Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули ИК-трансиверов(156)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальная мощность | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Тип интерфейса микросхемы | Прямое напряжение | Время подъема | Осень (тип.) | Стандарты | Длина волны | Длина волны — Пик | Пиковая длина волны | Размер | Ток холостого хода, тип. при 25°С | Диапазон связи, собственная мощность | Неисправность |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TFDU5307-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu5307tr1-datasheets-1884.pdf | 5,5 В | 8 | Вид спереди | 2,7 В~5,5 В | 1152 Мбит/с (МИР) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 550 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ882-H14E2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm882h14e2a-datasheets-1778.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | да | Вид спереди | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | 225 | НЕ УКАЗАН | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 890 нм | 8,00 мм х 2,90 мм х 2,40 мм | 80 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU5307-TT1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu5307tr1-datasheets-1884.pdf | 5,5 В | 8 | Вид сверху | 2,7 В~5,5 В | 1152 Мбит/с (МИР) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 550 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ873-Е2А | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm873e2a-datasheets-2088.pdf | Модуль | 3,6 В | 17 недель | 8 | да | Вид спереди | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2В~3,6В | 225 | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU8108-TT3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 0°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu8108tt3-datasheets-1978.pdf | Вид сверху | 2,7 В~5,5 В | 16 Мбит/с (VFIR) | ИрФИЗ 1.4 | 9,7 мм х 4,7 мм х 4,0 мм | 2мА | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU8108-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 0°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 100°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu8108tt3-datasheets-1978.pdf | 5,5 В | 8 | Вид спереди | Нет | 2,7 В~5,5 В | 16 Мбит/с (VFIR) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 9,7 мм х 4,7 мм х 4,0 мм | 2мА | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТФДУ4300-ТТ3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu4300tt3-datasheets-1880.pdf | СМД/СМТ | Без свинца | 5,5 В | 2,4 В | 8 | Вид сверху | 2,4 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | 100 нс | 100 нс | ИрФИЗ 1.0 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 75 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ873-Е2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm873e2a-datasheets-2088.pdf | Модуль | 3,6 В | Без свинца | 8 | да | Вид спереди | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2В~3,6В | 225 | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 870 нм | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТФДУ8108 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 0°К~100°К | Трубка | 4 (72 часа) | 100°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu8108tt3-datasheets-1978.pdf | 5,5 В | 8 | Универсальный | 2,7 В~5,5 В | 16 Мбит/с (VFIR) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 9,7 мм х 4,7 мм х 4,0 мм | 2мА | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ873-Е4А | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm873e2a-datasheets-2088.pdf | Модуль | 3,6 В | Без свинца | 8 | Вид спереди | Нет | 2В~3,6В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W3270XP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2w3270xp0f-datasheets-1812.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | Вид сверху | 2,4 В~3,6 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИрФИЗ 1.4 | 890 нм | 8,3 мм х 2,1 мм х 1,7 мм | 70 мкА | 20 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU6300-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu6300tt3-datasheets-2084.pdf | СМД/СМТ | 8,5 мм | 3,1 мм | 2,5 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 8 | да | Вид спереди | Нет | 1 | 500мВт | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | Л ИЗГИБ | 260 | 3,3 В | 8 | 40 | 4 Мбит/с (FIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 40 нс | 40 нс | ИрФИЗ 1.4 | 886 нм | 8,5 мм х 3,1 мм х 2,5 мм | 1,8 мА | 70 см | |||||||||||||||||||||||
| TFBS5700-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfbs5700tr3-datasheets-1830.pdf | 3,6 В | 6 | Вид спереди | 2,4 В~3,6 В | 1152 Мбит/с (МИР) | ИрФИЗ 1.4 | 6,8 мм х 2,8 мм х 1,6 мм | 550 мкА | 50 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CND0209A | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnd0209a-datasheets-1839.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | 9 | Вид сверху | неизвестный | 1 | НЕТ | 2,4 В~3,6 В | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 260 | 2,8 В | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 115,2 Кбит/с (SIR) | 8,2 мм х 1,6 мм х 2,0 мм | 200нА | 23 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W0118YP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | Модуль | Без свинца | 15 недель | 3,6 В | 2В | 8 | Вид сверху | 2,7 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | 60нс | 60 нс | ИрФИЗ 1.2 | 870 нм | 7,2 мм х 2,8 мм х 1,9 мм | 20 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZHX1203MB115THTR | Зилог | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИР УльтраСлим™ | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/zilog-zhx1203mb115thtr-datasheets-7659.pdf | Модуль | 7,3 мм | 1,9 мм | 2,8 мм | 3,6 В | Содержит свинец | 7 | нет | Вид спереди | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 2,4 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 225 | 3,3 В | 7 | 30 | Не квалифицирован | Р-XSMA-N7 | 115,2 Кбит/с (SIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИрФИЗ 1.4 | 870 нм | 7,3 мм х 2,8 мм х 1,9 мм | 100 мкА | 20 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||
