Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЗТ55К56 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 135 Ом | 100 нА при 42 В | 1 В при 10 мА | 56В | ||||
| БЗТ55К9В1 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 10 Ом | 100 нА при 6,8 В | 1 В при 10 мА | 9,1 В | ||||
| БЗТ55Б20 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 55 Ом | 100 нА при 15 В | 1 В при 10 мА | 20 В | |||
| БЗТ55Б36 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 27 В | 1 В при 10 мА | 36В | |||
| БЗД17С15П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | |||
| БЗТ55Б4В7 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 60 Ом | 500 нА при 1 В | 1 В при 10 мА | 4,7 В | |||
| БЗТ55С27 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 3,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 20 В | 1 В при 10 мА | 27В | |||
| БЗТ55Б43 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 90 Ом | 100 нА при 32 В | 1 В при 10 мА | 43В | |||
| БЗТ55К2В4 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 50 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 2,4 В | ||||
| БЗТ55Б33 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 24 В | 1 В при 10 мА | 33В | |||
| БЗТ55Б39 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 90 Ом | 100 нА при 28 В | 1 В при 10 мА | 39В | |||
| БЗТ55К3В9 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 3,9 В | ||||
| БЗТ55Б2В7 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 10 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 2,7 В | |||
| БЗТ55Б6В8 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 8 Ом | 100 нА при 3 В | 1 В при 10 мА | 6,8 В | |||
| БЗТ55К24 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 18 В | 1 В при 10 мА | 24В | ||||
| БЗТ55К3В0 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 4 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 3В | ||||
| БЗТ55К75 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 170 Ом | 100 нА при 56 В | 1 В при 10 мА | 75В | ||||
| БЗТ55К5В1 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 35 Ом | 100 нА при 1 В | 1 В при 10 мА | 5,1 В | ||||
| БЗД17К120П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120 В | |||
| БЗТ55Б15 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 30 Ом | 100 нА при 11 В | 1 В при 10 мА | 15 В | |||
| БЗТ55С13 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 26 Ом | 100 нА при 10 В | 1 В при 10 мА | 13В | ||||
| БЗТ55Б8В2 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 7 Ом | 100 нА при 6,2 В | 1 В при 10 мА | 8,2 В | |||
| БЗТ55Б24 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 80 Ом | 100 нА при 18 В | 1 В при 10 мА | 24В | |||
| БЗТ55Б2В4 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 50 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 2,4 В | |||
| БЗТ55Б62 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 150 Ом | 100 нА при 47 В | 1 В при 10 мА | 62В | |||
| BZD27C200P РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 1 Вт | 750 Ом | 1 мкА при 150 В | 1,2 В при 200 мА | 200В | |||
| БЗТ55Б47 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±2% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 110 Ом | 100 нА при 35 В | 1 В при 10 мА | 47В | |||
| БЗТ55К2В7 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 85 Ом | 10 мкА при 1 В | 1 В при 10 мА | 2,7 В | ||||
| БЗТ55К62 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 150 Ом | 100 нА при 47 В | 1 В при 10 мА | 62В | ||||
| БЗТ55С11 Л0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ±5% | Мини МЕЛФ | 500мВт | 20 Ом | 100 нА при 8,2 В | 1 В при 10 мА | 11В |
