Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТСАМБ11Г18А-МУ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atsamb11g18amuy-datasheets-2484.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 48 | 19 недель | I2C, SPI, УАРТ | да | 1 | ДА | 2,3 В~4,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,4 мм | АТСАМБ11 | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -96 дБм | 4,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 128 КБ ПЗУ 128 КБ ОЗУ | 3мА | 3,5 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ATWILC1000B-MU-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atwilc1000bmuy-datasheets-0674.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 40 | 10 недель | I2C, SDIO, SPI, UART | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,62 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,4 мм | АТВИЛК1000 | S-PQCC-N40 | -98 дБм | 72,2 Мбит/с | 52,5 мА~58,5 мА | 128 КБ ПЗУ 224 КБ ОЗУ | 244 мА~294 мА | 20,5 дБм | Wi-Fi | I2C, SDIO, SPI, UART | ССК, ДССС, ОФДМ | 802.11b/г/н | 9 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф128ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф256ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф64ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф64ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | I2C, УАРТ, УАРТ | 1,85 В~3,8 В | 48-КФН (7х7) | -99,2 дБм | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | 31 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф64ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф64ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AX8052F143-2-TB05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 27 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ax8052f1433tx30-datasheets-2839.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 13 недель | Нет СВХК | 40 | СПИ, УАРТ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 1,8 В~3,6 В | -137 дБм | 125 кбит/с | 6,5 мА~11 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,25 КБ | 7,5 мА~48 мА | ВСПЫШКА | 8052 | 8,3 КБ | 8б | 16 дБм Макс. | Да | 5 | 19 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | 4ФСК, АСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф64ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф64ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф64ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 6 (Время на этикетке) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AX8052F131-2-TX30 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 400–470 МГц 800–940 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-ax8052f1312tb05-datasheets-2046.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 15 недель | 40 | СПИ, УАРТ | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Золото | 2,2 В~3,6 В | 2 Мбит/с | 64 КБ флэш-памяти 8,25 КБ | 13 мА~45 мА | ВСПЫШКА | 8052 | 1 КБ | 8б | 16 дБм | Да | 5 | 21 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | 4ФСК, АСК, ФСК, ГФСК, МСК, О-QPSK, ПСК | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QN9030HN/001Y | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 40-VFQFN Открытая колодка | 13 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATWINC1510B-MU-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atwinc1500bmuy-datasheets-2538.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | Без свинца | 40 | 17 недель | I2C, SPI, УАРТ | да | ДА | 2,7 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,4 мм | S-PQCC-N40 | -89 дБм | 72,2 Мбит/с | 70,1 мА | 8 МБ флэш-памяти 128 КБ ПЗУ | 294 мА | 20,5 дБм | Wi-Fi | I2C, SPI, УАРТ | ССК, ДССС, ОФДМ | 802.11b/г/н | 7 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф256ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ATWINC1500B-MU-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atwinc1500bmuy-datasheets-2538.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 3,6 В | 40 | 10 недель | 40 | I2C, SDIO, SPI, UART | да | неизвестный | ДА | 2,7 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,4 мм | АТВИНК1500 | 1 | -98 дБм | 72,2 Мбит/с | 22 мА~58,5 мА | 4 МБ флэш-памяти, 128 КБ ПЗУ, 224 КБ ОЗУ | 22 мА~294 мА | 20,5 дБм | Wi-Fi | I2C, SDIO, SPI, UART | ССК, ДССС, ОФДМ | 802.11b/г/н | 9 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ATWILC1000B-UU-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atwilc1000bmuy-datasheets-0674.pdf | 55-УФБГА, ВЛЦСП | 3,25 мм | 3,25 мм | 3,6 В | 55 | 10 недель | I2C, SDIO, SPI, UART | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,62 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,35 мм | АТВИЛК1000 | 1 | С-ПБГА-Б55 | -98 дБм | 72,2 Мбит/с | 52,5 мА~58,5 мА | 128 КБ ПЗУ 224 КБ ОЗУ | 244 мА~294 мА | 20,5 дБм | Wi-Fi | I2C, SDIO, SPI, UART | ССК, ДССС, ОФДМ | 802.11b/г/н | 9 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 6 (Время на этикетке) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф256ГМ32-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 19,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | 48-КФН (7х7) | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П132Ф256ГМ32-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 32-КФН (5х5) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ48-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | I2C, УАРТ, УАРТ | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,8 мА~133 мА | 16,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ГМ48-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256gm32b0-datasheets-2622.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | Неизвестный | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -99 дБм | 1 Мбит/с | 8,6 мА~9,1 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 32 КБ | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 31 |
