| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Метод измерения | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Макс. частота | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Минимальное входное напряжение | Выходной ток | Тип выхода | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип датчиков/преобразователей | Длина волны | Внешнее приближение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 20348-902-EPD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOA2301CUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2016 год | /files/onsemiconductor-noa2301cutag-datasheets-8087.pdf | да | совместимый | ДАТЧИК БЛИЗОСТИ,ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21076-002-XSW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА6329-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL29038ИРОЗ-T7S2722 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl29038irozt7s2722-datasheets-8053.pdf | 2,25~3,63 В | I2C | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21577-900-EPC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21076-902-EPS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗОПТ2202AC5V ES | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOA3315CUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2016 год | /files/onsemiconductor-noa3315cutag-datasheets-8059.pdf | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSL2562CS | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 0,855 мм | Соответствует RoHS | /files/ams-tsl2562cl-datasheets-7030.pdf | 6-ВФБГА, КСПБГА | 1,25 мм | 6 | 1 | 2,38 В~3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 2,5 В | 0,5 мм | 3В | 2,38 В | Р-ПБГА-В6 | SMBus | 640 нм | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21055-903-EPT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOA1212CUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 64 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-noa1212cutag-datasheets-7987.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | Оптический | 3В | Без свинца | 6 | 19 недель | Нет СВХК | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 8542.39.00.01 | 1 | 5,5 В | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | ДА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 6 | 2В | 2В | Текущий | 540 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||
| 21076-902-EPT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1153-AA9X-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокость | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Полоска | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1153aa9xgmr-datasheets-7792.pdf | 10-ЛЛГА | 8 недель | да | ДА | 1,62 В~3,6 В | I2C | 1,2 мм | 4,9 мм | 2,85 мм | 525 нм | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТИ08Д | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL29018ИРОЗ-T7S2723 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl29018irozt7s2722-datasheets-7887.pdf | 2,25~3,63 В | I2C | 540 нм | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ML8511AFCZ05BL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ультрафиолетовый (УФ) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohmsemiconductor-ml8511afcz05bl-datasheets-7797.pdf | 12-WCQFN | Неизвестный | 12 | 2,7 В~3,6 В | Аналоговый | 365 нм | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7000-ААМ | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -30°С~70°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-as7000aam-datasheets-7911.pdf | 18-модуль | Без свинца | 2,6 В~3,6 В | I2C | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CT902 | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7210 | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/ams-as7210-datasheets-7929.pdf | 3В | 0-10 В, ШИМ | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1153-AA00-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокость | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-si1153aa9xgmr-datasheets-7792.pdf | 10-WFQFN | 8 недель | 10 | 1,62 В~3,6 В | I2C | 0,65 мм | 2 мм | 2 мм | 525 нм | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2AP052A00F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокость | Поверхностный монтаж | -35°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/sharpsocletechnology-pd410pi2e00f-datasheets-5357.pdf | 8-СМД, без свинца | 5,5 В | 8-СМД | I2C | 940 нм | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA1A1S100WP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sharpmicroelectronics-ga1a1s100wp-datasheets-7849.pdf | 4-СМД, без свинца | 600 мкм | 2 мм | Неизвестный | 3,6 В | 2,7 В | 2,7 В~3,6 В | 1,42 мА | Напряжение | 555 нм | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOA1305CUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Окружающий | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 120 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-noa1305cutag-datasheets-7949.pdf | 6-ВФДФН Открытая площадка | Оптический | 2 мм | Без свинца | 6 | 6 | 2-проводной, I2C, последовательный | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 400 кГц | 8542.39.00.01 | 1 | 3,6 В | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 6 | 2,4 В | I2C | 545 нм | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| ТМГ39933 | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокость | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-tmg39931-datasheets-7696.pdf | Модуль 8-СМД | Без свинца | да | 2,4 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | I2C | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММКС6 ЛКК10 | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1142-A11-YM0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИК | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Полоска | 3 (168 часов) | /files/siliconlabs-si1142a11ym0-datasheets-7870.pdf | 10-WFQFN | 8 недель | ДА | 1,71 В~3,6 В | I2C | 0,65 мм | 2 мм | 2 мм | 850 нм | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSL2591FN-U ODFN6 LF UT | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 6-WDFN Открытая площадка | 6-ДФН (2,4х2) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМГ39933-М | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокость | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-tmg39931-datasheets-7696.pdf | Модуль 8-СМД | Без свинца | 2,4 В~3,6 В | I2C | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1153-AA9X-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эмбиент, Жестокость | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/siliconlabs-si1153aa9xgmr-datasheets-7792.pdf | 10-ЛЛГА | 8 недель | 10 | да | 1,62 В~3,6 В | I2C | 1,2 мм | 4,9 мм | 2,85 мм | 525 нм | Да |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.