Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Ведущая презентация | Материал корпуса | Радиационная закалка | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние между строками | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Темный ток | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EE-SA113 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Панель, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~70°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesa113-datasheets-7012.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 8 недель | Неизвестный | 4 | 30 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 4В | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC70P3_F132 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-moc70p3f132-datasheets-7020.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 20 мкс, 80 мкс | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1870-033 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1870033-datasheets-6916.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 4 недели | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 75 мкс, 75 мкс | 1 | 15 В | 50 мА | 1,6 В | 20 мА | 15 мкс | 15 мкс | 0,070 (1,78 мм) | Фотодарлингтон | 15 В | 15 В | 30 мА | 50 мА | 15 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||
| НОА0825-004 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywell-hoa0825004-datasheets-3489.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 14 недель | 4 | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,165 (4,2 мм) | Транзистор | 3В | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||
| НОА0881-T55 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт, проволока | Крепление на корпусе, выводы проводов | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 мА | 14 недель | 4 | Полисульфон | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Транзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||
| ОПБ860Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890Н11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПС696 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ops697-datasheets-6839.pdf | Радиальный | Пересечение объекта | 20 мА | 2 | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1873-013 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywell-hoa1873013-datasheets-3444.pdf | 15 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25,4 мм | 20 мА | 10,8 мм | 6,36 мм | 14 недель | Нет СВХК | 4 | Полиэстер | 1 | 100мВт | 75 мкс | 30 мА | 15 В | 50 мА | 1,6 В | 75 мкс | 75 мкс | 0,100 (2,54 мм) | Фотодарлингтон | 3В | 15 В | 1,1 В | 15 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 250 нА | 15 В | 30 мА | |||||||||||||||
| ОПБ866Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892П55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПС690 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ops690-datasheets-6875.pdf | Радиальный | Пересечение объекта | 2 | Фототранзистор | 30 В | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ867Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ861Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1877-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywell-hoa1877002-datasheets-3454.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 31,75 мм | 30 мА | 15,88 мм | 7,62 мм | 6 недель | Нет СВХК | 4 | 5,08 мм | Поликарбонат | Нет | 75мВт | 1 | 75мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | 30 мА | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 17,78 мм | 0,375 (9,52 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||
| ОПБ865Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ОПС665 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ops665-datasheets-6896.pdf | Т-1 | Пересечение объекта | 10 недель | 2 | НПН | 100мВт | 1 | Фототранзистор | 30 В | 5В | 50 мА | 100нА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892П55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ867Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1082 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | Непригодный | 2005 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1082-datasheets-6822.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 100 мкс, 1 мс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ866Н51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ891П51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПС697 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ops697-datasheets-6839.pdf | Радиальный | Пересечение объекта | 2 | Фототранзистор | 30 В | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ862Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ881Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892Т51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА |
