Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (типовое) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSMBJ5363B | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Общего назначения | СМБЖ (ДО-214АА) | Нет | - | - | - | - | 1 | 600 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| AUSMBJ19A-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, AUSMBJ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Автомобильная промышленность | ДО-214АА (СМБ) | Нет | 21,1 В | 19,5А | 30,8 В | 19В | 1 | 600 Вт | Комчип Технология | ||||
| MSMBG5382AE3 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМБГ (ДО-215АА) | Нет | - | - | - | - | 1 | 600 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| MXPLAD36KP18A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | ПЛАД | Нет | 20 В | 1169А (1169кА) | 30,8 В | 18В | 1 | 36000 Вт (36 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| МАСМКГ5.0А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | СМГК | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 6,4 В | 163А | 9,2 В | 5В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| ЛК180/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| MSMBJ5360BE3 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Общего назначения | СМБЖ (ДО-214АА) | Нет | - | - | - | - | 1 | 600 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| М15КП60СА/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | ДО-204АР | Нет | 66,7 В | 154А | 97,3 В | 60В | 15000 Вт (15 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MXPLAD36KP14CAE3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | ПЛАД | Нет | 15,6 В | 1500А (1,5кА) | 24В | 14 В | 36000 Вт (36 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 5.0SMLJ14CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 5.0СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 15,6 В | 216А | 23,2 В | 14 В | 5000 Вт (5 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 20КП300СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 20КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 335,1 В | 41,8А | 483В | 300В | 20000Вт (20кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 20КП180А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 20КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 201,1 В | 69,4А | 291В | 180 В | 1 | 20000Вт (20кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| ЯН1Н5651А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 53,2 В | 19,5А | 77В | 47,8 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| SMLJ17CE3/TR13 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТА) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | СМЛД (ДО-214АБ) | Нет | 18,9 В | 98,4А | 30,5 В | 17В | 3000 Вт (3 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| МПТЭ-15С | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | ICTE/MPTE | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | - | Общего назначения | ДО-201 | Нет | 17,6 В | 60А | 21,4 В | 15 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 5.0SMLJ90A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 5.0СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 100 В | 34,3А | 146В | 90В | 1 | 5000 Вт (5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 5.0SMLJ90CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 5.0СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 100 В | 34,3А | 146В | 90В | 5000 Вт (5 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 5.0SMLJ26A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 5.0СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 28,9 В | 119А | 42,1 В | 26В | 1 | 5000 Вт (5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| МПЛАД18КП7.0СА/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | ПЛАД | Нет | 7,78 В | 1500А (1,5кА) | 12 В | 7В | 18000 Вт (18 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| SMLJ17E3/TR13 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТА) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | СМЛД (ДО-214АБ) | Нет | 18,9 В | 98,4А | 30,5 В | 17В | 1 | 3000 Вт (3 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| Д12В0С1У2ЛП1610-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | 0603 (1610 Метрическая единица) | 400пФ @ 1 МГц | Общего назначения | U-DFN1610-2 (Тип Б) | Нет | 13В | 65А | 20 В | 12 В | 1 | - | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| SMCJ58CAQ-13-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Автомобильная промышленность | СМК | Нет | 64,4 В | 16А | 93,6 В | 58В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| MXPLAD7.5KP15CA/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | Мини-ПЛАД | Нет | 16,7 В | 307А | 24,4 В | 15 В | 7500 Вт (7,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| М15КП220СА/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | ДО-204АР | Нет | 245В | 42А | 356В | 220В | 15000 Вт (15 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 5КП16СА-АТ/Б | Ягео | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 5КП-АТ | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Автомобильная промышленность | Р600 | Нет | 17,8 В | 196,2А | 26В | 16 В | 5000 Вт (5 кВт) | 1 | ЯГЕО | ||||
| 3.0SMCJ78CA-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 3.0SMCJ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | СМК | Нет | 86,7 В | 23,8А | 126В | 78В | 3000 Вт (3 кВт) | 1 | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| SMF4L6.0CA-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-219АА | - | Автомобильная промышленность | ДО-219АА | Нет | 6,67 В | 38,3А | 10,3 В | 6В | 400 Вт | 1 | Диодс Инкорпорейтед | |||||
| SMF4L75CAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMF4L | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-219АА | - | Автомобильная промышленность | ДО-219АА | Нет | 83,3 В | 3,3А | 121В | 75В | 400 Вт | 1 | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| DESD32VS2SOQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 36пФ при 1 МГц | Автомобильный, CAN, HDMI, USB | СОТ-23-3 | Нет | 34В | 4А (8/20 мкс) | 50В | 32 В (макс.) | 2 | 200 Вт | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| М15КП180АЕ3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | ДО-204АР | Нет | 200В | 52А | 291В | 180 В | 1 | 15000 Вт (15 кВт) | Микрочиповая технология |
