Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFK44N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk44n50-datasheets-7596.pdf | 500В | 44А | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 60нс | 30 нс | 100 нс | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,12 Ом | 500В | N-канал | 8400пФ при 25В | 120 мОм при 22 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 44А Тк | 270 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА102N15T | ИКСИС | $4,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta102n15t-datasheets-9411.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 22 нс | 25 нс | 102А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 455 Вт Тс | 300А | 0,018Ом | 750 мДж | 150 В | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH74N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 74А | 150 В | N-канал | 74А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA16N50P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp16n50p3-datasheets-3145.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 30 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 330 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | 0,36 Ом | 300 мДж | N-канал | 1515пФ при 25В | 360 мОм при 8 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 16А Тс | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA34N65X2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 650В | 540 Вт Тс | N-канал | 3230пФ при 25В | 100 мОм при 17 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 34А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA76N15T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, TrenchT2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp76n15t2-datasheets-5436.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 76А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 350 Вт Тс | ТО-263АА | 200А | 0,02 Ом | 500 мДж | N-канал | 5800пФ при 25 В | 20 мОм при 38 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 76А Тк | 97 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA44N25X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | совместимый | 250В | 240 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 25В | 40 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 44А Тк | 33 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH14N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n60p3-datasheets-0202.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 24 недели | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1 | Мощность FET общего назначения | 21 нс | 43 нс | 14А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 327 Вт Тс | ТО-247АД | 0,54 Ом | 700 мДж | N-канал | 1480пФ при 25В | 540 мОм при 7 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 14А Тс | 25 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP102N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixfa102n15t-datasheets-0109.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 102А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 455 Вт Тс | ТО-220АБ | 300А | 0,018Ом | 750 мДж | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA72N30X3-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 300В | 390 Вт Тс | N-канал | 5400пФ при 25В | 19 мОм при 36 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 72А Тк | 82 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP30N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp30n60x-datasheets-0441.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 30А | 600В | 500 Вт Тс | N-канал | 2270пФ при 25В | 155 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 30А Тс | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ26P20P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp26p20p-datasheets-1592.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 33нс | 21 нс | 46 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 300 Вт Тс | 70А | 0,17 Ом | 1500 мДж | -200В | P-канал | 2740пФ при 25В | 170 мОм при 13 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 26А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ72N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 72А | 300В | N-канал | 72А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH80N65X2-4 | ИКСИС | $14,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n65x24-datasheets-0591.pdf | ТО-247-4 | 19 недель | совместимый | 650В | 890 Вт Тс | N-канал | 8300пФ при 25 В | 38 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 80А Тс | 140 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR4N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr4n100q-datasheets-0626.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 36 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 80 Вт | 1 | Не квалифицирован | 15нс | 18 нс | 32 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 80 Вт Тс | 16А | 3Ом | 700 мДж | 1кВ | N-канал | 1050пФ при 25В | 3 Ом при 2 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 3,5 А Тс | 39 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX170P10P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx170p10p-datasheets-0670.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | 247 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 890 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 170А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 890 Вт Тс | 510А | 0,012 Ом | 3500 мДж | -100В | P-канал | 12600пФ при 25В | 12 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В при 1 мА | 170А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK550N055T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | FRFET®, СупреМОС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk550n055t2-datasheets-0709.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 28 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 200А | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 55В | 550А | 45 нс | 40 нс | 230 нс | 90 нс | 550А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1250 Вт Тс | 3000 мДж | N-канал | 40000пФ при 25В | 1,6 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 550А Тс | 595 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМД40-06КС | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fmd4006kc-datasheets-0754.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 32 недели | 5 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 5 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 280 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 30 нс | 10 нс | 110 нс | 38А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,07 Ом | 600В | N-канал | 70 мОм при 20 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 38А Тц | 250 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX20N120 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx20n120-datasheets-0789.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 6г | Нет СВХК | 750мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 780 Вт | 1 | 45нс | 20 нс | 75 нс | 20А | 30В | 1,2 кВ | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 4,5 В | 780 Вт Тс | 300 нс | 80А | 2000 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 7400пФ при 25В | 4,5 В | 750 м Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 20А Тс | 160 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМД47-06КС5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fmd4706kc5-datasheets-0824.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | 32 недели | 5 | да | ПРИЗНАН UL, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 47А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | N-канал | 6800пФ при 100В | 45 мОм при 44 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 47А ТЦ | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR27N80Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr27n80q-datasheets-0859.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | 28нс | 13 нс | 50 нс | 27А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 108А | 2500 мДж | 800В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 300 мОм при 13,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 27А ТЦ | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK48N60Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx48n60q3-datasheets-3687.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 3 | 30 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | 37 нс | 300 нс | 40 нс | 48А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000 Вт Тс | 120А | 0,14 Ом | 2000 мДж | 600В | N-канал | 7020пФ при 25В | 140 мОм при 24 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 48А ТЦ | 140 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR12N100Q | ИКСИС | 2,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr12n100q-datasheets-0945.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 23нс | 15 нс | 40 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 250 Вт Тс | 48А | 1кВ | N-канал | 2900пФ при 25В | 1,1 Ом при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 10А Тс | 90 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFL44N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl44n60-datasheets-0989.pdf | ISOPLUS264™ | 20,29 мм | 26,42 мм | 5,21 мм | 3 | 264 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 42 нс | 55нс | 45 нс | 110 нс | 41А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,13 Ом | 3000 мДж | 600В | N-канал | 8900пФ при 25 В | 130 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 41А Тц | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN40N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn40n90p-datasheets-1026.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 30 недель | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 695 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 33А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 695 Вт Тс | 80А | 900В | N-канал | 14000пФ при 25В | 210 мОм при 20 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 33А Тц | 230 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR30N110P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr30n110p-datasheets-1060.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 320 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 48нс | 52 нс | 83 нс | 16А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1100В | 320 Вт Тс | 75А | 0,4 Ом | 1500 мДж | 1,1 кВ | N-канал | 13600пФ при 25В | 400 мОм при 15 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 16А Тс | 235 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММИКС1Ф230Н20Т | ИКСИС | $42,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mmix1f230n20t-datasheets-1091.pdf | 24-PowerSMD, 21 вывод | 25,25 мм | 5,7 мм | 23,25 мм | 21 | 30 недель | 24 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 21 | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-G21 | 58 нс | 62 нс | 168А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 600 Вт Тс | 630А | 0,0083Ом | 3000 мДж | N-канал | 28000пФ при 25В | 8,3 мОм при 60 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 168А Тк | 378 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН21Н100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk21n100-datasheets-1027.pdf | 1кВ | 21А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | Нет СВХК | 550мОм | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 520 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 50 нс | 40 нс | 100 нс | 21А | 20 В | 1кВ | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 4,5 В | 520 Вт Тс | 84А | 1кВ | N-канал | 8400пФ при 25В | 4,5 В | 550 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 500 мкА | 21А Тц | 250 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK60N55Q2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx60n55q2-datasheets-0940.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | Без свинца | 3 | 88МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 735 Вт | 1 | Не квалифицирован | 22 нс | 14 нс | 9 нс | 57 нс | 60А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 735 Вт Тс | 240А | 4000 мДж | 550В | N-канал | 7300пФ при 25В | 88 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 60А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP2N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80-datasheets-9546.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 54 Вт | 1 | Не квалифицирован | 18нс | 15 нс | 30 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 54 Вт Тс | ТО-220АБ | 2А | 8А | 200 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6,2 Ом при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 22 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
