Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Количество аналого-цифровых преобразователей | Количество каналов ШИМ | Количество каналов I2C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭФР32МГ12П432Ф1024ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gl125b-datasheets-1951.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 256 КБ | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSR8675C-IBBH-R | Квалкомм | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | BlueCore® | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/qualcomm-dkcsr8675101972a-datasheets-3358.pdf | 112-ВФБГА | Без свинца | 18 недель | 112 | да | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | X-PBGA-B | -90 дБм | 16 МБ флэш-памяти | 10 дБм | Bluetooth | I2S | Bluetooth v4.2 | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЧ-РСЛ10-101С51-АКГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,36 ГГц~2,5 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-rsl10sip001gevb-datasheets-5707.pdf | Модуль 51-СМД | 16 недель | да | 1,18 В~3,3 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -96 дБм | 4 Мбит/с | 3 мА~6,2 мА | 384 КБ флэш-памяти 76 КБ SRAM 88 КБ SRAM | 4,6 мА~8,9 мА | 6 дБм | Bluetooth | ПКМ, СПИ, УАРТ | 4-ФСК, ФСК, ГФСК, МСК, О-QPSK | Bluetooth версия 5.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3588-RT | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3585rtr-datasheets-1703.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-PQCC-N48 | -102 дБм | 27мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 31 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1000PWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 315 МГц 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 28-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 9,7 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | 3В | Содержит свинец | 4,5 мм | 28 | 117,508773мг | 28 | 1 | NRND (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1 мм | Золото | Нет | 1 | 9,6 мА | е4 | 2,1 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1000 | 28 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -110 дБм | 76,8 кбод | 7,4 мА~9,6 мА | 5,3 мА~26,7 мА | 10 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | УАРТ | ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТМЕГА128РЗБВ-8КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 100-TFBGA | 13 недель | 100 | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА128 | 100-CBGA (9x9) | -101 дБм | -101 дБм | 250 кбит/с | 15,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ SRAM | 9,5 мА~16,5 мА | 8 КБ | 3 дБм | 86 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, USART | О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 86 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA1281R212-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 64-TQFP | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1281 | 64-ТКФП (14х14) | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 13 мА~25 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 10 дБм | 54 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 54 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3581-RT | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3585rtr-datasheets-1703.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-PQCC-N48 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 23,5 мА~30 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~45 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYBL10563-68FNXIT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cybl1056156lqxi-datasheets-4404.pdf | 68-УФБГА, ВЛЦП | 3,91 мм | Без свинца | 68 | 15 недель | I2C, I2S, SPI, UART | Медь, Серебро, Олово | 1,9 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | Р-ПБГА-Б68 | -89 дБм | 1 Мбит/с | 16,4 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 15,6 мА | 36 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 3 дБм | Да | 4 | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 36 | 16000 | I2C | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ3587-РТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3585rtr-datasheets-1703.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | I2C, SPI, УАРТ | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-PQCC-N48 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 23,5 мА~30 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 24 мА~45 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20734UA1KFFB3G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20734ua1kffb3gt-datasheets-8578.pdf | 90-ТФБГА | 8,5 мм | 8,5 мм | 90 | 15 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,8 мм | Р-ПБГА-Б90 | -96,5 дБм | 2 Мбит/с | 26 мА | 60 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | Bluetooth v4.1 | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3585-RT | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 48 | Нет | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | 1,25 В | 0,5 мм | 4 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 23,5 мА~30 мА | 512 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~45 мА | 32 КБ | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3582-RT | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3585rtr-datasheets-1703.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-PQCC-N48 | -102 дБм | 12 Мбит/с | 23,5 мА~30 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~45 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART, USB | О-QPSK | Зигби® | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3581-РТР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3585rtr-datasheets-1703.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 900 мкм | 7 мм | 48 | 8 недель | 150,507618мг | 48 | I2C, SPI, УАРТ | Нет | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | 1,25 В | 0,5 мм | 4 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 23,5 мА~30 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~45 мА | ВСПЫШКА | РУКА | 32 КБ | 32б | 8 дБм | 2 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕМ260-РТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-em260rtr-datasheets-0640.