Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Задержка распространения | Количество выходов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFE3-35EA-8LFN672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 310 | 165,9 КБ | 310 | 500 МГц | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,281 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35SE-6FN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 140 | 262,6 КБ | 140 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 2151424 | 4250 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-6LFN1156I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | Без свинца | 8 недель | 1156 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 490 | 552,5 КБ | 490 | 375 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,379 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-150EA-9FN672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 370,9 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 9 недель | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-150 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 894,1кБ | 380 | 856,3 КБ | 380 | 500 МГц | 149000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 7014400 | 18625 | 0,252 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFE3-70EA-6LFN672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 380 | 552,5 КБ | 380 | 375 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | 0,379 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LFE2M70SE-6FN900C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 584,9 КБ | 416 | 566,8 КБ | 416 | 357 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 4642816 | 8375 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-4TG100CR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,49 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 100 | 100 | EAR99 | Нет | 140,315 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 17,3 КБ | 79 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 80 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-3FT256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мА | 1,55 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 500 МГц | 8542.39.00.01 | 21 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO1200 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 211 | СРАМ | 5,1 нс | 211 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||
| LFX125EB-03F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | LFX125 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 15,3 КБ | 160 | 11,5 КБ | 160 | 320 МГц | 139000 | 1936 год | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 484 | 94208 | 1,07 нс | ||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-5FT256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,55 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 159 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||
| LFEC10E-5QN208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | 420 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК10 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 147 | 34,5 КБ | 147 | 1280 КЛБС | 10200 | 1275 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1280 | 282624 | 0,4 нс | |||||||||||||||||||||
| LFEC20E-3FN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК20 | 484 | 360 | 19700 | 434176 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC6E-3QN208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 340 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК6 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 147 | 27,6 КБ | 147 | 768 КЛБС | 6100 | 1500 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||
| LFECP15E-5F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП15 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 51,4 КБ | 195 | 43,8 КБ | 195 | 15400 | 1920 год | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15300 | 358400 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-3TN144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | 340 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕКП6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 97 | 11,5 КБ | 97 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||
| LFXP10E-3FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFXP10 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 31,9 КБ | 188 | 27КБ | 188 | 1216 КЛБС | 4 | 10000 | 1250 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1216 | 1216 | 221184 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||
| LFXP10C-3FN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 10 недель | 256 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В | 1 мм | LFXP10 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 31,9 КБ | 188 | 27КБ | 188 | 1216 КЛБС | 4 | 10000 | 1250 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1216 | 1216 | 221184 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||
| LFXP3C-3QN208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-БФКФП | 1,8 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP3 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 136 | 6,8 КБ | 136 | 384 КЛБС | 2 | 3000 | 375 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,63 нс | ||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-3QN208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-БФКФП | 1,8 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP6 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 11,9 КБ | 142 | 9 КБ | 142 | 2 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LFXP3C-4TN144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 144-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP3 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 100 | 6,8 КБ | 100 | 384 КЛБС | 2 | 3000 | 375 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||
| LFE2M35E-6F672C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | нет | EAR99 | 357 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 410 | 262,6 КБ | 410 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFEC33E-3F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕК33 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 78,6 КБ | 360 | 53КБ | 360 | 32800 | 4096 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 434176 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFEC6E-5F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК6 | 484 | 14,6 КБ | 224 | 11,5 КБ | 6100 | 768 | 94208 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC6E-3F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭК6 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 224 | 11,5 КБ | 224 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||
| LFECP33E-4F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП33 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 78,6 КБ | 360 | 53КБ | 360 | 32800 | 4096 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 434176 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-4F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП6 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 195 | 11,5 КБ | 195 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-5FCN1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,3 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BCBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1,2 В | Без свинца | 1704 г. | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 942 | 975КБ | 942 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 115200 | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-6FCN1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA115EP1-6FCN1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA115 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-5FFN1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSCM3GA40 | 562 | 497,5 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 |
