Транзисторные оптические датчики — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по производству электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Метод измерения Входной ток Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Радиационная закалка Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Время подъема Осень (тип.) Расстояние внедрения Конфигурация вывода Обратное напряжение проба Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Темный ток Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
OPB832L51 ОПБ832Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 НПН 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB831W55 ОПБ831W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB821S5 ОПБ821С5 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 30 В
OPB827D ОПБ827Д ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb827b-datasheets-2009.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB365P11 ОПБ365П11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB835L55 ОПБ835Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB831W51 ОПБ831W51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB829BZ ОПБ829БЗ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 10 недель 4 НПН 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB828A ОПБ828А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB829A ОПБ829А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829a-datasheets-2001.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB830W51 ОПБ830W51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB827B ОПБ827Б ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb827b-datasheets-2009.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 30 мА 50 мА 1,7 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB832L55 ОПБ832Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB829D ОПБ829Д ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829a-datasheets-2001.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB821TXV ОПБ821TXV ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 18 недель 4 Инфракрасный (ИК) 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 50 мА 30 В
OPB832W51 ОПБ832W51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB837L55 ОПБ837Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB836L51 ОПБ836Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390T55 ОПБ390Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB660T ОПБ660Т ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb660n-datasheets-9078.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 10 мА 1,6 В 10 недель Неизвестный 4 200мВт Инфракрасный (ИК) 24В 50 мА 1,6 В 0,125 (3,18 мм) Транзистор, резистор база-эмиттер 24В 24В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 24В 30 мА
OPB821S3 ОПБ821С3 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 30 В
OPB390T11 ОПБ390Т11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
HOA0875-N51 НОА0875-N51 Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0861p55-datasheets-7048.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 20 мА Без свинца 4 недели 4 Нет 100мВт 1 100мВт 15 мкс 1 30 В 30 мА 50 мА 1,6 В Фототранзистор 15 мкс 15 мкс 0,125 (3,18 мм) Транзистор 30 В 400мВ 30 В 30 мА 50 мА 100 нА 30 В 30 мА
OPB390L51 ОПБ390Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB815W ОПБ815W ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb815w-datasheets-1917.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 9,53 мм 1,7 В 4 1 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 30 В
OPB821 ОПБ821 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3-datasheets-1900.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 0,080 (2,03 мм) Фототранзистор 30 В 50 мА 30 В
OPB390N55Z ОПБ390Н55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 недель 4 Нет 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB810L55 ОПБ810Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 1,7 В 10 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB800W55 ОПБ800W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb810w51-datasheets-1365.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 5 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB390N51Z ОПБ390Н51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 мА 7 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 30 В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.