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 6 мм | 40 | 8 недель | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-PQCC-N40 | -99 дБм | 36 мА | 2,5 дБм | 802.15.4 | СПИ, УАРТ | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2830ETM+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 2,4 ГГц | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max2830evkit-datasheets-5624.pdf | 48-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | Неизвестный | 48 | СПИ, серийный | 1 | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2,8 В | 0,5 мм | МАКС2830 | НЕ УКАЗАН | -75 дБм | 54 Мбит/с | 62 мА | 82 мА~212 мА | 20,3 дБм | Wi-Fi | СПИ | CCK, OFDM, QPSK | 802.11б/г | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ12П433Ф1024ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 169–915 МГц 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gl125b-datasheets-1951.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 256 КБ | 20 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2830ETM+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 2,4 ГГц | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max2830evkit-datasheets-5624.pdf | 48-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 3,6 В | 104 мА | 48 | 6 недель | 48 | СПИ, серийный | 1 | да | 1 | е3 | ИНН | ДА | 2,7 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,5 мм | 48 | 30 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3/3,3 В | Не квалифицирован | -75 дБм | 54 Мбит/с | 62 мА | 82 мА~212 мА | 20,3 дБм | Wi-Fi | СПИ | CCK, OFDM, QPSK | 802.11б/г | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П433Ф1024ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169 МГц 315 МГц 433 МГц 490 МГц 868 МГц 915 МГц 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p231f1024gl125b-datasheets-3661.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYBL10563-68FLXIT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cybl1056156lqxi-datasheets-4404.pdf | 68-XFBGA, WLCSP | 3,91 мм | 3,52 мм | 68 | 15 недель | 8542.39.00.01 | ДА | 1,9 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,4 мм | Р-ПБГА-Б68 | -89 дБм | 1 Мбит/с | 16,4 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 15,6 мА | 36 | 3 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 36 | 16000 | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XE1203FI063TRLF | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | TrueRF™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 433 МГц 868 МГц 915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/semtech-xe1203fi063trlf-datasheets-8566.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 6,7 мм | Без свинца | 7 мм | 48 | 8 недель | Неизвестный | 48 | да | 800 мкм | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 14 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | КВАД | 3,3 В | 0,5 мм | ХЕ120 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | -114 дБм | -114 дБм | 152,3 кбит/с | 33 мА~62 мА | 15 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYBL10562-56LQXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cybl1056156lqxi-datasheets-4404.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | Без свинца | 56 | 15 недель | 56 | I2C, I2S, SPI, UART | 1,9 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | -89 дБм | 1 Мбит/с | 16,4 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 15,6 мА | 36 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 3 дБм | Да | 4 | 36 | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 16000 | I2C | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1312R1F3RGZR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 431–527 МГц 861–1054 ГГц 1069–1329 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1312r1f3rgzt-datasheets-8058.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | 48 | I2C, I2S, SPI, UART | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | 2,89 мА | ДА | 1,8 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | СС1312 | 105°С | -125 дБм | 4 Мбит/с | 5,8 мА | 352 КБ флэш-памяти 80 КБ ОЗУ | 8 мА~24,9 мА | 8 | ВСПЫШКА | 80 КБ | 32б | 14 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ГФСК | 30 | 2 | 4 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П431Ф1024ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169 МГц 315 МГц 433 МГц 490 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32fg12p231f1024gl125b-datasheets-3661.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 256 КБ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ357-ИРТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | /files/siliconlabs-rd00200601-datasheets-1753.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 2,1 В~3,6 В | -102 дБм | 22 мА~28,5 мА | 192 КБ флэш-памяти 12 КБ ОЗУ | 21,5 мА~43,5 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕМ351-РТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/siliconlabs-em357rtr-datasheets-1581.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,25 В | 0,5 мм | 48 | НЕ УКАЗАН | S-PQCC-N48 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 22 мА~28,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 12 КБ ОЗУ | 21,5 мА~43,5 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ12П332Ф1024ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gl125b-datasheets-1951.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 10 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕМ357-РТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/siliconlabs-em357rtr-datasheets-1581.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 3,6 В | 48 | 10 недель | СПИ, УАРТ | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,25 В | 0,5 мм | 48 | НЕ УКАЗАН | S-PQCC-N48 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 22 мА~28,5 мА | 192 КБ флэш-памяти 12 КБ ОЗУ | 21,5 мА~43,5 мА | ВСПЫШКА | РУКА | 12 КБ | 32б | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ13П532Ф512ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~11 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 | 64КБ | 0 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth версия 5.0 | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ12П232Ф1024ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gl125b-datasheets-1951.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 |
