Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения | Длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP1S56TJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharp-gp1s56tj000f-datasheets-7163.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 18 недель | 4 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 75мВт | 38 мкс, 48 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 90 мкс | 110 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370П55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1Л52ВДЖ000Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharp-gp1l52vj000f-datasheets-7166.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | Медь, Серебро, Олово | 75мВт | 80 мкс, 70 мкс | 1 | 50 мА | 40 мкс | 30 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 6В | 35В | 35В | 40 мА | 50 мА | 35В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1877-001 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | 4 недели | Неизвестный | 4 | Поликарбонат | Нет | 75мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,375 (9,52 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100 нА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||
| QVE00034 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | /files/onsemiconductor-qve00034-datasheets-1692.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 4 мкс, 4 мкс | 0,315 (8 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1881-012 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | Без свинца | 4 недели | Неизвестный | 4 | Нейлон | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100 нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||
| ОПБ202 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb202-datasheets-1542.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 3 мкс, 4 мкс | 0,110 (2,79 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1879-015 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | 30 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 3,175 мм | 14 недель | Нет СВХК | 4 | Полисульфон | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100 нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||
| CNA1007H | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1007h-datasheets-1552.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | да | неизвестный | 1 | 5 мкс, 5 мкс | 0,05 А | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 200нА | 30 В | 20 мА | 5 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С58В | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s53v-datasheets-1421.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | 3 мкс, 4 мкс | 20 мА | 1,25 В | 3 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S093HCZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s093hcz-datasheets-1562.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | неизвестный | 1 | 50 мкс, 50 мкс | 20 мА | 1,2 В | 0,05 А | 50 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100 нА | 2 мм | 0,1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S25J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp1s25j0000f-datasheets-1567.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | 100мВт | 35 мкс, 35 мкс | 1 | 50 мА | 100 мкс | 100 мкс | 0,063 (1,6 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Т11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С561 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s561-datasheets-1577.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | неизвестный | 1 | 3 мкс, 4 мкс | 20 мА | 1,25 В | 0,05 А | 3 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100 нА | 3 мм | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVE00832C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-qve00832c-datasheets-1582.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 4 мкс, 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1302K | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1302k-datasheets-1586.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | да | неизвестный | 1 | 35 мкс, 35 мкс | 1,2 В | 0,05 А | 35 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100 нА | 2 мм | 0,1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S525XJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 3 (168 часов) | 2006 г. | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1006N | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1006n-datasheets-1519.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | да | неизвестный | 1 | 5 мкс, 5 мкс | 1,25 В | 0,05 А | 5 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | 200нА | 3 мм | 0,7 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S74PJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s74pj000f-datasheets-1598.pdf | Модуль, Разъем | Пересечение объекта | Без свинца | 3 | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 15 мкс | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 5 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S39J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp1s39j0000f-datasheets-1524.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 5 | 50 мкс, 50 мкс | 0,059 (1,5 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ375Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S097HCZ0F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/sharpsocletechnology-gp1s097hcz0f-datasheets-1528.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4,5 мм | 50 мА | 4,5 мм | 2,6 мм | Без свинца | 4 | Медь, Олово | Нет | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 150 мкс | 150 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 2 мм | 0,1 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360П51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880П51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 11,1 мм | 4 | Пластик | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-576А | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/rohmsemiconductor-rpi576a-datasheets-1471.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 80мВт | 10 мкс, 10 мкс | 50 мА | 10 мкс | 10 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 800 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С73П2ДЖ00Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s74p-datasheets-1341.pdf | Модуль, Разъем | Пересечение объекта | Без свинца | Нет | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 15 мкс | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1311K0TLC | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1311k-datasheets-1084.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | 50 мкс, 50 мкс | 1,2 В | 50 мкс | 0,039 (1 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА |
