IS66WV51216BLL-55BLI

3/3,3 Вольт, 48-контактная ИС-память для поверхностного монтажа, 8 мм мм

Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
НЕТ: 413-ИС66ВВ51216БЛЛ-55БЛИ
Упаковка: 48-ТФБГА
Техническая спецификация:
Запас: 4726
Описание: 3/3,3 Вольт, 48-контактная ИС память для поверхностного монтажа, 8 мм мм (кг)

Количество:

Доставка:
Оплата:

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.

Имя контактного лица

Деловая электронная почта

Название компании

Страна

Количество

Покупка и запрос

Транспорт

Руководство пользователя

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран. transport

СПЕЦИФИКАЦИИ

Параметры
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	48-ТФБГА
Количество контактов	48
Рабочая температура	-40°С~85°С ТА
Упаковка	Поднос
Код JESD-609	е1
Код Pbfree	да
Статус детали	Устаревший
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Количество окончаний	48
ECCN-код	3A991.B.2.A
Терминальные отделки	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)
Код HTS	8542.32.00.41
Подкатегория	Другие микросхемы памяти
Технология	PSRAM (псевдо SRAM)
Напряжение питания	2,5 В~3,6 В
Положение терминала	НИЖНИЙ
Пиковая температура оплавления (Цел)	260
Количество функций	1
Напряжение питания	3В
Терминал Питч	0,75 мм
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	40
Количество контактов	48
Статус квалификации	Не квалифицирован
Напряжение питания-Макс (Vsup)	3,6 В
Источники питания	3/3,3 В
Минимальное напряжение питания (Vsup)	2,5 В
Размер	8Мб 512К х 16
Тип	Неустойчивый
Режим работы	АСИНХРОННЫЙ
Максимальный ток питания	0,025 мА
Формат памяти	ПСРАМ
Интерфейс памяти	Параллельно
Организация	512КХ16
Выходные характеристики	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
Ширина памяти	16
Время цикла записи — Word, Page	55нс
Максимальный ток в режиме ожидания	0,0001А
Плотность памяти	8388608 бит
Время доступа (макс.)	55 нс
Тип ввода/вывода	ОБЩИЙ
Длина	8 мм
Высота сидя (Макс.)	1,2 мм
Ширина	6 мм
Статус RoHS	Соответствует RoHS

Обзор IS66WV51216BLL-55BLI

Неустойчивый — это тип памяти. Он доступен в футлярной форме лотка. Как видите, он встроен в корпус 48-TFBGA. Чип имеет объем памяти 8 МБ 512K x 16. В этом устройстве память имеет формат PSRAM, который является популярным форматом в современных массовых компьютерах. Благодаря расширенному диапазону рабочих температурных устройств устройство хорошо подходит для широкого спектра применений. К источнику питания можно подать напряжение 2,5–3,6 В. Для данного изделия рекомендуется использовать тип монтажа на поверхность. Как видно из схемы, микросхема заведена с 48 выводами. Всего в этой части функции 1. Устройство памяти, предназначенное для данного приложения, рассчитано на питание от источника питания 3 В. Он заключен в 48-контактный корпус, включающий микросхему памяти. У него 48 контактов, это означает, что у него 48 ячеек памяти. Привозные чипы монтируются с использованием поверхностного монтажа — простой и эффективный метод монтажа. Этот чип требует всего 3/3,3 В памяти. В дополнение к этому устройству на этом устройстве предусмотрены порты ввода-вывода адресов, отображаемые в памяти в виде ОБЩИХ битов. Эта микросхема памяти способна работать с входным током 0,025 мА при макс. Как правило, этот компонент считается магнитом памяти другой микросхемы.