Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС6К4008А-55ТИН | Альянс Память, Инк. | $5,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4008a55stintr-datasheets-8279.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 3В | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m8d15tin-datasheets-5374.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | неизвестный | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M4SA-6TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m4sa7tcn-datasheets-5295.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 3В~3,6В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 256Мб 64М х 4 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U62256AS2K07LLG1 | Альянс Память, Инк. | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 2,54 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u62256adk07llg1-datasheets-3233.pdf | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 18,1 мм | 8,75 мм | 5В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1,27 мм | 28 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 70нс | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32098A-12TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32098a20tin-datasheets-0668.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 3,6 В | 3В | Параллельно | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 12нс | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D1-6TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d16tcn-datasheets-5024.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | неизвестный | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СА-7БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sa7bcn-datasheets-5325.pdf | 54-ТФБГА | 8 недель | да | неизвестный | 3В~3,6В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C1608-55ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c160855tin-datasheets-4957.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 48 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 55нс | 16777216 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К256Б-15ПИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c256b15pintr-datasheets-8720.pdf | 28-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4,5 В~5,5 В | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16S-7TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s7tcntr-datasheets-8887.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M32S-7BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4016А-55ЗИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4016a55bintr-datasheets-8780.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 0,8 мм | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 55нс | 4194304 бит | 0,000004А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U6264BS2K07LLG1 | Альянс Память, Инк. | 2,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 5В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 28 | 40 | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 13б | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 70нс | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32С-5ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 200 МГц | 11б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d312bin-datasheets-9749.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | Без свинца | 96 | 12 недель | 96 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3Л-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bcn-datasheets-9916.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | Без свинца | 96 | 96 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d312bin-datasheets-9749.pdf | 96-ТФБГА | 1,5 В | 12 недель | 96 | Параллельно | 4ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 96-ФБГА (9х13) | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d312bin-datasheets-2766.pdf | 78-ТФБГА | 1,5 В | Без свинца | 78 | Параллельно | 1 ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31025C-12TJINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025c12tintr-datasheets-7093.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 32 | Параллельно | 3В~3,6В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 12нс | СРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М16Д1-5ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15tcntr-datasheets-8862.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,625 В | 2,375 В | 40 | 400 Мбит/с | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 200 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT47H128M16PK-25E IT:CTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt47h128m16pk25eitc-datasheets-8470.pdf | 84-ТФБГА | 1 недели | 1,7 В~1,9 В | 84-ФБГА (9х12,5) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC4M32B2TG-6A ИТ:Л | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc4m32b2tg6al-datasheets-8490.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3LA-12BANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3la12bantr-datasheets-5159.pdf | 78-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3А-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12ban-datasheets-5133.pdf | 96-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3A-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12ban-datasheets-5241.pdf | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3LA-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16МД2-25БЦН | Альянс Память, Инк. | $6,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m32md225bcn-datasheets-5881.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | совместимый | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M32MS-7BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильная SDRAM | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 90-ВФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М16МД1-6БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16md16bintr-datasheets-3500.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К256Б-15ПИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c256b15pintr-datasheets-8720.pdf | 28-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 150 мА | 8 недель | 28 | да | неизвестный | 4,5 В~5,5 В | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 15нс |
