Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Модули драйверов питания — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по электронным компонентам — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Установить Тип монтажа Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Рабочий ток питания Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Номинальное входное напряжение Текущий Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Максимальный текущий рейтинг Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Напряжение Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Температурный класс Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания (Isup) Статус квалификации Код JESD-30 Максимальный выходной ток Выходное напряжение Выходной ток Непрерывный ток стока (ID) Конфигурация Напряжение стока к источнику (Vdss) Количество выходов Частота переключения Напряжение – изоляция Входное напряжение-ном. Подстройка/регулируемый выход Минимальное напряжение проба Выходной ток-Макс. Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Снижение сопротивления до источника
FSB50550UTD ФСБ50550UTD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 5 Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 150°С -40°С Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-fsb50550utd-datasheets-2196.pdf Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) 29 мм 3,15 мм 12 мм 23 5,99 г 16,5 В 13,5 В 23 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Нет 8541.29.00.95 1 е3 Олово (Вс) 14,5 Вт ДВОЙНОЙ 15 В ФСБ50550 3 фаза 15 кГц 1500 В (среднеквадратичное значение) 500В 500В
FSB50450US ФСБ50450US ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 5 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 150°С -40°С Соответствует ROHS3 2016 год /files/onsemiconductor-fsb50450us-datasheets-2163.pdf Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки 29 мм 3,1 мм 12 мм 16,5 В 23 7 недель 5,142 г 23 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 не_совместимо 8541.29.00.95 1 1,5 А 160 мкА е3 Олово (Вс) 14 Вт ДВОЙНОЙ 260 15 В 3,9 мм ФСБ50450 13,5 В 30 14 Вт Не квалифицирован 3 фаза 1500 В (среднеквадратичное значение) 500В 3,8А 500В 1,5 А
FSB50250AB ФСБ50250АБ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор СПМ® Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) ГИБРИДНЫЙ 3,3 мм Соответствует ROHS3 2017 год /files/onsemiconductor-fsb50250ab-datasheets-2204.pdf Модуль 23-PowerDIP (0,644, 16,35 мм) 29 мм 12 мм 21 8 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) да 1,2А не_совместимо 1 е3 Олово (Вс) ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 300В 400В НЕ УКАЗАН Р-XDMA-T21 3 фаза 1500 В (среднеквадратичное значение) 500В
FSB50450S ФСБ50450С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 5 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 150°С -20°С ГИБРИДНЫЙ 15 кГц 160 мкА Соответствует ROHS3 2011 год /files/onsemiconductor-fsb50450s-datasheets-2276.pdf Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки 29 мм 3,05 мм 12 мм Без свинца 23 4,05 г Нет СВХК 20 В 13,5 В 23 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет 500В 8541.29.00.95 1 1,5 А е3 Олово (Вс) 10 Вт ДВОЙНОЙ 245 15 В ФСБ50450 30 10 Вт 300В 1,5 А 3 фаза 500В 3 1500 В (среднеквадратичное значение) 500В
IFCM20U65GDXKMA1 IFCM20U65GDXKMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СИПОС™ Сквозное отверстие 1 (без блокировки) ГИБРИДНЫЙ Соответствует ROHS3 2017 год /files/infineontechnologies-ifcm20u65gdxkma1-datasheets-2107.pdf Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) 24 20 недель да 20А 1 650В НЕТ ДВОЙНОЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН АВТОМОБИЛЬНЫЙ 125°С -40°С НЕ УКАЗАН Р-МДФМ-Х24 3 фаза 1 2000 В (среднеквадратичное значение) 13,5 В НЕТ
IRSM636-015MB ИРСМ636-015МБ Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2013 год 22 недели
AIM5D10B060M1 АИМ5Д10Б060М1 Альфа и Омега Полупроводник Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2017 год Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) 18 недель 10А 600В 3-фазный инвертор 2000 В (среднеквадратичное значение)
FSB50825AT ФСБ50825АТ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 5 Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С -40°С ГИБРИДНЫЙ 3,3 мм Не соответствует требованиям RoHS 2017 год /files/onsemiconductor-fsb50825at-datasheets-2118.pdf Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) 29 мм 12 мм 23 8 недель 5,99 г EAR99 НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ УПРАВЛЕНИЯ (VCC) = 15 В не_совместимо 8542.39.00.01 1 3,6А е3 Олово (Вс) ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 150 В 200В НЕ УКАЗАН Р-XDMA-T23 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение) 250 В
STGIPQ3H60T-HZS STGIPQ3H60T-HZS СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СЛИММ™ Сквозное отверстие 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgipq3h60thzs-datasheets-2048.pdf Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) 10 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) 600В STGIPQ3 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение)
STGIB10CH60S-E СТГИБ10Ч60С-Е СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СЛИММ™ Сквозное отверстие Модуль 26-PowerDIP (1,146, 29,10 мм) 26 недель 15А 600В 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение)
FSB50550BS ФСБ50550BS ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 5 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 150°С -40°С Соответствует RoHS 2017 год /files/onsemiconductor-fsb50550bs-datasheets-2059.pdf Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки 8 недель 3864 г АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение) 500В
FSB50825A ФСБ50825А ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 5 Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 150°С -40°С 15 кГц 200 мкА Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-fsb50825a-datasheets-2129.pdf Модуль 23-PowerDIP (0,551, 14,00 мм) 29,2 мм 3,3 мм 12,2 мм 150 В 23 8 недель 5,968 г 200В 23 АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет 8541.29.00.95 1 3,6А е3 Олово (Вс) 14,2 Вт ДВОЙНОЙ 15 В Электроника управления движением 15 В 0,2 мА 250 В 3 фаза 3 15 кГц 1500 В (среднеквадратичное значение) 250 В 250 В 3,6А
STGIPN3HD60-H СТГИПН3HD60-H СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СЛИММ™ Сквозное отверстие Соответствует RoHS /files/stmicroelectronics-stgipn3hd60h-datasheets-2064.pdf Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) 10 недель EAR99 совместимый 8542.39.00.01 600В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 3-фазный инвертор 1000 В (среднеквадратичное значение)
STGIPQ3HD60-HL STGIPQ3HD60-HL СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СЛИММ™ Сквозное отверстие Не соответствует требованиям RoHS /files/stmicroelectronics-stgipq3hd60hl-datasheets-2137.pdf Модуль 26-PowerDIP (0,573, 14,50 мм) 32,15 мм 12,45 мм 26 10 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) 1 600В НЕТ ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 15 В АВТОМОБИЛЬНЫЙ 125°С -40°С НЕ УКАЗАН Р-XDFM-T26 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение)
FSB50760BSF ФСБ50760BSF ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Motion SPM® 5 SuperFET® Сквозное отверстие Непригодный ГИБРИДНЫЙ 3,3 мм Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-fsb50760bsf-datasheets-2065.pdf Модуль 23-PowerDIP (0,551, 14,00 мм) 29 мм 12 мм 23 8 недель да 3,6А 1 600В НЕТ ДВОЙНОЙ 15 В АВТОМОБИЛЬНЫЙ 125°С -40°С Р-XDMA-T23 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение)
IGCM06G60GAXKMA1 IGCM06G60GAXKMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СИПОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 150°С -40°С 5,6 мм Соответствует ROHS3 2015 год /files/infineontechnologies-igcm06g60gaxkma1-datasheets-2138.pdf Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) 36 мм 21 мм Без свинца 24 24 недели 24 да EAR99 8542.39.00.01 1 600В Без галогенов ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 16 В ПРОМЫШЛЕННЫЙ НЕ УКАЗАН 3 фаза 2000 В (среднеквадратичное значение) 12А
IM240S6Z1BALMA1 IM240S6Z1BALMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СИПОС™ Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки 600В 1900 В (среднеквадратичное значение)
FSB50660SFS ФСБ50660СФС ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Motion SPM® 5 SuperFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 150°С -40°С 20 кГц 200 мкА Соответствует ROHS3 2015 год /files/onsemiconductor-fsb50660sfs-datasheets-2142.pdf Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки 29,2 мм 3,3 мм 12,2 мм 300В 23 8 недель 3864 г 400В 23 АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет 8541.29.00.95 1 3,1А е3 Олово (Вс) 14,2 Вт ДВОЙНОЙ ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ 15 В Электроника управления движением 15 В 0,2 мА 600В 1,5 А 3 фаза 3 20 кГц 1500 В (среднеквадратичное значение) 600В 600В 3,1А
STGIPN3H60-E СТГИПН3Х60-Э СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СЛИММ™ Сквозное отверстие 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgipn3h60e-datasheets-2067.pdf Модуль 26-PowerDIP (0,846, 21,48 мм) 52 недели 600В СТГИПН3 3-фазный инвертор 1000 В (среднеквадратичное значение)
FSB50825BS ФСБ50825BS ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 5 Поверхностный монтаж 3 (168 часов) ГИБРИДНЫЙ 3,5 мм Соответствует ROHS3 Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки 29 мм 12 мм 23 8 недель да 3,6А 1 250 В ДА ДВОЙНОЙ 15 В АВТОМОБИЛЬНЫЙ 125°С -40°С Р-XDMA-G23 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение)
IKCM10H60GAXKMA1 IKCM10H60GAXKMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СИПОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 150°С -40°С 5,6 мм Соответствует ROHS3 2015 год /files/infineontechnologies-ikcm10h60gaxkma1-datasheets-2069.pdf 10А Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) 36 мм 21 мм Без свинца 24 20 недель 24 да EAR99 8542.39.00.01 1 Без галогенов ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 16 В ПРОМЫШЛЕННЫЙ 18,5 В 14,5 В НЕ УКАЗАН 600В 10А 3 фаза 2000 В (среднеквадратичное значение)
IGCM04F60GAXKMA1 IGCM04F60GAXKMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СИПОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 150°С -40°С 5,6 мм Соответствует ROHS3 2015 год /files/infineontechnologies-igcm04f60gaxkma1-datasheets-2151.pdf Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) 36 мм 21 мм Без свинца 24 20 недель 24 да EAR99 8542.39.00.01 1 Без галогенов ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 16 В ПРОМЫШЛЕННЫЙ 18,5 В 14 В НЕ УКАЗАН 600В 3 фаза 2000 В (среднеквадратичное значение)
STGIPQ3H60T-HLS STGIPQ3H60T-HLS СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СЛИММ™ Сквозное отверстие 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgipq3h60thzs-datasheets-2048.pdf Модуль 26-PowerDIP (0,573, 14,50 мм) 10 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) 600В STGIPQ3 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение)
STGIB20M60TS-L СТГИБ20М60ТС-Л СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СЛИММ™ Сквозное отверстие ГИБРИДНЫЙ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgib20m60tsl-datasheets-2093.pdf Модуль 26-PowerDIP (1,146, 29,10 мм) 38 мм 24 мм 26 26 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ОТ 13 В ДО 18 В; ПИТАНИЕ ОТ 0 В ДО 400 В 25А 1 600В НЕТ ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 15 В АВТОМОБИЛЬНЫЙ 125°С -40°С НЕ УКАЗАН Р-XDFM-T26 3-фазный инвертор 1500 В (среднеквадратичное значение)
FSB50660SFT ФСБ50660СФТ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Motion SPM® 5 SuperFET® Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 150°С -40°С Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-fsb50660sf-datasheets-0636.pdf Модуль 23-PowerDIP (0,748, 19,00 мм) 29,2 мм 3,3 мм 12,2 мм 15 В 23 8 недель 5,99 г 400В 23 АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет 8541.29.00.95 1 3,1А е3 Олово (Вс) ДВОЙНОЙ 15 В 13,5 В 14,2 Вт Электроника управления движением 0,2 мА 3 фаза 20 кГц 1500 В (среднеквадратичное значение) 600В 8,1А 600В 3,1А
FSBF15CH60CT ФСБФ15Ч60КТ Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Движение-СПМ® Сквозное отверстие 3 (168 часов) Не соответствует требованиям RoHS Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм)
IGCM04G60GAXKMA1 IGCM04G60GAXKMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ СИПОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 150°С -40°С 5,6 мм Соответствует ROHS3 2015 год /files/infineontechnologies-igcm04g60gaxkma1-datasheets-2103.pdf Модуль 24-PowerDIP (1,028, 26,10 мм) 36 мм 21 мм Без свинца 24 20 недель 24 да EAR99 8542.39.00.01 1 600В Без галогенов ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 16 В ПРОМЫШЛЕННЫЙ НЕ УКАЗАН 3 фаза 2000 В (среднеквадратичное значение)
FDMF5076 ФДМФ5076 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 25-PowerWFQFN 12 недель да 35А 30В
FSB70450 ФСБ70450 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать МОП-транзистор Движение СПМ® 7 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 150°С -40°С 15 кГц 1,7 мА Соответствует ROHS3 2016 год /files/onsemiconductor-fsb70450-datasheets-1895.pdf Модуль 27-PowerLQFN 13 мм 1,4 мм 13 мм 300В 27 6 недель 2,174663г 400В 27 АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 не_совместимо 8541.29.00.95 4,8А е3 Олово (Вс) 110 Вт 260 15 В НЕ УКАЗАН Электроника управления движением 15 В Не квалифицирован 4,8А 3 фаза 3 15 кГц 1500 В (среднеквадратичное значение) 500В 500В 4,8А 1,9 Ом
NFAM2012L5BT НФАМ2012L5BT ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БТИЗ Сквозное отверстие Непригодный Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-nfam2012l5bt-datasheets-1946.pdf Модуль 39-PowerDIP (1,413, 35,90 мм), 30 выводов 8 недель да 20А 1,2 кВ 3 фаза 2500 В (среднеквадратичное значение)

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.