Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Способ упаковки | Количество функций | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Семья | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Емкость нагрузки | Время подъема | Осень (тип.) | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Задержка распространения | Непрерывный ток коллектора | Ток покоя | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Обратное напряжение пробоя | Максимальное напряжение пробоя | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Количество входов | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Тип логики | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Триггер Шмитта | Задержка распространения (tpd) | Темный ток-Макс. | Макс. задержка распространения @ V, Макс. CL | Ток – режим покоя (макс.) | Логический уровень – низкий | Логический уровень – высокий | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TC74ACT04P(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74ACT | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | Непригодный | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74act04ftel-datasheets-3523.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,25 мм | 3,5 мм | 6,4 мм | 5В | Без свинца | 14 | 14 недель | 14 | Нет | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | Ворота | 5В | 6 | 7,9 нс | 50пФ | 9 нс | 4мкА | 24 мА 24 мА | Инвертор | 0,024 А | НЕТ | 7,9 нс при 5 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2903ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | неизвестный | 100мВт | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC32FTELM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VHC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc32ftelm-datasheets-2594.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 14 | 14 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | 74VHC32 | Ворота | 4 | 50пФ | ИЛИ | 7,5 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 2 | ИЛИ Ворота | 0,008 А | 8,5 нс | НЕТ | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 0,5 В | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1702JE(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-553 | 12 недель | 5 | 250 МГц | неизвестный | НПН | 100мВт | Двойной | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 10 В | 50 | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) | 50 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SET86FU(T5L,F,T | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SET | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2мкА | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7set86fut5lft-datasheets-7071.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 5В | 5 | 200мВт | 4,5 В~5,5 В | 1 | 5,5 В | 8мА | ТТЛ | ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 10,3 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 2 | Исключающее ИЛИ (исключающее ИЛИ) | 10,3 нс при 5 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4991(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | НПН, ПНП | 200мВт | Двойной | 200мВт | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100 мкА ИКБО | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74LCX04FT(ЭЛ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 74LCX | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 14 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 6 | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 74LCX04 | 14 | НЕ УКАЗАН | Ворота | 3,3 В | 6 | Не квалифицирован | ЛВК/LCX/Z | 50пФ | 24 мА 24 мА | 1 | Инвертор | 0,024 А | 5,2 нс | НЕТ | 20 нс | 5,2 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | 0,8 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 12 недель | НПН | 100мВт | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 5В | 80 | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC10FTEL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VHC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc10ftel-datasheets-0987.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 14 | 14 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 74VHC10 | Ворота | 2/5,5 В | 3 | Не квалифицирован | 50пФ | NAND | 7,9 нс | 2мкА | 8мА 8мА | И-НЕ-ворота | 0,008 А | НЕТ | 7,9 нс при 5 В, 50 пФ | 0,5 В | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1108(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1107lfct-datasheets-4668.pdf | СК-75, СОТ-416 | НПН | 100мВт | Одинокий | ССМ | 100 мА | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 7В | 80 | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7W00FKTE85LF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7W | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7w00fute12lf-datasheets-3454.pdf | 8-VFSOP (ширина 0,091, 2,30 мм) | 11 недель | совместимый | 2В~6В | 7W00 | 2 | 5,2 мА 5,2 мА | И-НЕ-ворота | 13 нс при 6 В, 50 пФ | 1 мкА | 0,5 В ~ 1,8 В | 1,5 В ~ 4,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1413(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 11 недель | 3 | да | Нет | 200мВт | Одинокий | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP631(GR,F) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp631blf-datasheets-3720.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 недель | 6 | 250мВт | 1 | 250мВт | 55В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 55В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2410,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | PNP — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP182(ГБ,Э | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp182bltple-datasheets-0860.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | UL ПРИЗНАЛ | Нет | ДА | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 80нА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2425(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | ДА | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,2 Вт | 200мВт | 50В | 800 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 90 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4-GB,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1314(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 16 недель | 3 | Нет | НПН | 100мВт | РН131* | Одинокий | 100мВт | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50 | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 2,3 мм | 12 недель | Неизвестный | 4 | UL ПРИЗНАЛ | 11-4М1С | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 125°С | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 5 мкс | 9 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 5В | 80нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2422ТЕ85ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-rn2422te85lf-datasheets-4300.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 12 недель | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 250 мВ | 800 мА | 200 МГц | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 65 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP184(GR,SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp184grtplse-datasheets-6916.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | Нет | 200мВт | 1 | Транзистор | 20 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 10 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1102КТ(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1103cttpl3-datasheets-8129.pdf | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 60 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3905(TPR,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3905tple-datasheets-7768.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 1 | Фотоэлектрический | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 30 мА | 30 мкА тип. | 7В | 300 мкс, 1 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1109ACT(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 100мВт | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP182(Y-TPL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp182bltple-datasheets-0860.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2113CT(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100нА ИКБО | PNP — предварительно смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4BL-TR,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2103МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | СОТ-723 | 18 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | PNP — предварительно смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4GR-TL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1130МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-723 | 16 недель | 150 мВт | ВЕСМ | 150 мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 100 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 100 кОм | 100 кОм |
