Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые оптические датчики(318)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочий ток питания | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Длина результата | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Материал корпуса | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Расстояние внедрения | Диапазон измерения-Макс. | Диапазон измерения-мин. | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ706С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 4-DIP-модуль | Светоотражающий | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 200 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SF5 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Панель, припой, сквозное отверстие | Припой | -25°К~80°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesf5b-datasheets-5243.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 13 мм | 30 мА | 8 мм | 5,4 мм | 24В | Без свинца | 7 недель | UL | Неизвестный | 4 | да | 30 В ВЦЭ, 2НА ТЕМНОВЫЙ ТОК | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 30 мкс, 30 мкс | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мА | 30 мкс | 30 мкс | АБС | 0,197 (5 мм) | 5 мм | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,20–2 мА | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ700 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb700-datasheets-6062.pdf | 25 В | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | Без свинца | 4 | 80мВт | 1 | 2,5 мА | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,200 (5,08 мм) | 2В | 2В | 24В | 25 В | 2,5 мА | 100 мА | 890 нм | 24В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY190 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy191-datasheets-5996.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 30 мА | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | 2НА ТЕМНЫЙ ТОК | 1 | 100мВт | 30 мкс, 30 мкс | 30 В | 30 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мА | 30 мкс | 30 мкс | 9 мм | 6 мм | ПАЙКА | 0,178 (4,5 мм) | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,05-0,60 мА | 4В | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY171 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy171-datasheets-6072.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 30 мА | 15 мм | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | да | 1,5 В | 100мВт | 1 | 100мВт | 30 мкс, 30 мкс | 30 В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мкс | 30 мкс | 3 мм | ПАЙКА | 0,138 (3,5 мм) | 3,5 мм | 3,5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,05-0,50 мА | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2Л24 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2l24-datasheets-6084.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Содержит свинец | 4 | 80 мкс, 70 мкс | 50 мА | 1,2 В | Фотодарлингтон | 80 мкс | 0,031 (0,8 мм) | 35В | 50 мА | 50 мА | 35В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С27Т | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2s27t-datasheets-6093.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | Содержит свинец | 4 | неизвестный | 20 мкс, 20 мкс | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 1,7 мм | 3 мм | ПАЙКА | 0,031 (0,8 мм) | 1 мм | 1 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,02-0,12 мА | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY201 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~60°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy201-datasheets-6097.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | Без свинца | 2НА ТЕМНЫЙ ТОК | неизвестный | 2,6 В | 2В | 180 мкс, 60 мкс | 15 мА | 2В | Фотодарлингтон | 180 мкс | 60 мкс | 3,5 мм | 6,8 мм | 5,4 мм | ПАЙКА | 0,157 (4 мм) | 4 мм | 4 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,003-0,008 мА | 4В | 24В | 24В | 20 мА | 700 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS4720D | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs4720d-datasheets-6015.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | 1 мкс | Фотодиод | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХЭДС-1500 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~70°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | Вариант ТО-5, 8 выводов, металлическая банка с верхней крышкой линзы | Светоотражающий | Без свинца | неизвестный | 1,86 В | 50 мА | 1,72 В | Фотодиод | ПАЙКА | 0,168 (4,27 мм) | 4,52 мм | 4,01 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 5В | 655 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2349 | ООО «Адафрут Индастриз» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/adafruitindustriesllc-2349-datasheets-6022.pdf | Модуль, контакты ПК, активируемый датчик | Светоотражающий | 12 недель | Фототранзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2Л20Р | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2l20r-datasheets-6106.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | неизвестный | 1,4 В | 80 мкс, 70 мкс | 20 мА | 1,2 В | Фотодарлингтон | 80 мкс | 5 мм | 8,8 мм | 5 мм | ПАЙКА | 0,512 (13 мм) | 13 мм | 13 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 1-20 мА | 35В | 20 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ706Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 4-DIP-модуль | Светоотражающий | Фототранзистор | 0,05 (1,27 мм) | 50 мА | 30 В | 200 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1397-032 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 20 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1397032-datasheets-6110.pdf | 15 В | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 4,95 мм | 20 мА | 4,95 мм | 6,35 мм | Полиэстер | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Полиэстер | Нет | 20 мА | 1 | 100мВт | 75 мкс, 75 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 15 В | 30 мА | 60 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,050 (1,27 мм) | 15 В | 15 В | 30 мА | 60 мА | 3В | 15 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRC1133 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qrc1133-datasheets-6023.