Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Метод измерения | Входной ток | Рабочее напряжение питания | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Материал корпуса | Радиационная закалка | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Темный ток | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ829А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829a-datasheets-2001.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ830W51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ОПБ827Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb827b-datasheets-2009.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||
| ОПБ832Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ829Д | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829a-datasheets-2001.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ821TXV | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 18 недель | 4 | Инфракрасный (ИК) | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 30 В | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ832W51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ837Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ836Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ390Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ832Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | НПН | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ831W55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ821С5 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ827Д | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb827b-datasheets-2009.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365П11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ОПБ835Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ831W51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ829БЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | НПН | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||
| ОПБ828А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||
| ОПБ821 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 30 В | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ390Н55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||
| ОПБ810Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 1,7 В | 10 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||
| ОПБ800W55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 5 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ОПБ390Н51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 7 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||
| ОПБ821С10 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360П55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Н51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ОПБ810W55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 5 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| НОА1882-011 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywell-hoa1882011-datasheets-7211.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Полисульфон | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 20 мА | 100нА | 30 В | 1,8 мА | ||||||||||||||||
| ОПБ690 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси, защелкивающееся | Крепление на шасси | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb690-datasheets-1960.pdf | Модуль, Разъем | Оптический флаг | Неизвестный | 3 | 200мВт | 1 | 50 мА | Транзистор, резистор база-эмиттер | 3В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА |
