Транзисторные оптические датчики — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по производству электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree Контактное покрытие Радиационная закалка Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Время подъема Осень (тип.) Расстояние внедрения Конфигурация вывода Обратное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Темный ток-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ширина слота-ном. Номинальный ток коллектора в состоянии включения
OPB390N55Z ОПБ390Н55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 недель 4 Нет 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB810L55 ОПБ810Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 1,7 В 10 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB800W55 ОПБ800W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 5 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390N51Z ОПБ390Н51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 мА 7 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 30 В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB821S10 ОПБ821С10 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 30 В
OPB360P55 ОПБ360П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB380N51Z ОПБ380Н51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB810W55 ОПБ810W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 5 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390N11Z ОПБ390Н11З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB390L11 ОПБ390Л11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB380P55 ОПБ380П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB380P11 ОПБ380П11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390T51 ОПБ390Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB380N55Z ОПБ380Н55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 10 недель 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB812W55 ОПБ812W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 5 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB380T11 ОПБ380Т11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390P55 ОПБ390П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 18,47 мм 15,25 мм 6,35 мм 4 100мВт 1 100мВт 1 50 мА Фототранзистор 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390L55 ОПБ390Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390N55 ОПБ390Н55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB380N11 ОПБ380Н11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB380N51 ОПБ380Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB380T55 ОПБ380Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB801W55 ОПБ801W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 5 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390N11 ОПБ390Н11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB375P55 ОПБ375П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB390P11 ОПБ390П11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB820 ОПБ820 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 10 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 890 нм 30 В
OPB390N51 ОПБ390Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
GP1S59J0000F GP1S59J0000F SHARP/Цокольная технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 4 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 75мВт 3 мкс, 4 мкс 1 20 мА 50 мА 1,25 В 15 мкс 20 мкс 0,165 (4,2 мм) Фототранзистор 35В 35В 20 мА 4,2 мм 0,5 мА
RPI-441C1 РПИ-441С1 РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2005 г. /files/rohmsemiconductor-rpi441c1-datasheets-1751.pdf 1,3 В Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 8 мм 5,2 мм 4,2 мм Без свинца 10 недель 4 да Медь, Серебро, Олово Нет 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 80мВт 1 80мВт 10 мкс, 10 мкс 50 мА 1,3 В 10 мкс 10 мкс 0,157 (4 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 950 нм 500нА 4 мм 1 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.