Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFH24N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa24n60x-datasheets-0324.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 24А | 600В | 400 Вт Тс | N-канал | 1910пФ при 25В | 175 мОм при 12 А, 10 В | 4,5 В @ 2,5 мА | 24А Тк | 47 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH102N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth102n20t-datasheets-0598.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 750 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 26нс | 25 нс | 50 нс | 102А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 750 Вт Тс | 250А | 1200 мДж | 200В | N-канал | 6800пФ при 25В | 23 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 102А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH13N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n100-datasheets-0650.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 33нс | 32 нс | 62 нс | 12,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 300 Вт Тс | 50А | 0,9 Ом | 1кВ | N-канал | 4000пФ при 25В | 900 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 12,5 А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT38N30L2HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | 300В | 400 Вт Тс | N-канал | 7200пФ при 25В | 100 мОм при 19 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 38А Тц | 260 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX73N30Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx73n30q-datasheets-0740.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 36нс | 12 нс | 82 нс | 73А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 292А | 0,045 Ом | 2500 мДж | 300В | N-канал | 5400пФ при 25В | 45 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 73А Тц | 195 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK150N30P3 | ИКСИС | $18,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk150n30p3-datasheets-3408.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 30 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Одинокий | 44 нс | 74 нс | 150А | 20 В | 300В | 5В | 1300 Вт Тс | N-канал | 12100пФ при 25 В | 19 мОм при 75 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 150А Тс | 197 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА24N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth24n65x2-datasheets-0403.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | совместимый | 650В | 390 Вт Тс | N-канал | 2060пФ при 25В | 145 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFL60N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl60n80p-datasheets-3500.pdf | ISOPLUS264™ | Без свинца | 3 | 26 недель | 150МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 Вт | 1 | Не квалифицирован | 29нс | 26 нс | 110 нс | 40А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 625 Вт Тс | 150А | 5000 мДж | 800В | N-канал | 18000пФ при 25В | 150 мОм при 30 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 40А Тс | 250 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX64N50Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ixys-ixfk64n50q3-datasheets-3727.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 36 нс | 250 нс | 46 нс | 64А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000 Вт Тс | 160А | 0,085Ом | 4000 мДж | 500В | N-канал | 6950пФ при 25В | 85 мОм при 32 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 64А Тк | 145 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX32N80Q3 | ИКСИС | $26,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n80q3-datasheets-3738.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 1кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 38 нс | 300 нс | 45 нс | 32А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000 Вт Тс | 80А | 0,27 Ом | 3000 мДж | 800В | N-канал | 6940пФ при 25 В | 270 мОм при 16 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 32А Тк | 140 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXTR210P10T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr210p10t-datasheets-0971.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | 195А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 595 Вт Тс | 158А | 800А | 0,008 Ом | 3000 мДж | P-канал | 69500пФ при 25В | 8 мОм при 105 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 195А Тс | 740 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTZ550N055T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | FRFET®, СупреМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtz550n055t2-datasheets-1002.pdf | DE475 | Без свинца | 6 | 18 недель | 1мОм | 475 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДФП-Ф6 | 550А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 600 Вт Тс | 1650А | 3000 мДж | N-канал | 40000пФ при 25В | 1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 550А Тс | 595 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN23N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn23n100-datasheets-1041.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 30 недель | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 568 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 35 нс | 21 нс | 75 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 600 Вт Тс | 92А | 390мОм | 3000 мДж | 1кВ | N-канал | 5 В @ 8 мА | 23А Тк | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE48N50QD3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/ixys-ixfe48n50qd3-datasheets-1077.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 22нс | 10 нс | 75 нс | 41А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 192А | 0,11 Ом | 2500 мДж | 500В | N-канал | 8000пФ при 25В | 110 мОм при 24 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 41А Тц | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB38N100Q2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb38n100q2-datasheets-1110.