Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Завершение | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Контакт | Радиационное упрочнение | Идентификатор пакета производителя | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Оценка комплекта | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Приложения | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Подкатегория | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Максимальная температура соединения (TJ) | Диапазон температуры окружающей среды высокий | Код JESD-30 | Размер памяти | Номер в/вывода | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Скорость | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Количество таймеров/счетчиков | Количество регистров | Количество входов | Выходные характеристики | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллель/сериал | Вспомогательный ток-макс | Выносливость | Время хранения данных | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Тип IC памяти | Количество ворот | Операционная система | Количество логических элементов/ячеек | Программируемый логический тип | Количество CLBS | Лицензия - данные пользователя | Версия | Тип доставки СМИ | Длина лицензии | Программируемый тип | Всего битов RAM | Количество лабораторий/CLBS | Комбинаторная задержка CLB-MAX |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Ef-di-mipi-pack-site | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | ROHS3 соответствует | Сайт | В электронном виде | 1 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EFR-DI-SMPTE2022-12WW | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | Во всем мире | В электронном виде | 1 год обновления | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ef-ise-dsp-fl | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Интегрированная среда разработки (IDE) | ISE® Design Suite | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2011 год | /files/xilinxinc-docspprousbiignl-datasheets-6563.pdf | Да | Программирование | Окна | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ef-vivado-system-nl | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Интегрированная программная среда (ISE) | Vivado ™ Design Suite | Непригодный | ROHS3 соответствует | 2 недели | Программирование | Linux, Windows | Фиксированный узел | Система | В электронном виде | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EF-DI-JESD204-SITE | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | 2 недели | Сайт | В электронном виде | 1 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ef-di-rsd-site | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Кабель | Непригодный | Не совместимый с ROHS | 2010 год | 2 недели | Нет | Декодер | Сайт | В электронном виде | 1 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Lms-conn-rfsoc | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | В электронном виде | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LMS-FPGA-US | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | В электронном виде | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC18V02PC44C0936 | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 3 (168 часов) | CMOS | 4,572 мм | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-LCC (J-Lead) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 3,3 В. | 44 | 44 | 2 МБ | нет | 3A991.B.1 | Нет | 8542.32.00.61 | 1 | E0 | Оловянный свинец | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Квадратный | J Bend | 225 | 3,3 В. | 1,27 мм | XC18V02 | 44 | 3,6 В. | 3В | 30 | 256KX8 | 8 | Параллель/сериал | 20 нс | Память конфигурации | В системном программируемом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S30XLPDG8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | Через дыру | CMOS | Синхронно | 4,5974 мм | ROHS COMPARINT | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | 8 | Нет SVHC | 8 | Сериал | Ear99 | неизвестный | 1 | E3 | Матовая олова (SN) | НЕТ | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 250 | 3,3 В. | 2,54 мм | XC17S30XL | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 3,3 В. | 0,005 мА | Не квалифицирован | 300 КБ | ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР | 3-штат | 10 МГц | 1 | 0,00005A | ОБЩИЙ | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XCF02SVOG20C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 3 (168 часов) | CMOS | 50 МГц | Синхронно | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-дюймоп (0,173, ширина 4,40 мм) | 6,5 мм | 1,19 мм | 4,39 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 20 | 10 недель | Неизвестный | 20 | Параллель | да | Ear99 | XCF02SVOG20C | 8542.32.00.51 | 1 | E3 | Матовая олова (SN) | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | Крыло Печата | 260 | 3,3 В. | 0,65 мм | Xcf*s | 20 | 3,6 В. | 3В | 30 | 0,01 мА | Не квалифицирован | 125 ° C. | 85 ° C. | 2 МБ | ВСПЫШКА | 2mx1 | Сериал | 0,001а | 20 | В системном программируемом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC18V02VQ44C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 1998 | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 44 | 10 недель | 44 | 2 МБ | нет | Ear99 | Нет | 1 | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 3,3 В. | 0,8 мм | XC18V02 | 44 | 3,6 В. | 3В | 30 | Флэш -воспоминания | 0,025 мА | 20 МГц | 256KX8 | 8 | Параллель/сериал | 0,01а | 20000 Циклы записи/стирания | 20 | 20 нс | Память конфигурации | В системном программируемом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17128ELPD8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | Непригодный | CMOS | Синхронно | 4,5974 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | Ear99 | Используется для хранения конфигурационных бит -фрагментов Xilinx FPGAS | not_compliant | 1 | E0 | НЕТ | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 225 | 3,3 В. | 2,54 мм | XC17128EL | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 3,3 В. | 0,005 мА | Не квалифицирован | 128 КБ | 3-штат | 15 МГц | 1 | 131072 бит | Сериал | 0,00005A | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17256ELPC20C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 4,572 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 20-LCC (J-Lead) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | Содержит свинец | 20 | 20 | Ear99 | Используется для хранения конфигурационных бит -фрагментов Xilinx FPGAS | not_compliant | 8542.32.00.61 | 1 | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Квадратный | J Bend | 225 | 3,3 В. | 1,27 мм | XC17256EL | 20 | 3,6 В. | 3В | 30 | 3,3 В. | 0,005 мА | Не квалифицирован | 256 КБ | 3-штат | 15 МГц | 256KX1 | 1 | 262144 бит | Сериал | 0,00005A | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S10VO8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | Ear99 | not_compliant | 1 | E0 | ДА | 4,75 В ~ 5,25 В. | Двойной | Крыло Печата | 5 В | 1,27 мм | XC17S10 | 8 | 5,25 В. | 4,75 В. | 5 В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 100 КБ | 3-штат | 10 МГц | 1 | 0,00005A | ОБЩИЙ | Схема памяти | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S10PD8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | Непригодный | CMOS | 4,5974 мм | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | 5 В | Содержит свинец | 8 | 8 | Сериал | Ear99 | Нет | 1 | E0 | НЕТ | 4,75 В ~ 5,25 В. | Двойной | 5 В | 2,54 мм | XC17S10 | 8 | 5 В | 100 КБ | 1 | 3-штат | 1 | 0,00005A | ОБЩИЙ | Схема памяти | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S10XLPD8I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | Непригодный | CMOS | 4,5974 мм | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 8 | 8 | 93,5 КБ | Ear99 | Нет | 1 | E0 | НЕТ | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 2,54 мм | XC17S10XL | 8 | 3,6 В. | 3В | 0,005 мА | 100 КБ | 3-штат | 10 МГц | 95752x1 | 1 | 0,00005A | ОБЩИЙ | Схема памяти | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S200APD8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | Непригодный | CMOS | 4,5974 мм | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 8 | 8 | нет | Ear99 | Нет | 1 | E0 | НЕТ | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 225 | 3,3 В. | 2,54 мм | XC17S200A | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 0,015 мА | 2 МБ | 3-штат | 1 | Сериал | 0,001а | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S30VO8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | нет | Ear99 | not_compliant | 1 | E0 | ДА | 4,75 В ~ 5,25 В. | Двойной | Крыло Печата | 225 | 5 В | 1,27 мм | XC17S30 | 8 | 5,25 В. | 4,75 В. | 30 | 5 В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 300 КБ | 3-штат | 10 МГц | 1 | 0,00005A | ОБЩИЙ | Схема памяти | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S50AVO8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s200apdg8i-datasheets-4355.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,93 мм | 990 мкм | 3,94 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 8 | 8 | Сериал | 1 МБ | нет | Ear99 | Нет | 1 | E0 | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | Крыло Печата | 225 | 3,3 В. | 1,27 мм | XC17S50A | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 0,015 мА | 500 КБ | 3-штат | 559200x1 | 0,001а | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17V08VQ44C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 1998 | /files/xilinxinc-xc17v01vo8c-datasheets-2408.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 44 | 44 | 8 МБ | нет | Ear99 | Нет | 8542.32.00.61 | 1 | E0 | Оловянный свинец | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 3,3 В. | 0,8 мм | XC17V08 | 44 | 3,6 В. | 3В | 30 | 0,1 мА | 3-штат | 20 МГц | 1mx8 | 8 | Параллель/сериал | 0,001а | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17V16PC44C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 3 (168 часов) | CMOS | 4,57 мм | Не совместимый с ROHS | 1998 | /files/xilinxinc-xc17v01vo8c-datasheets-2408.pdf | 44-LCC (J-Lead) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 44 | 44 | 16 МБ | нет | Ear99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Квадратный | J Bend | 225 | 3,3 В. | 1,27 мм | XC17V16 | 44 | 3,6 В. | 3В | 30 | 0,1 мА | 3-штат | 20 МГц | 2mx8 | 8 | Параллель/сериал | 0,001а | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17V04VQ44I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C. | Поднос | 3 (168 часов) | Не совместимый с ROHS | 1998 | /files/xilinxinc-xc17v01vo8c-datasheets-2408.pdf | 44-TQFP | 3,3 В. | Содержит свинец | 44 | 4 МБ | нет | 3A991.B.1 | Нет | 8542.32.00.61 | 3 В ~ 3,6 В. | XC17V04 | 44 | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC3SD1800A-4FGG676C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Spartan®-3A DSP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | SMD/SMT | CMOS | 667 МГц | ROHS3 соответствует | 2008 | /files/xilinxinc-xc3sd1800a4fgg676c-datasheets-4391.pdf | 676-BGA | 27 мм | 1,75 мм | 27 мм | 1,2 В. | 676 | 10 недель | Неизвестный | 676 | да | 3A991.d | E1 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В. | 1 мм | XC3SD1800A | 676 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,22,5/3,3 В. | Не квалифицирован | 519 | 189 КБ | 4 | 409 | 1800000 | 37440 | Полевой программируемый массив ворот | 1548288 | 4160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC7K160T-1FBG484C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Kintex®-7 | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 4 (72 часа) | CMOS | 2,54 мм | ROHS3 соответствует | 2008 | /files/xilinxinc-xc7k325t1ffg900i-datasheets-5484.pdf | 484-BBGA, FCBGA | 23 мм | 23 мм | 484 | 10 недель | да | 3A991.d | Медь, серебро, олова | Нет | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 0,97 В ~ 1,03 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1V | 1 мм | XC7K160 | 484 | Полевые программируемые массивы ворот | 11.83.3V | S-PBGA-B484 | 285 | 1,4 МБ | -1 | 120 пс | 285 | 202800 | 285 | 1098 МГц | 162240 | Полевой программируемый массив ворот | 11980800 | 12675 | 0,74 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC6SLX45-3CSG484C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Spartan®-6 LX | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 1,8 мм | ROHS3 соответствует | 2008 | /files/xilinxinc-xc6slx452csg484c-datasheets-5636.pdf | 484-FBGA, CSPBGA | 19 мм | 19 мм | 1,2 В. | 484 | 10 недель | 484 | да | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В. | 0,8 мм | XC6SLX45 | 484 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 320 | 261 КБ | 3 | 310 | 54576 | 862 МГц | 43661 | Полевой программируемый массив ворот | 2138112 | 3411 | 0,21 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC7K160T-1FBG676I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Kintex®-7 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 4 (72 часа) | CMOS | 2,54 мм | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/xilinxinc-xc7k325t1ffg900i-datasheets-5484.pdf | 676-BBGA, FCBGA | 27 мм | 27 мм | 676 | 10 недель | да | 3A991.d | Медь, серебро, олова | Нет | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (SN96.5AG3.0cu0.5) | ДА | 0,97 В ~ 1,03 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1V | 1 мм | XC7K160 | 676 | Полевые программируемые массивы ворот | 11.83.3V | S-PBGA-B676 | 400 | 1,4 МБ | -1 | 120 пс | 400 | 202800 | 400 | 1818 МГц | 162240 | Полевой программируемый массив ворот | 11980800 | 12675 | 0,74 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC3S200A-5FTG256C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Spartan®-3a | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/xilinxinc-xc3s700a4fgg484c-datasheets-5684.pdf | 256-lbga | 17 мм | 17 мм | 1,2 В. | 256 | 10 недель | 256 | да | Ear99 | E1 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В. | 1 мм | XC3S200A | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 195 | 36 КБ | 5 | 160 | 770 МГц | 200000 | 4032 | Полевой программируемый массив ворот | 448 | 294912 | 448 | 0,62 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC3S200A-4FGG320I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Spartan®-3a | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2 мм | ROHS3 соответствует | 2007 | /files/xilinxinc-xc3s700a4fgg484c-datasheets-5684.pdf | 320-BGA | 19 мм | 19 мм | 1,2 В. | 320 | 10 недель | Неизвестный | 320 | да | 3A991.d | Медь, серебро, олова | E1 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В. | 1 мм | XC3S200A | 320 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,22,5/3,3 В. | Не квалифицирован | 248 | 36 КБ | 4 | 192 | 667 МГц | 200000 | 4032 | Полевой программируемый массив ворот | 448 | 294912 | 448 | 0,71 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC3S400-5FTG256C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Spartan®-3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2009 | /files/xilinxinc-xc3s4004ftg256c-datasheets-5507.pdf | 256-lbga | 17 мм | 17 мм | 1,2 В. | 256 | 10 недель | 256 | да | Ear99 | E1 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В. | 1 мм | XC3S400 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 173 | 36 КБ | 5 | 173 | 400000 | 8064 | Полевой программируемый массив ворот | 896 | 294912 | 896 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.