Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Метод измерения | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Материал корпуса | Достичь соответствия кода | Количество функций | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ810W51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 11,1 мм | 5 | Пластик | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||
| ГП1С52В | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s51v-datasheets-1320.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | 3 мкс, 4 мкс | 20 мА | 1,25 В | 3 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||
| QVB21314 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVE00118 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2009 год | /files/onsemiconductor-qve00118-datasheets-1377.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 4 мкс, 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ811W55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 11,1 мм | 8 | Пластик | 100мВт | 50 мА | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| WF80-60B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 3150 (80 мм) | ПНП/НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11223 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA21313 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB21113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11133 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11324 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVE00039 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2013 год | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | совместимый | 8 мкс, 50 мкс | 0,095 (2,41 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF15-60B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,591 (15 мм) | ПНП/НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1303K | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1303k-datasheets-1262.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | неизвестный | 1 | 35 мкс, 35 мкс | 1,2 В | 0,05 А | 0,0013А | 35 мкс | 0,047 (1,2 мм) | 1,2 мм | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100 нА | 1,2 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||
| QVA21113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNZ1002 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnz1002-datasheets-1268.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | 1 | 35 мкс, 35 мкс | 1,2 В | 0,05 А | 0,00048А | 35 мкс | 0,035 (0,9 мм) | 0,9 мм | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100 нА | 0,9 мм | 0,065 мА | |||||||||||||||||||||
| QVA21214 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QCK3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-qck4-datasheets-0835.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Пересечение объекта | 0,157 (4 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 30 В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11233 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVL25335 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qvl25335-datasheets-1279.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 0,787 (20 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 30 В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22B4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-h22b6-datasheets-1117.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 55В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S096HCZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp1s096hcz-datasheets-1284.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | неизвестный | 1 | 50 мкс, 50 мкс | 20 мА | 1,2 В | 0,05 А | 50 мкс | 0,039 (1 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100 нА | 1 мм | 20 мА | |||||||||||||||||||||||
| QVB11123 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB21114 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | QVB | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 1,7 В | Без свинца | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 5В | 30 В | 30 В | 40 мА | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ПМ-Ф64П | Продажи промышленной автоматизации Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | ПМ-64 | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | 1 (без блокировки) | 55°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/panasonicindustrialautomationsales-pml64p-datasheets-7706.pdf | Модуль, разъем, тип слота | Пересечение объекта | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 30 В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CNZ1120 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -5°К~60°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnz1120-datasheets-1294.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | да | неизвестный | 1 | 6 мкс, 6 мкс | 1,2 В | 0,05 А | 6 мкс | 0,394 (10 мм) | 10 мм | Фототранзистор | 20 В | 20 мА | 50 мА | 200нА | 10 мм | 1 мА | ||||||||||||||||||||||
| ОПБ817 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb817-datasheets-1241.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 1,8 В | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||
| ГП1С95 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s95-datasheets-1300.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | 4 | неизвестный | 1 | 35 мкс, 35 мкс | 20 мА | 1,2 В | 35 мкс | 0,063 (1,6 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 1,6 мм | |||||||||||||||||||||||||
| QVB21213 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1С39 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s39-datasheets-1305.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | 50 мкс, 50 мкс | 20 мА | 1,2 В | 50 мкс | 0,059 (1,5 мм) | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА |
