Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Подкатегория | Источники питания | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9V011P11STC-B-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -20°К~60°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 28-ЛЦК | 111 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | ДА | 2,55~3,05 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 4,05 мм | 11,43 мм | 11,43 мм | ПЛАСТИК | 0,20-2,60 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 дБ | 640 | 30 | 640Г х 480В | 1/4 дюйма | 27 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 1 | 6576Г х 4408В | 4/2,99 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V111IA7ATC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -20°К~60°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v111ia7atctr-datasheets-5445.pdf | 52-БГА | Без свинца | 14 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,55~3,05 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 90 | 640Г х 480В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН0500А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 16 часов назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 800 | 43 | 800В х 600В | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||
| КАИ-16070-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР, ОПТИЧЕСКИЙ ФОРМАТ 1,37 ДЮЙМА. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 3,61 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 2 | 4864Г х 3232В | ||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-4011-CBA-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4011aaacrae-datasheets-3143.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 16 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE5000A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 84-ЛЦК | 3,6 В | Без свинца | 20 недель | 84 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН5000А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 84-ЛЦК | Без свинца | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M025IA3XTC-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m025ia3xtcdrbr-datasheets-1329.pdf | 63-ЛБГА | Без свинца | 15 недель | 1,8 В 2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 1 | 6576Г х 4408В | 4/2,99 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||
| KAC-06040-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kac06040abajdba-datasheets-1332.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН2000А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 84-ЛЦК | Без свинца | 20 недель | 84 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-16200-АБА-CD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf16200abacdb1-datasheets-1338.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 60°С | 14,5 В | 24 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,92 мм | 38,6 мм | 35,81 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 6x6 мкм | 69,3 дБ | 4500 | 3600 | ПОЛНЫЙ КАДР | ||||||||||||||||||||||||||
| СЕН-12804 | Электроника SparkFun | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-AXA-JR-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 1 | 6576Г х 4408В | 4/2,99 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-ААА-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 40 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04022-ФБА-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 70°С | -50°С | 15,5 В | 14,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,65 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 7,4х7,4 мкм | 72 дБ | 2048 | 2048 | 4/3 дюйма | ИНТЕРЛАЙН | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-4021-ААА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4021abacrba-datasheets-1130.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04070-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04070pbajdba-datasheets-0648.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 8 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-4021-АБА-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4021abacrba-datasheets-1130.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 18 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН0300А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 640 | 43 | 640Г х 480В | 1/4 дюйма | 72 МГц | 815 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||
| КАИ-16070-PXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 71 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 2 | 4864Г х 3232В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН5000А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 84-ЛЦК | 3,6 В | Без свинца | 20 недель | 84 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 2,41 мм | 19 мм | 19 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 100 | 2592Г х 2048В | 72 МГц | ||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2001-АБА-СР-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2001abacdae-datasheets-3013.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 3,56 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 15 | 1600 В х 1200 В | ||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE1300A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЕ СТАВНИ, РОЛЬСТАВНИ | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 43 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 360 МГц | 210 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02050-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-ABB-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | 68 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 40 Мбит/с | 27,94 мм | 27,94 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 30 | 1000Г х 1000В | ||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2020-ААА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 35 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН2000А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 84-ЛЦК | 3,6 В | Без свинца | 20 недель | 84 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2093-АБА-СК-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2093abackba-datasheets-1102.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,42 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 300-1000 | 15 | 1920 Г х 1080 В |
