 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 540 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 18А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 540 Вт Тс 36А 0,6 Ом 800 мДж 900В N-канал 5230пФ при 25 В 600 мОм при 500 мА, 10 В 6,5 В при 1 мА 18А Тк 97 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFN64N50PD3 IXFN64N50PD3 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Крепление на шасси Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn64n50pd3-datasheets-8511.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК 4 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПУФМ-X4 52А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 625 Вт Тс 50А 200А 0,085Ом 2500 мДж N-канал 11000пФ при 25В 85 мОм при 32 А, 10 В 5 В @ 8 мА 50А Тс 186 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.