Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Количество цепей | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ370Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ375П11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370П51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ830W55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10,8 мм | 4 | Пластик | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S196HCZSF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, крыло чайки | -25°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2006 г. | 4-СМД | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | Медь, Олово | Нет | 1 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 1 | 30 мА | 150 мкс | 150 мкс | 0,043 (1,1 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 930 нм | 20 мА | 1,1 мм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1302K | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1302k-datasheets-1586.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | да | неизвестный | 1 | 35 мкс, 35 мкс | 1,2 В | 0,05А | 35 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100нА | 2 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S525XJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 3 (168 часов) | 2006 г. | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1006N | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1006n-datasheets-1519.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | да | неизвестный | 1 | 5 мкс, 5 мкс | 1,25 В | 0,05А | 5 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | 200нА | 3 мм | 0,7 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S74PJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s74pj000f-datasheets-1598.pdf | Модуль, Разъем | Пересечение объекта | Без свинца | 3 | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 15 мкс | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 5 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S39J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp1s39j0000f-datasheets-1524.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 5 | 50 мкс, 50 мкс | 0,059 (1,5 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ375Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S097HCZ0F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/sharpsocletechnology-gp1s097hcz0f-datasheets-1528.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4,5 мм | 50 мА | 4,5 мм | 2,6 мм | Без свинца | 4 | Медь, Олово | Нет | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 150 мкс | 150 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 2 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360П51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1881-012 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 4 недели | Неизвестный | 4 | Нейлон | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100нА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||
| ОПБ202 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb202-datasheets-1542.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 3 мкс, 4 мкс | 0,110 (2,79 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1879-015 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | 30 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 3,175 мм | 14 недель | Нет СВХК | 4 | Полисульфон | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100нА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||
| CNA1007H | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1007h-datasheets-1552.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | да | неизвестный | 1 | 5 мкс, 5 мкс | 0,05А | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 200нА | 30 В | 20 мА | 5 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С58В | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s53v-datasheets-1421.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | 3 мкс, 4 мкс | 20 мА | 1,25 В | 3 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S093HCZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s093hcz-datasheets-1562.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | неизвестный | 1 | 50 мкс, 50 мкс | 20 мА | 1,2 В | 0,05А | 50 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100нА | 2 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S25J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp1s25j0000f-datasheets-1567.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | 100мВт | 35 мкс, 35 мкс | 1 | 50 мА | 100 мкс | 100 мкс | 0,063 (1,6 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Т11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С561 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s561-datasheets-1577.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | неизвестный | 1 | 3 мкс, 4 мкс | 20 мА | 1,25 В | 0,05А | 3 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100нА | 3 мм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVE00832C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-qve00832c-datasheets-1582.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 4 мкс, 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С25 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s25-datasheets-1426.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | Содержит свинец | неизвестный | 1 | 35 мкс, 35 мкс | 20 мА | 1,2 В | 0,05А | 35 мкс | 0,063 (1,6 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100нА | 1,6 мм | 0,05 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА0890-L51 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие, проволока | Крепление на корпусе, выводы проводов | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Содержит свинец | 4 недели | Неизвестный | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | 20 мА | 15 мкс | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Транзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1870-031 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1870033-datasheets-6916.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 13,46 мм | 50 мА | 9,02 мм | 12,7 мм | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 4 | Поликарбонат | Нет | 1 | 100мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,070 (1,78 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 3В | 100нА | 1,78 мм | 0,3 мА | ||||||||||||||||||||||
| GP1S094HCZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp1s094hcz-datasheets-1436.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | 50 мкс, 50 мкс | 20 мА | 1,2 В | 50 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-131 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/rohmsemiconductor-rpi131-datasheets-1441.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4,2 мм | 5,2 мм | 4,2 мм | Без свинца | 13 недель | 4 | да | Медь, Серебро, Олово | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 80мВт | 1 | 80мВт | 10 мкс, 10 мкс | 50 мА | 1,3 В | 10 мкс | 10 мкс | 0,047 (1,2 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 950 нм | 500нА | 1,2 мм | 0,7 мА |
