Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Тип телекоммуникационных микросхем | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Программирование напряжения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFR32MG13P732F512GM32-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 9,5 мА~10,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА | 19 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART, USART | 2ГФСК, 4ГФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГМСК, ООК, ОКФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P231F512GM68-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 110–191 МГц 1,95–358 МГц 390–574 МГц 779–956 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 38,4 кбит/с | 8,4 мА~13 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 20,3 мА~134,3 мА | 20 дБм | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART | 2GFSK, 4GFSK, ASK, DSSS, BPSK, DBPSK, GMSK, O-QPSK, OOK | Флекс Геккон | 46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1027-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG13P732F512IM32-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 9,5 мА~10,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА | 19 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART, USART | 2ГФСК, 4ГФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГМСК, ООК, ОКФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1P132F256IM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256im32c0-datasheets-3682.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П431Ф512ГМ68-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 110–191 МГц 1,95–358 МГц 390–574 МГц 779–956 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 38,4 кбит/с | 8,4 мА~13 мА | 512 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 20,3 мА~134,3 мА | 20 дБм | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART | 2GFSK, 4GFSK, ASK, DSSS, BPSK, DBPSK, GMSK, O-QPSK, OOK | Флекс Геккон | 46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 13 дБм Макс. | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P431F512GM68-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 110–191 МГц 1,95–358 МГц 390–574 МГц 779–956 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 38,4 кбит/с | 8,4 мА~13 мА | 512 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 20,3 мА~134,3 мА | 20 дБм | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART | 2GFSK, 4GFSK, ASK, DSSS, BPSK, DBPSK, GMSK, O-QPSK, OOK | Флекс Геккон | 46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р69Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ21А020Ф1024ИМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32mg21a020f1024im32b-datasheets-0241.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ14П732Ф256ИМ32-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3291.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ13П232Ф512ГМ32-Д | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 19 дБм | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф256Р67Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П232Ф256ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 19 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3595-РТР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-em3592rt-datasheets-2742.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | 8 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-XQCC-N56 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 23,5 мА~29,5 мА | 512 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~44 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1021-B-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -45°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 6 недель | 3,8 В | 1,8 В | I2C, SPI, УАРТ | 3,8 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 16 | 53 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43340HKUBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц 5 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw43340hkubgt-datasheets-0257.pdf | 141-УФБГА, ВЛБГА | 13 недель | 1,2 В~3,3 В | -94,5 дБм | 150 Мбит/с | 44,4 мА~57,7 мА | 640 КБ ПЗУ 512 КБ SRAM | 254 мА~325 мА | 11 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.0 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П232Ф256ГМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 19 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ14П732Ф256ГМ48-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3291.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4128LQI-BL593 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | PSOC® 4 CY8C41xx БЛЕ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | 7 мм | 56 | 22 недели | 5А992.Б | 8542.31.00.01 | ДА | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,4 мм | S-XQCC-N56 | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 32 КБ SRAM | 16,5 мА~20 мА | 38 | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | 32000 | И2С; ИРДА; СПИ; УАРТ | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43903KUBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw43903kubgt-datasheets-0273.pdf | 151-УФБГА, ВЛБГА | 13 недель | 1,2 В~3,6 В | -98 дБм | 150 Мбит/с | 20,5 дБм | Wi-Fi | I2C, SPI, УАРТ | 16QAM, 64QAM, BPSK, CCK, DSSS, OFDM, QPSK | 802.11b/г/н | 17 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4421-A1-FT1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DW1000-I | Декавейв Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 3,5 ГГц~6,5 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/decawavelimited-dw1000itr13-datasheets-9301.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 12 недель | СПИ | 2,8 В~3,6 В | 48-КФН (6х6) | 6,8 Мбит/с | 64 мА | 31 мА | -10 дБм | 802.15.4 | СПИ | БПМ, БПСК | ИК-СШП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1P732F256GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p732f256gm32c0-datasheets-2562.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА~9,8 мА | 768 КБ флэш-памяти, 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 |
