Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Скорость передачи данных | Размер | Ток – передача | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Количество передатчиков | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Количество вариантов UART | Количество аналого-цифровых преобразователей |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSR8311A08-AQQD-Р | Квалкомм | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 40-КФН | 11 недель | 40 | 3,1 В~3,6 В | -92,5 дБм | 3 Мбит/с | Bluetooth | Bluetooth версия 4.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1100ERTKT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 470–510 МГц 950–960 МГц | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1100ertkr-datasheets-8168.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 4 мм | 20 | 20 | да | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | СС1100 | 20 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 1,8/3,6 В | Не квалифицированный | -112 дБм | 500 кбод | 15,4 мА~20 мА | 15,8 мА~30,9 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, АСК, ГФСК, МСК, ООК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2511EEI-Т | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | 200–440 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/maximintegrated-max2511eeit-datasheets-0118.pdf | 28-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,89 мм | 3,9 мм | 5,5 В | 28 | УАРТ | 2 | нет | не_совместимо | 1 | е0 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3В | 0,635 мм | 28 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3/5 В | 0,045 мА | Не квалифицированный | 24 мА | 26 мА | -2 дБм | 1 | Общий ИСМ< 1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТР1004 | Мурата Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 914 МГц | Соответствует RoHS | /files/murataelectronics-tr1004-datasheets-9126.pdf | Модуль 20-СМД | 3,3 В | 20 | 2,2 В~3,7 В | СМ-20Х | -106 дБм | -106 дБм | 115,2 кбит/с | 1,8 мА~3,8 мА | 12 мА | 1,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПРОСИТЕ, ОК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1010-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | Нет | 1,8 В~3,6 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 20 дБм | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4464-B1X-FM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 119 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/siliconlabs-si4464b1bfmr-datasheets-8556.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 20 | SI4464-B1X-FM | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 70 мА~85 мА | 20 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТА5811-PLQW 80 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 433 МГц 868 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5812plqw80-datasheets-8913.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 2,4 В~3,6 В | -116,5 дБм | 20 кбод | 10,3 мА~10,5 мА | 8,5 мА~17,8 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТА5823-PLQW 80 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 315 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5823plqw-datasheets-1866.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 2,15–3,6 В 4,4–5,25 В | -116 дБм | 20 кбит/с | 10,3 мА~10,5 мА | 6,5 мА~17,3 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1121RHMT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | 164–192 МГц 274–320 МГц 410–480 МГц 820–960 МГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1121rhmt-datasheets-8878.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | Содержит свинец | 5 мм | 32 | 32 | 0 б | нет | Золото | неизвестный | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | СС1121 | 32 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | Не квалифицированный | -120 дБм | 200 кбит/с | 17 мА~23 мА | 4 КБ ПЗУ, 256 КБ ОЗУ | 26 мА~54 мА | 16 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, 2ГФСК, 4ФСК, 4ГФСК, МСК, ООК | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2420Z-RTR1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-cc2420zrtr1-datasheets-7481.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 48 | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,5 мм | СС2420 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | Не квалифицированный | -95 дБм | 250 кбит/с | 18,8 мА | 8,5 мА~17,4 мА | 0 дБм | 802.15.4 | СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2420RTCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | Содержит свинец | 2,1 В~3,6 В | СС2420 | -95 дБм | 250 кбит/с | 18,8 мА | 8,5 мА~17,4 мА | 0 дБм | 802.15.4 | СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F6143IRGCR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc430f5137irgzr-datasheets-8959.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | Без свинца | 64 | 64 | I2C, SPI, УАРТ | Нет | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС430F6143 | 64 | Микроконтроллеры | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 8 КБ флэш-памяти 2 КБ SRAM | 15 мА~36 мА | 44 | МСП430 | 2 КБ | 16б | 16 | 13 дБм | Да | 2 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 1 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYRF89535-68LTXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПРОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cyrf8953568ltxc-datasheets-4953.