| ZHX1223TB115THTR | Зилог | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИР УльтраСлим™ | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | Модуль | 6,9 мм | 2,7 мм | 1,8 мм | 3,6 В | Без свинца | 7 | нет | Вид сверху | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 2,4 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 225 | 3,3 В | 8 | 30 | Не квалифицирован | Р-XSMA-N7 | 115,2 Кбит/с (SIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИрФИЗ 1.4 | 870 нм | 7,3 мм х 2,8 мм х 1,9 мм | 90 мкА | 20 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||
| CND0204A | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnd0204a-datasheets-1861.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | 8 | Вид сверху | неизвестный | 1 | НЕТ | 2,4 В~3,6 В | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 260 | 2,8 В | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-XXMA-X9 | 115,2 Кбит/с (SIR) | 7,2 мм х 1,6 мм х 2,6 мм | 200нА | 42см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-3612-008 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | БИКМОС | Соответствует RoHS | 2006 г. | /fileonc-hsdl3612007-datasheets-1444.pdf | СМД/СМТ | Без свинца | 10 | 11 | Вид сверху | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 2,7 В~5,25 В | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 10 | Не квалифицирован | Р-XSMA-N10 | 115,2 кбит/с | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИК-порт 1.4 | 880 нм | 12,2 мм х 5,1 мм х 4,0 мм | 2,5 мА | 1,5 м | Да | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-3020-021 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | БИКМОС | Соответствует RoHS | 2006 г. | /fileonc-hsdl3020021-datasheets-1888.pdf | СМД/СМТ | 10 | да | Вид спереди | неизвестный | 1 | Чистое олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | 260 | 3В | 10 | Не квалифицирован | 4 Мбит/с | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИК-порт 1.4 | 875 нм | 10,4 мм х 2,95 мм х 2,5 мм | 2мА | 50 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W0004XP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2w0004yp-datasheets-1311.pdf | Модуль | 9,21 мм | 3,8 мм | 3,95 мм | Без свинца | 15 недель | 5,5 В | 2,4 В | 6 | Вид сверху | 2,4 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | 94нс | 94 нс | 870 нм | 9,2 мм х 3,9 мм х 2,7 мм | 1 мкА | 20 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU4300-TT1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu4300tt3-datasheets-1880.pdf | СМД/СМТ | Неизвестный | 5,5 В | 2,4 В | 8 | Вид сверху | 90 мкА | 2,4 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | 100 нс | 100 нс | ИрФИЗ 1.0 | 900 нм | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 75 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-3005-028 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /fileonc-hsdl3005028-datasheets-1765.pdf | СМД/СМТ | Вид сверху | 2,4 В~3,6 В | 115,2 кбит/с (СИР) | ИК-порт 1.4 | 8,0 мм х 3,0 мм х 2,5 мм | 50 мкА | 50 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU4300-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu4300tt3-datasheets-1880.pdf | СМД/СМТ | 10 мА | Без свинца | 5,5 В | 2,4 В | 8 | Вид спереди | Нет | 2,4 В~5,5 В | 250мВт | 115,2 Кбит/с (SIR) | 100 нс | 100 нс | ИрФИЗ 1.0 | 900 нм | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 75 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-3201#021 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | БИКМОС | Соответствует RoHS | 2002 г. | /fileonc-hsdl3201001-datasheets-1389.pdf | СМД/СМТ | 2,5 мм | 2,6 В | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | да | Вид спереди | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 2,7 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | 260 | 3В | 8 | 10 | 115,2 кбит/с | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИК-порт 1.2 | 880 нм | 7,5 мм х 3,35 мм х 2,8 мм | 100 мкА | 20 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W1002YP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2w1002yp0f-datasheets-1918.pdf | Модуль | 5,5 В | Без свинца | 8 | 6 | Вид спереди | неизвестный | 1 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НЕТ | 2,7 В~5,5 В | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-XSMA-N8 | 1152 Мбит/с (МИР) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИрФИЗ 1.4 | 870 нм | 8,0 мм х 3,0 мм х 2,5 мм | 10нА | 20см 1м | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-3210-021 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /fileonc-hsdl3210021-datasheets-1774.pdf | СМД/СМТ | 8 | Вид спереди | ТРЕБУЕТСЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ПИТАНИЕ СВЕТОДИОДОВ НАПРЯЖЕНИЕМ ОТ 2,7 В ДО 5,5 В. | неизвестный | 1 | НЕТ | 2,7 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-XSMA-N8 | 1,15 Мбит/с | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИК-порт 1.4 | 8,0 мм х 3,0 мм х 2,5 мм | 300 мкА | 5см 20см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU4300-TR1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu4300tt3-datasheets-1880.pdf | СМД/СМТ | Без свинца | 5,5 В | 2,4 В | 8 | Вид спереди | 2,4 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | 1,8 В | 100 нс | 100 нс | ИрФИЗ 1.0 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 75 мкА | 70 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ882-H14E2A | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm882h14e2a-datasheets-1778.pdf | Модуль | 3,6 В | 17 недель | 9 | да | Вид спереди | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | 225 | НЕ УКАЗАН | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 890 нм | 8,0 мм х 2,9 мм х 2,2 мм | 80 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-3003-021 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | БИКМОС | Соответствует RoHS | 2006 г. | /fileonc-hsdl3003021-datasheets-1787.pdf | 8 | 8 | да | Вид спереди | неизвестный | 1 | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | НЕТ | 2,4 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 10 | Не квалифицирован | 115,2 кбит/с (СИР) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИК-порт 1.4 | 8,0 мм х 2,95 мм х 2,0 мм | 50 мкА | 50 см | Да |
