Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Количество контактов | Подкатегория | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Жилье | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Чувствительность (В/лк.с) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КАИ-04022-CBA-CD-BA | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 6 (время на этикетке) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | 14,5 В~15,5 В | 34-CDIP | 7,4 мкмx7,4 мкм | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02150-АБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 64-BCQFN | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 1920 год | 64 | 1200 х 1080 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-8300-ААБ-ЦБ-АА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -10°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kaf8300axccbaa-datasheets-0343.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 23 МИКРОВ/ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | 4,42 мм | 29,21 мм | 20,32 мм | КЕРАМИКА | 5,4 мкмx5,4 мкм | 64,4 дБ | 3326 х 2504 В | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-01150-FBA-JB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai01150abafdae-datasheets-3095.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,33 мм | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 138 | 1280 Г х 720 В | 1/2 дюйма | ||||||||||||||||||||||||
| КАФ-8300-AXC-CP-AA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -10°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kaf8300axccbaa-datasheets-0343.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 23 МИКРОВ/ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | 4,42 мм | 29,21 мм | 20,32 мм | КЕРАМИКА | 5,4 мкмx5,4 мкм | 64,4 дБ | 3326 х 2504 В | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-01150-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai01150abafdae-datasheets-3095.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,33 мм | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 138 | 1280 Г х 720 В | 1/2 дюйма | ||||||||||||||||||||||||
| КАФ-18500-NXA-JH-AA-08 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 0°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf18500nxajhaa08-datasheets-0398.pdf | 48-БПГА | 15,5 В | Без свинца | 48 | Нет | 14,5 В~15,5 В | 6,8 мкмx6,8 мкм | 5270Г х 3516В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-50100-CAA-JD-AA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 0°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf50100caajdaa-datasheets-0490.pdf | 52-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 52 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 6 мкмx6 мкм | 8176В х 6132В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-01150-QBA-FD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai01150abafdae-datasheets-3095.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | ДА | 14,5 В~15,5 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 138 | 1280 Г х 720 В | 1/2 дюйма | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-0330-AAA-CP-BA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 40°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai0330aaacpbadual-datasheets-0495.pdf | Модуль 20-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 12 В~15,5 В | 15 В | 9 мкмx9 мкм | 648 | 120 | 648Г х 484В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-3200-АБА-ЦП-Б2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -60°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf3200abacpb2-datasheets-0408.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | 24 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 12 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,25 В | 15 Мбит/с | 34,54 мм | 20,19 мм | КЕРАМИКА | 6,8 мкмx6,8 мкм | 78 дБ | 200-1100 | 2184Г х 1472В | |||||||||||||||||||||||
| КАФ-4320-ААА-JP-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -70°С~50°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-kaf4320aaajpb1-datasheets-0172.pdf | 84-БПГА | 21В | Без свинца | 9 недель | 84 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | Нет | 3 Мбит/с | 24 мкмx24 мкм | 87,5 дБ | 300-1200 | 2084Г х 2085В | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02170-CBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170cbajdba-datasheets-0414.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 | 1920 Г х 1080 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-50100-АБА-JR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 0°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf50100aaajdba-datasheets-0360.pdf | 52-BCPGA | Без свинца | 52 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 6 мкмx6 мкм | 8176В х 6132В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAF-8300-CXB-CB-AA-OFFSET | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -10°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf8300axccbaa-datasheets-0343.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 23 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | 29,21 мм | 20,07 мм | КЕРАМИКА | 5,4 мкмx5,4 мкм | 64,4 дБ | 3326 х 2504 В | |||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-3200-АБА-CD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -60°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf3200abacpb2-datasheets-0408.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | 24 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 12 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,25 В | 15 Мбит/с | 34,54 мм | 20,19 мм | КЕРАМИКА | 6,8 мкмx6,8 мкм | 78 дБ | 200-1100 | 2184Г х 1472В | |||||||||||||||||||||||
| КАИ-02050-ФБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | ДА | 14,5 В~15,5 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||||||||||
| КАФ-1001-ААА-ЦП-Б1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~50°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf1001aaacbb2-datasheets-0275.pdf | Модуль 26-CDIP | 17,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 11 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 15 В~17,5 В | 5 Мбит/с | 35,56 мм | 35,56 мм | КЕРАМИКА | 24 мкмx24 мкм | 97 дБ | 300-1200 | 1024Г х 1024В | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02050-АБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 64-BCQFN | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||
| КАИ-02150-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 | 1200Г х 1080В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-1001-ААА-CB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~50°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf1001aaacbb2-datasheets-0275.pdf | Модуль 26-CDIP | 17,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 11 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 15 В~17,5 В | 5 Мбит/с | 35,56 мм | 35,56 мм | КЕРАМИКА | 24 мкмx24 мкм | 97 дБ | 300-1200 | 1024Г х 1024В | ||||||||||||||||||||||||
| КАФ-50100-ААА-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 0°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf50100aaajdba-datasheets-0360.pdf | 52-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 52 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 18 Мбит/с | 3,46 мм | 59,61 мм | 50,8 мм | КЕРАМИКА | 6 мкмx6 мкм | 70,2 дБ | 350-1100 | 8176В х 6132В | ||||||||||||||||||||||
| КАФ-1001-ААА-ЦП-Б2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~50°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf1001aaacbb2-datasheets-0275.pdf | Модуль 26-CDIP | 17,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 11 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 15 В~17,5 В | 5 Мбит/с | 35,56 мм | 35,56 мм | КЕРАМИКА | 24 мкмx24 мкм | 97 дБ | 300-1200 | 1024Г х 1024В | ||||||||||||||||||||||||
| KAI-01150-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai01150abafdae-datasheets-3095.pdf | 67-БКПГА | 33,02 мм | 3,35 мм | 20,07 мм | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 68 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 138 | 1280 Г х 720 В | 1/2 дюйма | ||||||||||||||||||||||||
| NOIS1SC1000A-HHC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поднос | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nois1sc1000ahhc-datasheets-4750.pdf | Окно 84-CLCC (J-вывод) | 5,5 В | Без свинца | 84 | ДА | 5В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 4,17 мм | 29,21 мм | 29,21 мм | КЕРАМИКА | 15 мкмx15 мкм | 11 | 1024Г х 1024В | 1 дюйм | ||||||||||||||||||||||||||
| НОИЛ1SE0300A-QDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°С~70°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-noil1sm0300aqdc-datasheets-4609.pdf | 48-LCC | Без свинца | 28 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | е3 | Матовый олово (Sn) | Без галогенов | ДА | 2,5 В~3,3 В | 48 | ПЗС-датчики изображения | 2,5 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,55 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | КЕРАМИКА | 9,9 мкмx9,9 мкм | 61 дБ | 640 | 250 | 640Г х 480В | 1/2 дюйма | 80 МГц | 17 В/лк.с | |||||||||||||||
| OVP7200-W20A-AF | ОмниВижн Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-6303-ААА-ЦП-Б2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -60°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf6303aaacdb2-datasheets-0354.pdf | Модуль 26-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 10 Мбит/с | 38,1 мм | 22,1 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 76 дБ | 400-1100 | 3072Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||
| KAF-16803-ABA-DP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -60°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf16803abaddba-datasheets-0228.pdf | Модуль 34-CDIP | 17В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 22 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,75 В~17 В | 10 Мбит/с | 50,8 мм | 50,8 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 80 дБ | 300-1100 | 4096Г х 4096В | ||||||||||||||||||||||||
| КАФ-0402-АБА-CD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf0402abacdb1-datasheets-0300.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 10 Мбит/с | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 76 дБ | 768 | 768 х 512 В |
