Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Материал корпуса | Радиационная закалка | Длина результата | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Рассеяние активности | Время ответа | Подкатегория | Выходная мощность | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Время отклика-Макс. | Обратное напряжение проба | Обратное напряжение | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Полупроводниковый материал | Длина волны | Длина волны – пик | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Темный ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий – Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTD5052W | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtd5052w-datasheets-1168.pdf | 12 недель | неизвестный | Фотодиоды | 110° | 5В | 525 нм | 5пА | 5В | 410 нм ~ 580 нм | 0,3 А/Вт при 525 нм | Синий/Зеленый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 0200-3111-111 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-02003111111-datasheets-1262.pdf | ТО-46-3 Банка металлическая с верхней крышкой объектива | 2 недели | 900 нм ~ 1700 нм | 20 В | Диаметр 0,50 мм | 600пА | 0,83 А/Вт при 1300 Нм, 0,95 А/Вт при 1550 Нм | Инфракрасный (NIR)/красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИНЛ-5АНПД80 | Инолюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | Радиальный | 6 недель | 45 мкс | 80° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 170 В | 400 нм ~ 1100 нм | 5нА | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ 34 ФАСР-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpw34fasrz-datasheets-0867.pdf | 2-СМД, З-изгиб | 14 недель | 20нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 880 нм | 16 В | 730 нм ~ 1100 нм | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИНЛ-5АПД80 | Инолюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Радиальный | 6 недель | 45 мкс | 80° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 170 В | 400 нм ~ 1100 нм | 5нА | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВБП104ФАС | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbp104fas-datasheets-0409.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 4,4 мм | 1,2 мм | 3,9 мм | Без свинца | КВАДРАТ | 13 недель | Неизвестный | 2 | да | ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА, ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 215мВт | 215мВт | Фотодиоды | 50 мА | 1,3 В | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | Кремний | 950 нм | 2нА | ДА | 780 нм ~ 1050 нм | 4,4 мм2 | 2нА | 0,035 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| SUF083J001 | Усовершенствование датчиков амфенола | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Определяется пользователем | -30°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/amphenoladvancedsensors-suf083j001-datasheets-1184.pdf | 11 недель | 90° | 925 нм | 400 нм ~ 1100 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-42ВБ | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-odd42wb-datasheets-1193.pdf | 16 недель | неизвестный | 30 нс | 60В | 940 нм | 11нА | 60В | 400 нм ~ 1100 нм | 42 мм2 | 0,4 А/Вт при 632 нм | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИНЛ-3АНПД80 | Инолюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Радиальный | 6 недель | 45 мкс | 80° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 170 В | 400 нм ~ 1100 нм | 5нА | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С612-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6122-datasheets-1208.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 17,8 мм | 410 мкм | 5,08 мм | 16 недель | 159 мм | 45нс | 45нс | 50В | 75В | 950 нм | 75нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 68,7 мм2 | 75нА | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ23НФЛ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv23nf-datasheets-1103.pdf | Радиальный | 48пФ | 7 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 70нс | 50 мА | 1,3 В | 120° | 70нс | 70 нс | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 950 нм | 2нА | 60В | 870 нм ~ 1050 нм | 4,4 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-42W | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-odd42w-datasheets-1008.pdf | 16 недель | неизвестный | 30 нс | 60В | 940 нм | 11нА | 60В | 400 нм ~ 1100 нм | 42 мм2 | 0,4 А/Вт при 632 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 057-11-21-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-0571121011-datasheets-1115.pdf | 14 недель | 13нс | 51° | ПРИКОЛОТЬ | 660 нм | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 1,69 мм2 | 500пА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД3910PM | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtd3910pm-datasheets-1013.