| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Подкатегория | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Особенности монтажа | Жилье | Размер пикселя | Динамический диапазон | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Частота кадров | Чувствительность (В/лк.с) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CHR71000HGES-1E5M1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°С~60°С ТА | Непригодный | /files/ams-chr71000hges1e5m1pa-datasheets-6486.pdf | 65-ЦБПГА | 22 недели | 3,3 В | 3,1 мкмx3,1 мкм | 3 | 10000В х 7096В | |||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-50100-ФАА-JD-АА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 0°С~60°С ТА | 52-BCPGA | 9 недель | 14,5 В~15,5 В | 6 мкмx6 мкм | 1 | 8176В х 6132В | |||||||||||||||||||||||||||||
| НОИКС1SE8000B-LTI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 128 | 4096 х 2160 В | ||||||||||||||||||||||||
| OV02680-H47A | ОмниВижн Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | КамераЧип™ | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/omnivisiontechnologiesinc-ov02680h47a-datasheets-6545.pdf | Модуль | 14 недель | 1,5 В~3,1 В | ПЗС-датчики изображения | 1,58 В | 1,75 мкмx1,75 мкм | 30 | 1616Г х 1216В | ||||||||||||||||||||||
| NOIX1SE9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ4000-2Э12М1ПП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e12m1pp-datasheets-6403.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SN9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ4000-2Э5М1ПП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e5c1pp-datasheets-6375.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН5000А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | ООО | 3,6 В | Без свинца | 15 недель | 84 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | ||||||||||||||||||
| НОИКС1СН9400Б-ЛТИ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-2E5M1LP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e5m1lp-datasheets-6343.pdf | 95-CBLGA | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | ||||||||||||||||||||||||||
| CMV8000ES-1E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv8000es1e5m1pa-datasheets-6349.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 107-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 104 | 3360 х 2496 В | |||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SE012KB-LTI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е5М1СА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 92-ЛЦК | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||
| CMV8000ES-1E5M1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv8000es1e5m1pa-datasheets-6349.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 107-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 104 | 3360 х 2496 В | |||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E5C1LP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | да | 1,8 В~3,3 В | 95-ЛГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E12M1LP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | да | 1,8 В~3,3 В | 95-ЛГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ12000-2Е5М1ПА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ4000-3Е5М0ПН | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1SE016KA-GTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ВИТА | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noiv1sn012kagti-datasheets-6382.pdf | 355-БСПГА, Окно | 10 недель | да | 1,6 В~2 В 3 В~3,6 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 4096Г х 4096В | ||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SN012KB-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1sn012kblti-datasheets-6373.pdf | 13 недель | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИКС1СН8000Б-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | 4 (72 часа) | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-ЛГА | 13 недель | да | совместимый | 1,7 В ~ 1,9 В 2,7 В ~ 2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 128 | 4096 х 2160 В | |||||||||||||||||||||||||
| NOIX2SE9400B-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||
| CMV12000-2E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-2E5C1PP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40002e5c1pp-datasheets-6375.pdf | 22 недели | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||
| CHR71000ES-1E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°С~60°С ТА | /files/ams-chr71000es1e5c1pa-datasheets-6460.pdf | 65-ЦБПГА | 22 недели | 3,3 В | 3,1 мкмx3,1 мкм | 3 | 10000В х 7096В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NOIX1SE9400B-LTI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noix1se8000blti-datasheets-6298.pdf | 163-БКЛГА | 13 недель | да | 1,7 В~1,9 В 2,7 В~2,9 В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 3072Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1СН012КА-ГТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ВИТА | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noiv1sn012kagti-datasheets-6382.pdf | 355-БСПГА, Окно | 10 недель | да | 1,6 В~2 В 3 В~3,6 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 110 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E5C1CA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАНЫЙТВОР, РАСШИРЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН ДО 90 ДБ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 60 дБ | 180 | 2048Г х 2048В | 1 дюйм | 37 кадров в секунду | 5,56 В/лк.с | ||||||||||||||||
| CMV4000-3E5M1CA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 22 недели | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАНЫЙТВОР, РАСШИРЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН ДО 90 ДБ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 60 дБ | 180 | 2048Г х 2048В | 1 дюйм | 37 кадров в секунду | 5,56 В/лк.с |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.