Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС64ЛВ25616АЛ-12БЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is64lv25616al12tla3tr-datasheets-3670.pdf | 48-ТФБГА | 10 мм | 8 мм | 48 | 12 недель | да | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,63 В | 3,135 В | 40 | 3,3 В | 0,12 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б48 | АЭК-Q100 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 12нс | 4194304 бит | 0,02 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV6416DBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $2,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 44 | 2,4 В~3,6 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP064A-RMLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 7нс | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 8MX8 | 8 | 800 мкс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ВВ1024БЛЛ-12ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 8 недель | 32 | 1 Мб | 1 | Нет | 45 мА | 3В~3,6В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV1288FBLL-45QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,05 мм | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,495 мм | 11,305 мм | 36 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,2 В | Р-ПДСО-Г36 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 45нс | 1048576 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32200М-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32200М-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ЭКЛЛ-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | да | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 33554432 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128BLL-55QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $12,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,445 мм | 3,3 В | 32 | 8 недель | Нет СВХК | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,8 В | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP256D-RHLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 8 недель | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 32MX8 | 8 | 800 мкс | 268435456 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Ф-7КТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС25636А-200ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 100 | 9 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 275 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 10 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,105А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-250Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Д-7ТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $22,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 160 мА | 54 | 8 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 160 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Д-7БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 160 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPD51236A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 18 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 475 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 40 | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,075А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416ALL-35TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 1,8 В | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | 48 | 2,2 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 35 нс | 16б | 35 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ451236А-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 10 | 1,5/1,81,8 В | 0,7 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,27 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49РЛ36160-107БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ЛБГА | 13,5 мм | 1,35 В | 168 | 14 недель | 168 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 933 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | 1,28 В~1,42 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 1 мм | 168 | 1,42 В | 1,28 В | 3мА | Не квалифицирован | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 23б | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ21М36А-333М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1,2 мА | Не квалифицирован | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 333 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | 0,29 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ24М18А-300Б4ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 450 пс | 300 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS204818B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $156,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 36 Мб | 2 | 1 | 360 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 10 | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 21б | СРАМ | Параллельно | 18 | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF204836B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 100 | 117 МГц | 3,135 В~3,465 В | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДП2Б42М36А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1,2 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А-500Б4Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1,2 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 500 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А-500М3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 12 недель | 165 | 72 Мб | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 1,2А | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 500 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 36 | 0,36 А | 36б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LF102436B-7.5TQLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 2,5/3,33,3 В | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | АЭК-Q100 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | 0,115А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВФ12832А-7.5ТКЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 2,5 В | 100 | 12 недель | 100 | 4 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,75 В | 2,375 В | 40 | 0,175 мА | 4Мб 128К х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 17б | СРАМ | Параллельно | 128КХ32 | 32 | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС25636А-200ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps25636a200tqitr-datasheets-9088.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102418B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | ПРОТОКОВЫЙ | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит |
