| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 12КПЕ72АХ | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 12KPExxH | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Осевой | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | П-600/Р-6 | Нет | 80В | 103,4А | 116В | 72В | 1 | 12000 Вт (12 кВт) | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMFE43AH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMFExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | СОД-123Ф | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СОД-123ФЛ | Нет | 47,8 В | 2,8А | 69,4 В | 43В | 1 | 200 Вт | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| 30КП54СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 60,3 В | 331,5А | 91,4 В | 54В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| МРТ100КП156А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | МРТ100КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 174,3 В | 328А | 306В | 156В | 1 | 100000Вт (100кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 30КП280СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 312,8 В | 65,3А | 464В | 280В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| ВС9В0УД1ХСТ15Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | 0201 (0603 Метрическая единица) | 49пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДСН0603-2, СОД-962, СМД0603 | Нет | 9,6 В | 7,5 А (8/20 мкс) | 17В | 9 В (макс.) | 1 | 128 Вт | Ром Полупроводник | ||||
| JANS1N6112US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6106US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6169A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| ЯНС1Н6130 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6131US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| ЯНС1Н6130АУС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6103US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6153US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6155US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6126US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6166US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6170US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6123A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6107US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6132US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| SMFE43ALH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMFExxLH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | СОД-123Ф | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СОД-123ФЛ | Нет | 47,8 В | 5,8А | 69,4 В | 43В | 1 | 400 Вт | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| 30КП58СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 64,8 В | 327,9А | 92,4 В | 58В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| РТ100КП54А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | РТ100КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 60,3 В | 943А | 106В | 54В | 1 | 100000Вт (100кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 30КП150А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 167,6 В | 129,8А | 233,4 В | 150 В | 1 | 30000Вт (30кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| СМДЖЕ24АХ | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMDJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМК | Нет | 26,7 В | 77,1А | 38,9 В | 24В | 1 | 3000 Вт (3 кВт) | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| 15BJ58AH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 15BJxxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | DO-221AA, плоские выводы SMB | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМБФ | Нет | 64,4 В | 16,1А | 93,6 В | 58В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMBJE28AH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMBJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | ДО-214АА (СМБЖ) | Нет | 31,1 В | 13,2А | 45,4 В | 28В | 1 | 600 Вт | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMCJE15CAH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMCJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМК | Нет | 16,7 В | 61,5А | 24,4 В | 15 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMDJE24CAH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMDJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМК | Нет | 26,7 В | 77,1А | 38,9 В | 24В | 3000 Вт (3 кВт) | 1 | Eaton - Подразделение электроники | 
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.