Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTH16N10D2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt16n10d2-datasheets-5658.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 830 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 43нс | 70 нс | 340 нс | 16А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 830 Вт Тс | 0,064Ом | N-канал | 5700пФ при 25В | 64 мОм при 8 А, 0 В | 16А Тс | 225 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN44N100Q3 | ИКСИС | $53,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси, панель | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn44n100q3-datasheets-7206.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,23 мм | 9,6 мм | 25,07 мм | 4 | 30 недель | 4 | UL ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 960 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 48 нс | 300 нс | 66 нс | 38А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 960 Вт Тс | 110А | 0,22 Ом | 1кВ | N-канал | 13600пФ при 25В | 220 мОм при 22 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 38А Тц | 264 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММИКС1Ф132Н50П3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mmix1f132n50p3-datasheets-2252.pdf | 24-PowerSMD, 21 вывод | 25,25 мм | 5,7 мм | 23,25 мм | 30 недель | 24 | Одинокий | Мощность FET общего назначения | 42 нс | 90 нс | 63А | 40В | 500В | 520 Вт Тс | N-канал | 18600пФ при 25В | 43 мОм при 66 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 63А Тк | 250 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP15N50L2 | ИКСИС | $31,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp15n50l2-datasheets-1635.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 15А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 2,5 В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,48 Ом | 750 мДж | N-канал | 4080пФ при 25В | 2,5 В | 480 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 15А Тс | 123 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTU12N06T | ИКСИС | $5,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtu12n06t-datasheets-8277.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | 8 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 12А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 33 Вт Тк | 30А | 0,085Ом | 20 мДж | N-канал | 256пФ при 25В | 85 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 25 мкА | 12А Тс | 3,4 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY2N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty2n65x2-datasheets-9221.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2А | 650В | 55 Вт Тс | N-канал | 180пФ при 25В | 2,3 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 4,3 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP20N50P3M | ИКСИС | $4,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp20n50p3m-datasheets-2906.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 58 Вт Тс | ТО-220АБ | 8А | 40А | 0,3 Ом | 300 мДж | N-канал | 1800пФ при 25В | 300 мОм при 10 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 8А Тк | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH94N30P3 | ИКСИС | $10,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-ixfh94n30p3-datasheets-3561.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Одинокий | 1 | Мощность FET общего назначения | 23 нс | 49 нс | 94А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 5В | 1040 Вт Тс | ТО-247АД | 2500 мДж | N-канал | 5510пФ при 25 В | 36 мОм при 47 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 94А Тк | 102 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT60N20L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt60n20l2-datasheets-3662.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 60А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 200В | 200В | 540 Вт Тс | 150А | 0,045 Ом | 2000 мДж | N-канал | 10500пФ при 25В | 45 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 255 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN94N50P2 | ИКСИС | $26,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Шасси, Шпилька | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn94n50p2-datasheets-3736.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 30 недель | совместимый | 68А | 500В | 780 Вт Тс | N-канал | 13700пФ при 25В | 55 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 68А Тк | 220 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH22N60P | ИКСИС | $7,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixfh22n60p-datasheets-3796.pdf | 600В | 22А | ТО-247-3 | 25,96 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 150°С | 20 нс | 20нс | 23 нс | 60 нс | 22А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,5 В | 400 Вт Тс | ТО-247АД | 66А | 600В | N-канал | 3600пФ при 25В | 350 мОм при 11 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 22А Тк | 58 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| IXFX24N100Q3 | ИКСИС | $27,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk24n100q3-datasheets-1553.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 38 нс | 300 нс | 45 нс | 24А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000 Вт Тс | 60А | 0,44 Ом | 2000 мДж | 1кВ | N-канал | 7200пФ при 25В | 440 мОм при 12 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 24А Тк | 140 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV16N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh16n80p-datasheets-7014.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | 32нс | 29 нс | 75 нс | 16А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 0,6 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 4600пФ при 25В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 16А Тс | 71 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ30N60P | ИКСИС | $4,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n60p-datasheets-1373.pdf | 600В | 30А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 5050пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTT16P20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 16А | 200В | P-канал | 16А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT170N10P-TR | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | 100 В | 715 Вт Тс | N-канал | 6000пФ при 25В | 9 мОм при 85 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 170А Тс | 198 нК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ21N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 21А | 500В | N-канал | 21А Тц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTJ4N150 | ИКСИС | $9,10 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtj4n150-datasheets-4084.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | ОДИНОКИЙ | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 1500В | 110 Вт Тс | 12А | 6Ом | 350 мДж | N-канал | 1576пФ при 25 В | 6 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 44,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFJ20N85X | ИКСИС | 10,60 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfj20n85x-datasheets-4143.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 850В | 110 Вт Тс | N-канал | 1660пФ при 25В | 360 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 9,5 А Тс | 63 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK24N80P | ИКСИС | $60,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n80p-datasheets-4174.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 30 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 650 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 27нс | 24 нс | 75 нс | 24А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650 Вт Тс | 55А | 0,4 Ом | 1500 мДж | 800В | N-канал | 7200пФ при 25В | 400 мОм при 12 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 24А Тк | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX360N10T | ИКСИС | $11,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk360n10t-datasheets-7419.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 360А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 1250 Вт Тс | 900А | 0,0029Ом | 3000 мДж | N-канал | 33000пФ при 25В | 2,9 мОм при 100 А, 10 В | 5 В при 3 мА | 360А Тк | 525 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT18N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh18n90p-datasheets-7103.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 18А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 36А | 0,6 Ом | 800 мДж | 900В | N-канал | 5230пФ при 25 В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 18А Тк | 97 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH150N15P | ИКСИС | $7,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk150n15p-datasheets-4247.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 20 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 714 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 33нс | 28 нс | 100 нс | 150А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 714 Вт Тс | ТО-247АД | 340А | 0,013Ом | 2500 мДж | 150 В | N-канал | 5800пФ при 25 В | 13 м Ом при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 150А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFT24N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh24n50-datasheets-4823.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 33нс | 30 нс | 65 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 96А | 0,23 Ом | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 24А Тк | 160 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT75N20L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | Д2ПАК | 30 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX520N075T2 | ИКСИС | $13,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™, TrenchT2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk520n075t2-datasheets-5624.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | 3 | 1,25 кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | 520А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 1250 Вт Тс | 0,0022Ом | N-канал | 41000пФ при 25В | 2,2 мОм при 100 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 520А Тк | 545 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK102N30P | ИКСИС | $15,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk102n30p-datasheets-4426.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 20 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 700 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 28нс | 30 нс | 130 нс | 102А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700 Вт Тс | 250А | 0,033Ом | 2500 мДж | 300В | N-канал | 7500пФ при 25В | 33 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 102А Тс | 224 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT10N100D | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d-datasheets-4365.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 85нс | 75 нс | 110 нс | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 400 Вт Тс | 20А | 1кВ | N-канал | 2500пФ при 25В | 1,4 Ом при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 130 нК при 10 В | Режим истощения | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT72N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth72n20-datasheets-4294.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 20 нс | 80 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 288А | 0,033Ом | 1500 мДж | 200В | N-канал | 4400пФ при 25В | 33 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 72А Тк | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH67N10 | ИКСИС | $82,50 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh67n10-datasheets-7587.pdf | 100 В | 67А | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 60нс | 60 нс | 80 нс | 67А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 268А | 0,025 Ом | 100 В | N-канал | 4500пФ при 25В | 25 мОм при 33,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 67А Тк | 260 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