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 13 недель | Нет СВХК | 3,6 В | 1,96 В | 68 | I2C, СПИ | 35 | Олово | -87 дБм | 1 Мбит/с | 2 КБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТР1001 | Мурата Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 868 МГц | Соответствует RoHS | /files/murataelectronics-tr1001-datasheets-8920.pdf | Модуль 20-СМД | 3,3 В | Без свинца | 20 | 2,2 В~3,7 В | СМ-20Х | -106 дБм | -106 дБм | 115,2 кбит/с | 1,8 мА~3,8 мА | 12 мА | 1,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПРОСИТЕ, ОК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1000-ESA2-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | 1,8 В~3,6 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 85 мА | 20 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 22 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4461-B0B-FM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 119 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/siliconlabs-si4464b1bfmr-datasheets-8556.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 142 недели | 20 | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 29 мА~43 мА | 16 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1002-ESB2-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | 1,8 В~3,6 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 13 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 22 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1037-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS3940-BQFT-5K | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 32-VFQFN Открытая колодка | 32 | 2,2 В~3,6 В | -100 дБм | 2 Мбит/с | 20,9 мА | 21,5 мА | 1,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СОИ | ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5830N-PNQW | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 105°С | -40°С | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5830npnqw-datasheets-8948.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5,5 В | 4,5 В | СПИ | 1,9 В~3,6 В | 32-ВКФН (5х5) | -121 дБм | -121 дБм | 80 кбит/с | 9,3 мА | 6 КБ флэш-памяти 512 байт EEPROM 24 КБ ПЗУ 768 байт SRAM | 9,1 мА~13,8 мА | 14,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1031-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 6 недель | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1121RHMR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 164–192 МГц 274–320 МГц 410–480 МГц 820–960 МГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1121rhmt-datasheets-8878.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | Содержит свинец | 5 мм | 32 | 32 | 0 б | Золото | неизвестный | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | СС1121 | 32 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | Не квалифицированный | -120 дБм | 200 кбит/с | 17 мА~23 мА | 4 КБ ПЗУ, 256 КБ ОЗУ | 26 мА~54 мА | 16 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, 2ГФСК, 4ФСК, 4ГФСК, МСК, ООК | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2543RHMR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 32 | I2C, SPI, УАРТ | 256 КБ | Нет | 8542.31.00.01 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2543 | Другие микропроцессорные ИС | 2,5/3,3 В | -90 дБм | -98 дБм | 2 Мбит/с | 21,2 мА | 32 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 26 мА~29,4 мА | 5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, СПИ, УСАРТ | ГФСК, МСК | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 85 | 3А991.А.2 | 8542.31.00.01 | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | 25 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТА5812-PLQW 80 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 315 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5812plqw80-datasheets-8913.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 2,4 В~3,6 В | -116,5 дБм | 20 кбод | 10,3 мА~10,5 мА | 8,5 мА~17,8 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1030-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 6 недель | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5830-PNQW | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5830npnqw-datasheets-8948.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 1,9 В~3,6 В | -121 дБм | 80 кбит/с | 9,3 мА | 6 КБ флэш-памяти 512 байт EEPROM 24 КБ ПЗУ 768 байт SRAM | 9,1 мА~13,8 мА | 14,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5823C-PLQW | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 315 МГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-ata5823cplqw1-datasheets-3025.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,15–3,6 В 4,4–5,25 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/5 В | Не квалифицированный | S-XQCC-N48 | -116 дБм | 20 кбит/с | 10,5 мА | 6,95 мА~15,8 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICRF505LYML-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 850 МГц~950 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-micrf505lymltr-datasheets-8869.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка, 32-MLF® | 12 недель | 32 | СПИ | 2,25 В~5,5 В | 32-КФН (5х5) | -111 дБм | -111 дБм | 200 кбит/с | 8,6 мА~13,5 мА | 14 мА~28 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК |
