| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Высота | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный ток | Угол обзора | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDNF25YZU3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 159 лм/Вт | 85°С | 2965 лм Тип. | 540 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||
| SPHWW1HDNB28YHU31F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 25°С | 2023лм 1820лм~2225лм | 540 мА | Плоский | 95 | Диаметр 12,40 мм | |||||||
| SPHWHAHDNK27YZW2M0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 2,76А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | 4283lm Тип | 1,08А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||
| SPHWW1HDNC25YHV32G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 25°С | 3770лм 3550лм~3990лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||
| SPHCW1HDNC25YHRT2G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 149 лм/Вт | 25°С | 3820лм 3590лм~4050лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||
| SPHWW1HDN945YHW3KH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 25°С | 1201лм 1141лм~1260лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||
| SPHWHAHDNF25YZW3J3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,38А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | 2458 лм Тип | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||
| SPHWW1HDN828YHV2CC | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 25°С | 668лм 601лм~734лм | 180 мА | Плоский | 95 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||
| SPHWW1HDN94VYHV3FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 25°С | 1008лм 887лм~1128лм | Плоский | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||
| SPHWW1HDN947YHT2FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 25°С | 1050лм 929~1171лм | 240 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||
| SI-B8U17156CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | $3,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Серия V | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | Линейная световая полоса | 24В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 50°С | 2369лм 2132~2606лм | 700 мА | 900 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 85°С | 4497lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZV3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 85°С | 4847lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZW2M7 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 2,76А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 4996 лм Тип | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||
| SPHWHAHDNK27YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 85°С | 5260 лм тип. | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNK28YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 101 лм/Вт | 85°С | 3760 лм тип. | 1,08А | 2,76А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZU3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk25yzv3d2-datasheets-7662.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 161 лм/Вт | 85°С | Тип 6016lm | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 172 лм/Вт | 85°С | 6313lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNK23YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 179 лм/Вт | 85°С | 6560 лм тип. | 1,08А | 2,76А | Плоский | 70 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||
| SPHWHAHDNK2VYZVVD2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 111 лм/Вт | 85°С | 4150 лм Тип. | 1,08А | 2,76А | Плоский | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZP3Q6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 115° | Квадрат | 52В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 144 лм/Вт | 85°С | Тип 8066lm | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||
| SPHWW1HDND23YHVT4P | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,62 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К | 143 лм/Вт | 25°С | 4570лм 4021лм~5118лм | 900 мА | Плоский | 70 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||
| SPHCW1HDND25YHR33H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,62 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 25°С | 4949лм 4792~5105лм | 900 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||
| SPHWHHAHDNL271ZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 52В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 85°С | 7706lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||
| SPHWHAHDNE27YZW2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 85°С | 1860 лм тип. | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||
| SPHWHAHDNE27YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 85°С | 1967lm Типовой | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||
| SPHWHAHDNE2VYZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 85°С | Тип 1875lm | 450 мА | 1,15 А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZP3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 171 лм/Вт | 85°С | 2622lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNF2VYZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 85°С | 2222lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | 2707lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.