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | 250МОм | 264 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 890 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 25 нс | 28нс | 15 нс | 57 нс | 38А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 890 Вт Тс | 152А | 5000 мДж | 1кВ | N-канал | 13500пФ при 25В | 250 мОм при 19 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 38А Тц | 250 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| IXFN80N50Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси, панель, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn80n50q3-datasheets-1154.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,23 мм | 9,6 мм | 25,07 мм | 4 | 30 недель | 4 | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 780 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 30 нс | 250 нс | 43 нс | 63А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 780 Вт Тс | 0,065 Ом | 5000 мДж | 500В | N-канал | 10000пФ при 25В | 65 мОм при 40 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 63А Тк | 200 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK3N250L | ИКСИС | $64,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-264-3, ТО-264АА | 24 недели | совместимый | 2500В | 417 Вт Тс | N-канал | 5400пФ при 25В | 10 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 3А Тк | 230 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX44N80Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk44n80q3-datasheets-0999.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1,25 кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 45 нс | 300 нс | 63 нс | 44А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1250 Вт Тс | 130А | 0,19 Ом | 3500 мДж | 800В | N-канал | 9840пФ при 25 В | 190 мОм при 22 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 44А Тк | 185 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА1N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n80-datasheets-1682.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 19нс | 28 нс | 40 нс | 750 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40 Вт Тс | 0,75 А | 3А | 100 мДж | 800В | N-канал | 220пФ при 25В | 11 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 25 мкА | 750 мА Тс | 8,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU08N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 8А | 1000В | N-канал | 8А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY15P15T | ИКСИС | $3,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty15p15t-datasheets-2144.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 150 Вт Тс | 45А | 0,24 Ом | 300 мДж | P-канал | 3650пФ при 25В | 240 мОм при 7 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 15А Тс | 48 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA130N10T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 100 В | 360 Вт Тс | N-канал | 6600пФ при 25В | 10,1 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 130А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY10P15T | ИКСИС | $3,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp10p15t-datasheets-2123.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 10А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 83 Вт Тс | ТО-252АА | 30А | 0,35 Ом | 200 мДж | P-канал | 2210пФ при 25 В | 350 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA8N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | совместимый | 650В | 150 Вт Та | N-канал | 790пФ при 25 В | 450 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP130N10T | ИКСИС | $13,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa130n10t-datasheets-9422.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 130А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 360 Вт Тс | ТО-220АБ | 350А | 0,0091Ом | 750 мДж | N-канал | 5080пФ при 25В | 9,1 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 130А Тс | 104 нК при 10 В | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU5N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtu5n50p-datasheets-2981.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 89 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 26нс | 24 нс | 65 нс | 4,8А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 89 Вт Тс | ТО-251 | 5А | 10А | 250 мДж | 500В | N-канал | 620пФ при 25В | 1,4 Ом при 2,4 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 4,8 А Тс | 12,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP08N100P | ИКСИС | 2,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty08n100p-datasheets-5188.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 42 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 37нс | 34 нс | 35 нс | 800 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 42 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,8 А | 1,8 А | 80 мДж | 1кВ | N-канал | 240пФ при 25В | 20 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 50 мкА | 800 мА Тс | 11,3 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTA3N50D2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | 500В | 125 Вт Тс | N-канал | 1070пФ при 25В | 1,5 Ом при 1,5 А, 0 В | 4,5 В @ 250 мкА | 3А Тиджей | 40 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR40N50Q2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr40n50q2-datasheets-7894.pdf | 500В | 29А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 170МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 320 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 13нс | 8 нс | 42 нс | 29А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 320 Вт Тс | 160А | 2500 мДж | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 170 мОм при 20 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 29А Тц | 110 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTV22N50PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq22n50p-datasheets-2023.pdf | 500В | 22А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 21 нс | 75 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350 Вт Тс | 50А | 0,27 Ом | 750 мДж | 500В | N-канал | 2630пФ при 25В | 270 мОм при 11 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 22А Тк | 50 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