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 8 мкс, 8 мкс | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ701АЛ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb701al-datasheets-6126.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 9 недель | 4 | 457 мм | 80мВт | 1 | 50 мА | 1,7 В | Фотодарлингтон | 0,200 (5,08 мм) | 2В | 2В | 15 В | 15 В | 43 мА | 100 мА | 890 нм | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ITR9909 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/everlightelectronicscoltd-itr9909-datasheets-6027.pdf | 4-DIP-модуль | Светоотражающий | Без свинца | 15 недель | да | Нет | 1 | 75мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 50 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS5250D | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs5250d-datasheets-6031.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | 1 мкс | Фотодиод | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ711 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb712-datasheets-5633.pdf | 3В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 20 мА | 1,7 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 80мВт | 1 | 30 В | 24В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 20 мА | 0,080 (2,03 мм) | 2В | 24В | 2В | 24В | 3В | 25 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 24В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z4D-A01 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -10°К~55°К | Непригодный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-z4da01-datasheets-5965.pdf | Светоотражающий | Без свинца | неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 100 мкс | 25 мм | 20 мм | РАЗЪЕМ | 0,256 (6,5 мм) | 6,5 мм | 6,5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY169A-D | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy169a-datasheets-5558.pdf | 2-SIP | Светоотражающий | 17 недель | 30 мкс, 30 мкс | Фототранзистор | 0,157 (4 мм) | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRC1113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qrc1113-datasheets-5975.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 8 мкс, 8 мкс | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТРС5750 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs5750-datasheets-5979.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | 20 мкс, 30 мкс | Фототранзистор | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 20 В | 50 мА | 30 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕАИТРБА6 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaitrba6-datasheets-5899.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 15 недель | 8541.40.80.00 | 15 мкс, 15 мкс | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRB1113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-qrb1114-datasheets-5953.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 50 мА | 1,7 В | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 2 | 100мВт | 8 мкс, 8 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 8 мкс | 8 мкс | 0,150 (3,81 мм) | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 5В | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТХ-209-01 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -35°К~65°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/liteonnc-lth20901-datasheets-5903.pdf | 4-SIP-модуль | Светоотражающий | 12 недель | 4 | неизвестный | 100мВт | 1 | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 3 мкс | 4 мкс | 5 мм | ПАЙКА | 0,125 (3,18 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 1 мА | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNB10010RL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb10010rl-datasheets-5991.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | 3,4 мм | 1,5 мм | Содержит свинец | 4 | 30 мкс, 40 мкс | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мкс | 0,039 (1 мм) | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТХ-301-27П1 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -35°К~65°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/liteonnc-lth30127p1-datasheets-5907.pdf | Щелевой модуль | Светоотражающий | 12 недель | неизвестный | 1 | 100мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | Фототранзистор | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ОДИНОКИЙ | 5В | 30 В | 30 В | 40 мА | 40 мА | 4,1 мм | 1,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY191 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, под углом | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy191-datasheets-5996.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Без свинца | 4 | 2НА ТЕМНЫЙ ТОК | неизвестный | 1,5 В | 30 мкс, 30 мкс | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мкс | 9 мм | 18 мм | 6 мм | ПАЙКА | 0,178 (4,5 мм) | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,05-0,60 мА | 30 В | 20 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ706С | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb706a-datasheets-5522.pdf | 4-DIP-модуль | Светоотражающий | 1,7 В | 12 недель | 4 | 75мВт | 1 | 20 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 24В | 2В | 24В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 935 нм | 24В | 25 мА |
