Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Подкатегория | Источники питания | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КАИ-11002-АБА-СР-Б2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,97 мм | 44,45 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 66 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JP-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-16200-FXA-CD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf16200abacdb1-datasheets-1338.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 60°С | 14,5 В | 24 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,92 мм | 38,6 мм | 35,81 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 6x6 мкм | 69,3 дБ | 4500 | 3600 | ПОЛНЫЙ КАДР | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2001-ААА-ЦП-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-kai2001aaacpba-datasheets-1503.pdf | Модуль 32-CDIP | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 30 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16070-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 72 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 2 | 4864Г х 3232В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН012КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | 355 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН012КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1СН016КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-noiv1se016kagdi-datasheets-1221.pdf | 355-БСПГА, Окно | Без свинца | 23 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-16200-FXA-CD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf16200abacdb1-datasheets-1338.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 60°С | 14,5 В | 24 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,92 мм | 38,6 мм | 35,81 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 6x6 мкм | 69,3 дБ | 4500 | 3600 | ПОЛНЫЙ КАДР | |||||||||||||||||||||||||||
| NOIP1FN0300A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | 3,4 В | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 640 | 480 | 1/4 дюйма | 72 МГц | 815 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||
| НОИВ1СН012КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-noiv1se016kagdi-datasheets-1221.pdf | 355-БСПГА, Окно | Без свинца | 23 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | НЕТ | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 4096Г х 4096В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН1300А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЕ СТАВНИ, РОЛЬСТАВНИ | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 43 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 360 МГц | 210 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||||||
| NOIP1FN0500A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | 3,4 В | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 800 | 600 | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2020-ФБА-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 60 ДБ. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,44 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 68 дБ | 35 | 1600 В х 1200 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ARX550HDSC00XPEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 63-ЛБГА | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН1300А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 3,4 В | Без свинца | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 1280 | 1024 | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-4011-ААА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4011aaacrae-datasheets-3143.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-ААА-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000aaajdb2-datasheets-1371.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 40 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V011P11STC-B-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -20°К~60°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 28-ЛЦК | 13 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | ДА | 2,55~3,05 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 4,05 мм | 11,43 мм | 11,43 мм | ПЛАСТИК | 0,20-2,60 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 дБ | 640 | 30 | 640Г х 480В | 1/4 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ARX342CS2C00SPED0-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-arx342cs2c00sped0dr-datasheets-1376.pdf | 63-ЛФБГА | Без свинца | 111 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 22 часа назад) | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16070-QXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 2 | 4864Г х 3232В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 47,24 мм | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 6644 | 1 | 6576Г х 4408В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16050-QXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-kai16050qxajdb2-datasheets-0911.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 15 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 4964 | 2 | 4896Г х 3264В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-0340-ABB-CB-AA-ОДИНОЧНЫЙ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 110 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН010КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1sn010kagdi-datasheets-1488.pdf | Без свинца | 20 недель | 355 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAI-04070-QBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04070qbajdba-datasheets-1391.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 8 | 2048Г х 2048В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIP1SE016KA-GDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V111IA7ATC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -20°К~60°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v111ia7atctr-datasheets-5445.pdf | 52-БГА | Без свинца | 14 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,55~3,05 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 90 | 640Г х 480В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН0500А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 16 часов назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 800 | 43 | 800В х 600В | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||
| КАИ-16070-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР, ОПТИЧЕСКИЙ ФОРМАТ 1,37 ДЮЙМА. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 3,61 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 2 | 4864Г х 3232В |
