Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактFujitsu Electronics America, Inc.(526)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Пол | Количество контактов | Количество портов | Контактный материал | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Оценочный комплект | Приложения | Напряжение питания | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Количество битов | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Тип поставки | Частота (макс.) | Количество строк | Длина продукта (мм) | Высота продукта (мм) | Терминальное покрытие | Скорость | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Перезагрузить | Сбросить тайм-аут | Количество контролируемых напряжений | Содержание | Выход | Количество каналов ШИМ | Время доступа | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Используемая микросхема/деталь | Количество конвертеров | Напряжение – пороговое значение | Вход | ФАПЧ | Основной процессор | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Тип памяти программы | Размер ядра | Размер памяти программы | Возможности подключения | Конвертер данных | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход | Тип платы | Делитель/Множитель | Количество терминалов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ReRAM (резистивная ОЗУ) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85as4mtpfgbcere1-datasheets-7708.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 10 недель | 1,65 В~3,6 В | 8-СОП | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 5 МГц | БАРАН | СПИ | 17 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RC16PNF-G-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc16pnfgjne1-datasheets-4039.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 3,6 В | 2,7 В | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2,7 В~3,6 В | 8-СОП | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ФРАМ | I2C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS128BPNF-G-JNERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 33 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs128bpnfgjnere1-datasheets-4113.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | SPI, серийный | 2,7 В~3,6 В | 8-СОП | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 33 МГц | ФРАМ | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85R256GPF-G-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В~3,6 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | ФРАМ | Параллельно | 150 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB86276PB-GS-K5ZE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Видео, графический контроллер | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb86276pbgsk5ze1-datasheets-1953.pdf | 256-ББГА | 14 недель | Автомобильные системы | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB86R01PB-GSE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Джейд | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 6 (Время на этикетке) | 320 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/fujitsuelectronicsamemericainc-mb86r01pbgse1-datasheets-3946.pdf | 484-БГА | 8 недель | Нет СВХК | 484 | АЦП, ATA, CAN, EBI/EMI, I2C, I2S, Media LB, ШИМ, SD-карта, UART/USART, USB | Графический контроллер | 1,1 В~3,6 В | 32КБ | 24 | Внешняя память программ | РУКА | 64К х 8 | ARM9® | Внешняя память программ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB15E07SLPFV1-G-ER-6E1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Синтезатор тактовых импульсов/частот, прескалер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/fujitsuelectronicsamemericainc-mb15e07slpfv1ger6e1-datasheets-0643.pdf | 16-LSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 недель | 16 | 2,4 В~3,6 В | 1 | 2,5 ГГц | Часы | Да | 1:1 | Нет/Нет | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS64TPNF-G-JNERE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs64tpnfgjnere2-datasheets-0746.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 1,8 В~3,6 В | 8-СОП | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 10 МГц | ФРАМ | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB3773PF-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Монитор источника питания | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb3773pfere1-datasheets-4851.pdf | СОИК | Активный высокий/активный низкий | 50 мс | 1 | 4,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88152APNF-G-102-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | СОИК | 1 | 134 МГц | Кристалл | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88155PFT-G-110-XXE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | ЦСОП | 1 | 25 МГц | Кристалл | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB39A118AQN-G-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 85°С | -10°С | Соответствует RoHS | QFN | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB96F348HSCPMC-GSE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 125°С | -40°С | 56 МГц | Соответствует RoHS | ЛКФП | Нет СВХК | 5,5 В | 3В | 100 | МОЖЕТ, I2C, УСАРТ | Нет | 576КБ | 82 | ВСПЫШКА | ШИМ | 24 КБ | 16б | 56 МГц | Да | 7 | 82 | 750 мВт | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB39A132QN-G-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -30°С | Соответствует RoHS | QFN | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB95F203KPF-G-SNE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 85°С | -40°С | 16 МГц | Соответствует RoHS | СОИК | Без свинца | ЛИН, УАРТ, УАРТ | 8КБ | Внешний | 17 | ВСПЫШКА | НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCN-568H050-G/A4 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Компактная флэш-карта | М | 50 | 2 | 50,6 | 6,64 | Палладий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCN-245D036-Г/Ч | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SCSI | СКТ | 36 | 1 | Медный сплав | Золото | 43,51 | 9.4 | 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85R1001ANC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85r1001ancge1-datasheets-8682.pdf | 48-TFSOP (ширина 0,488, 12,40 мм) | Без свинца | 12 недель | Неизвестный | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 3В~3,6В | 48-ЦОП | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 150 нс | ФРАМ | Параллельно | 150 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RC04VPNF-G-JNERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc04vpnfgjnere1-datasheets-4026.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 3В~5,5В | 8-СОП | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ФРАМ | I2C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS2MTPF-G-JNERE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 40 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs2mtpfgjnere2-datasheets-4263.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 20 недель | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 1,8 В~3,6 В | 8-СОП | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 25 МГц | ФРАМ | СПИ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB3771PF-G-BND-JN-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | $3,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Монитор источника питания | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb3771pfgbndjnere1-datasheets-9987.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 недель | 8 | 8-СОП | Активный низкий | Минимум 500 мкс | 2 | Открытый дренаж или открытый коллектор | 4,2 В регулировка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB90F387SPMT-GSE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | F2MC MB90385 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | 105°С | -40°С | 16 МГц | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb90f387spmtgse1-datasheets-1244.pdf | 48-LQFP | 8 недель | CAN, SCI, UART, USART | 48-ЛКФП (7х7) | 64КБ | Внешний | 36 | ВСПЫШКА | ПОР, ВДТ | 2К х 8 | 16 МГц | F2MC-16LX | 3,5 В~5,5 В | ВСПЫШКА | 16-битный | 64 КБ 64 КБ x 8 | CANbus, SCI, UART/USART | А/Д 8x8/10b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ2146-450-Е | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 8-битный микроконтроллер | F2MC-8FX | Зафиксированный | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8 недель | Да | Плата(ы), кабель(и), адаптер-программатор фоновой музыки | МБ95Ф310 | Оценочная платформа | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88154APNF-G-102-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Буфер разветвления (распределение), тактовый генератор с расширенным спектром | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb88154apnfg102jne1-datasheets-2607.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 3В~3,6В | 1 | 8-СОП | 67 МГц | КМОП | Кристалл | Да, с обходом | 1:2 | Нет/Нет | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB90F337PMC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 85°С | -40°С | 24 МГц | Соответствует RoHS | ЛКФП | I2C, UART, USART, USB | 64КБ | Внешний | 45 | ВСПЫШКА | ПОР, ВДТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB3793-37APNF-G-JN-ER6 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Простой сброс/сброс при включении питания | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | СОИК | Активный низкий | 80 мс | 1 | 3,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88152APNF-G-110-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | СОИК | 1 | 134 МГц | Кристалл | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88155PFT-G-111-XXE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | ЦСОП | 1 | 50 МГц | Кристалл | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB86064PB-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 120 | LVDS, серийный | 14 | Аналоговый, Цифровой | 750 мВт | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB9AF314NPMC-G-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 105°С | -40°С | 40 МГц | Соответствует RoHS | ЛКФП | Нет СВХК | 5,5 В | 2,7 В | 100 | 256 КБ | 83 | прямой доступ к памяти | 32КБ | 3 |
