Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Одиночные стабилитроны - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по производству электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Количество контактов Импеданс ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Достичь соответствия кода Код HTS Толерантность Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Максимальный обратный ток утечки Стабильное напряжение Конфигурация Соединение корпуса Тестовый ток Мощность - Макс. Материал диодного элемента Опорное напряжение Напряжение Тол-Макс Рабочий тестовый ток Тип диода Импеданс-Макс Ток – обратная утечка @ Vr Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз)
BZG05C43-E3-TR3 BZG05C43-E3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 50Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 43В ОДИНОКИЙ 6мА КРЕМНИЙ 43В 6,98% стабилитрон 50Ом 500 нА при 33 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C16-E3-TR3 BZG05C16-E3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 15Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 16 В ОДИНОКИЙ 15 мА КРЕМНИЙ 16 В 5,56% стабилитрон 15Ом 500 нА при 12 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C12-HE3-TR3 BZG05C12-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 9Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 12 В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 12 В 5,39% 20 мА стабилитрон 9Ом 500 нА при 9,1 В 1,2 В при 200 мА 12 В
BZT55A9V1-GS08 БЗТ55А9В1-GS08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 2 10Ом EAR99 НИЗКИЙ ШУМ неизвестный 8541.10.00.50 ±1% ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 500мВт КОНЕЦ ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ 2 1 Не квалифицирован О-LELF-R2 9,1 В ОДИНОКИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ 9,1 В 1% 5мА стабилитрон 10Ом 100 нА при 6,8 В 1,5 В при 200 мА 9,1 В
BZG05C22-HE3-TR3 BZG05C22-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 25Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 22В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 22В 5,67% 10 мА стабилитрон 25Ом 500 нА при 16 В 1,2 В при 200 мА 22В
BZG05C15-HE3-TR3 BZG05C15-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 15Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 15 В ОДИНОКИЙ 15 мА КРЕМНИЙ 15 В стабилитрон 15Ом 500 нА при 11 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C12-E3-TR3 BZG05C12-E3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 20 недель 2 9Ом Олово ±5% 1,25 Вт ДО-214АС 500нА 12 В 20 мА 1,25 Вт 9 Ом 500 нА при 9,1 В 1,2 В при 200 мА 12 В
BZG05C39-HE3-TR3 BZG05C39-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 50Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 39В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 39В 5,13% 6мА стабилитрон 50Ом 500 нА при 30 В 1,2 В при 200 мА 39В
BZG05C15-E3-TR3 BZG05C15-E3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 15Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 15 В ОДИНОКИЙ 15 мА КРЕМНИЙ 15 В стабилитрон 15Ом 500 нА при 11 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C43-E3-TR BZG05C43-E3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 50Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 43В ОДИНОКИЙ 6мА КРЕМНИЙ 43В 6,98% стабилитрон 50Ом 500 нА при 33 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C30-E3-TR BZG05C30-E3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 30Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 30В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 30В 6,67% 8мА стабилитрон 30Ом 500 нА при 22 В 1,2 В при 200 мА 30В
BZT55A6V2-GS08 БЗТ55А6В2-GS08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 2 10Ом EAR99 НИЗКИЙ ШУМ неизвестный 8541.10.00.50 ±1% ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 500мВт КОНЕЦ ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ 2 1 Не квалифицирован О-LELF-R2 6,2 В ОДИНОКИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ 6,2 В 1% 5мА стабилитрон 10Ом 100 нА при 2 В 1,5 В при 200 мА 6,2 В
BZG05C13-HE3-TR3 BZG05C13-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 10Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 13В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 13В 6,42% 20 мА стабилитрон 10Ом 500 нА при 11 В 1,2 В при 200 мА 13В
BZG05C13-E3-TR BZG05C13-E3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 10Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 13В ОДИНОКИЙ 20 мА КРЕМНИЙ 13В стабилитрон 10Ом 500 нА при 10 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C30-HE3-TR3 BZG05C30-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 20 недель 30Ом ±5% 1,25 Вт ДО-214АС 30В 1,25 Вт 30 Ом 500 нА при 22 В 1,2 В при 200 мА 30В
BZG05C18-E3-TR3 BZG05C18-E3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 20Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 18В ОДИНОКИЙ 15 мА КРЕМНИЙ 18В 6,41% стабилитрон 20Ом 500 нА при 13 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C68-HE3-TR BZG05C68-HE3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 130Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 68В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 68В 5,88% 4мА стабилитрон 130Ом 500 нА при 51 В 1,2 В при 200 мА 68В
BZG05C22-HE3-TR BZG05C22-HE3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 25Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 22В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 22В 5,67% 10 мА стабилитрон 25Ом 500 нА при 16 В 1,2 В при 200 мА 22В
BZT55A6V8-GS08 БЗТ55А6В8-GS08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 2 8Ом EAR99 НИЗКИЙ ШУМ неизвестный 8541.10.00.50 ±1% ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 500мВт КОНЕЦ ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ 2 1 Не квалифицирован О-LELF-R2 6,8 В ОДИНОКИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ 6,8 В 1% 5мА стабилитрон 8Ом 100 нА при 3 В 1,5 В при 200 мА 6,8 В
BZG05C24-E3-TR BZG05C24-E3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 25Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 24В ОДИНОКИЙ 10 мА КРЕМНИЙ 24В 5,79% стабилитрон 25Ом 500 нА при 18 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C100-HE3-TR3 BZG05C100-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 350Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 100В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 100В 5,47% 2,7 мА стабилитрон 350Ом 500 нА при 75 В 1,2 В при 200 мА 100В
BZG05C51-HE3-TR3 BZG05C51-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 115Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 51В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 51В 5,88% 4мА стабилитрон 115Ом 500 нА при 39 В 1,2 В при 200 мА 51В
BZG05C62-E3-TR BZG05C62-E3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 125Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 62В ОДИНОКИЙ 4мА КРЕМНИЙ 62В 6,45% стабилитрон 125Ом 500 нА при 47 В 1,2 В при 200 мА
BZT55A18-GS08 БЗТ55А18-GS08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 2 50Ом EAR99 НИЗКИЙ ШУМ неизвестный 8541.10.00.50 ±1% ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 500мВт КОНЕЦ ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ 2 1 Не квалифицирован О-LELF-R2 18В ОДИНОКИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ 18В 1% 5мА стабилитрон 50Ом 100 нА при 13 В 1,5 В при 200 мА 18В
BZT55A10-GS08 БЗТ55А10-GS08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 2 15Ом EAR99 НИЗКИЙ ШУМ неизвестный 8541.10.00.50 ±1% ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 500мВт КОНЕЦ ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ 2 1 Не квалифицирован О-LELF-R2 10 В ОДИНОКИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ 10 В 1% 5мА стабилитрон 15Ом 100 нА при 7,5 В 1,5 В при 200 мА 10 В
BZG05C8V2-HE3-TR BZG05C8V2-HE3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 5Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 8,2 В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 8,2 В 6,1% 25 мА стабилитрон 5Ом 1 мкА при 6,2 В 1,2 В при 200 мА 8,2 В
BZG05C18-HE3-TR3 BZG05C18-HE3-TR3 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 20Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 18В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 18В 6,41% 15 мА стабилитрон 20Ом 500 нА при 13 В 1,2 В при 200 мА 18В
BZT55A5V6-GS08 БЗТ55А5В6-GS08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 175°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 2 40Ом EAR99 НИЗКИЙ ШУМ неизвестный 8541.10.00.50 ±1% ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 500мВт КОНЕЦ ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ 2 1 Не квалифицирован О-LELF-R2 5,6 В ОДИНОКИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ 5,6 В 1% 5мА стабилитрон 40Ом 100 нА при 1 В 1,5 В при 200 мА 5,6 В
BZG05C47-E3-TR BZG05C47-E3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 2 90Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово 8541.10.00.50 ±5% е3 ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 500нА 47В ОДИНОКИЙ 4мА КРЕМНИЙ 47В 6,38% стабилитрон 90Ом 500 нА при 36 В 1,2 В при 200 мА
BZG05C56-E3-TR BZG05C56-E3-TR Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf ДО-214АС, СМА 2 20 недель 120Ом EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 8541.10.00.50 ±5% е3 МАТОВАЯ ТУНКА ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 1,25 Вт ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 30 1 Р-ПДСО-С2 56В ОДИНОКИЙ КРЕМНИЙ 56В 7,14% 4мА стабилитрон 120Ом 500 нА при 43 В 1,2 В при 200 мА 56В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.