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | 12 недель | 900 нм | 30 В | 400 нм ~ 1100 нм | 10 нА Макс. | 0,58 А/Вт при 900 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 066-24-21-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-0662421011-datasheets-1121.pdf | 14 недель | 13нс | 42° | 660 нм | 50В | 350 нм ~ 1100 нм | 0,69 мм2 (х2) | 200пА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТР-516АД | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/liteonnc-ltr516ad-datasheets-1015.pdf | Радиальный | 6,6 мм | 5 мм | 30 В | Без свинца | ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ | 12 недель | 2 | Пластик | неизвестный | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | 150 мВт | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 5е-8с | 30 В | 30 В | Кремний | 940 нм | 30нА | ДА | 770 нм ~ 1000 нм | 30 нА Макс. | 0,002 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 205 Ф | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh205f-datasheets-1127.pdf | Радиальный | 14 недель | 20нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 950 нм | 32В | 800 нм ~ 1100 нм | 7,02 мм2 | 2нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VTP8350H | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°К~75°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/excelitastechnologies-vtp8350h-datasheets-1022.pdf | 2-DIP-модуль | 6 недель | 2 | неизвестный | 8541.40.60.50 | НЕТ | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 120° | Кремний | 940 нм | 30нА | 140 В | 400 нм ~ 1150 нм | 7,45 мм2 | 30нА | 0,55 А/Вт при 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 057-14-21-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-0571421011-datasheets-1139.pdf | 16 недель | 13нс | 51° | ПРИКОЛОТЬ | 660 нм | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 1,69 мм2 | 100пА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С156 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | Радиальный | 7,4 мм | 5,1 мм | Без свинца | 14 недель | Пластик | 16 мм | 120° | 15нс | 75В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 8,07 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAPDSZ4439A4 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eapdsz4439a4-datasheets-1033.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 8541.40.80.00 | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 940 нм | 5нА | 32В | 730 нм ~ 1100 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПР5925 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Масса | 4 (72 часа) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5925-datasheets-1046.pdf | СМД/СМТ | 12 недель | 12 | 35В | 35В | 890 нм | 30нА | 35В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,75 мм2 (х4) | 30нА | 0,45 А/Вт при 890 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПД204-6С/Л3 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/everlight-pd2046cl3-datasheets-5684.pdf | Радиальный | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 15 недель | 2 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | Прозрачный | 10 нс | 10 нс | ОДИНОКИЙ | 32В | ПРИКОЛОТЬ | 170 В | 940 нм | 10нА | 3 мм | ДА | 400 нм ~ 1100 нм | 9 мм2 | 0,01 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЭМД1040 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-temd1020-datasheets-0096.pdf | СМД/СМТ | КРУГЛЫЙ | 14 недель | 2 | да | ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 75мВт | 75мВт | Фотодиоды | 50 мА | 1,3 В | 30° | 4нс | 4 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | Кремний | 940 нм | 1нА | 1,9 мм | ДА | 790 нм ~ 1050 нм | 0,55 А/Вт при 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ23Ф | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv23f-datasheets-1064.pdf | Радиальный, вид спереди | 48пФ | 4,5 мм | 6 мм | 5 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 215мВт | 50 мА | 1,3 В | 120° | 70нс | 70 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 950 нм | 2нА | 60В | 870 нм ~ 1050 нм | 4,4 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VTP8551H | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/excelitastechnologies-vtp8551h-datasheets-1071.pdf | 2-DIP-модуль | 6 недель | 2 | неизвестный | 8541.40.60.50 | НЕТ | Фотодиоды | PIN-ФОТОДИОД | 100° | Кремний | 925 нм | 30нА | 140 В | 400 нм ~ 1150 нм | 7,45 мм2 | 30нА | 0,55 А/Вт при 925 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-3W-2 | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-odd3w2-datasheets-1082.pdf | 16 недель | неизвестный | 190 нс | 75В | 950 нм | 900пА | 75В | 250–1100 нм | 3 мм2 | 0,36 А/Вт при 633 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-C158F | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | 5 мм | Радиальный | 14 недель | 16,3 мм | 120° | 50 нс | 75В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 700 нм ~ 1100 нм | 9 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2505 ФА-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2505faz-datasheets-0860.pdf | Радиальный | 14 недель | 5нс | 30° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 50В | 750 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | 100пА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSE773 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, под углом | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-qse773-datasheets-1094.pdf | Радиальный, вид спереди | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 4 недели | 270,9 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА | Нет | 8541.40.70.80 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 150 мВт | Фотодиоды | 150 мВт | 120° | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 5е-8с | 32В | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 32В | 920 нм | 30нА | 7,6 мм | ДА | 0,03 мА |
