| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZG05C43-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 43В | ОДИНОКИЙ | 6мА | КРЕМНИЙ | 43В | 6,98% | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C16-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 16 В | ОДИНОКИЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 16 В | 5,56% | стабилитрон | 15Ом | 500 нА при 12 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C12-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 9Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 12 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 12 В | 5,39% | 20 мА | стабилитрон | 9Ом | 500 нА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | |||||||||||||||
| БЗТ55А9В1-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 10Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 9,1 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 9,1 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 10Ом | 100 нА при 6,8 В | 1,5 В при 200 мА | 9,1 В | |||||||||||||||||
| BZG05C22-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 25Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 22В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 22В | 5,67% | 10 мА | стабилитрон | 25Ом | 500 нА при 16 В | 1,2 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||
| BZG05C15-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 15 В | ОДИНОКИЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 15 В | стабилитрон | 15Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C12-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | 2 | 9Ом | Олово | ±5% | 1,25 Вт | ДО-214АС | 500нА | 12 В | 20 мА | 1,25 Вт | 9 Ом | 500 нА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C39-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 39В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 39В | 5,13% | 6мА | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | |||||||||||||||
| BZG05C15-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 15 В | ОДИНОКИЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 15 В | стабилитрон | 15Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C43-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 43В | ОДИНОКИЙ | 6мА | КРЕМНИЙ | 43В | 6,98% | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C30-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 30В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 30В | 6,67% | 8мА | стабилитрон | 30Ом | 500 нА при 22 В | 1,2 В при 200 мА | 30В | ||||||||||||||||
| БЗТ55А6В2-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 10Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 6,2 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 6,2 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 10Ом | 100 нА при 2 В | 1,5 В при 200 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||
| BZG05C13-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 13В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 13В | 6,42% | 20 мА | стабилитрон | 10Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | |||||||||||||||
| BZG05C13-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 13В | ОДИНОКИЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | 13В | стабилитрон | 10Ом | 500 нА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C30-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | 30Ом | ±5% | 1,25 Вт | ДО-214АС | 30В | 1,25 Вт | 30 Ом | 500 нА при 22 В | 1,2 В при 200 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C18-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 18В | ОДИНОКИЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 18В | 6,41% | стабилитрон | 20Ом | 500 нА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C68-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 130Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 68В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 68В | 5,88% | 4мА | стабилитрон | 130Ом | 500 нА при 51 В | 1,2 В при 200 мА | 68В | |||||||||||||||
| BZG05C22-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 25Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 22В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 22В | 5,67% | 10 мА | стабилитрон | 25Ом | 500 нА при 16 В | 1,2 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||
| БЗТ55А6В8-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 8Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 6,8 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 6,8 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 8Ом | 100 нА при 3 В | 1,5 В при 200 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||
| BZG05C24-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 25Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 24В | ОДИНОКИЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 24В | 5,79% | стабилитрон | 25Ом | 500 нА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C100-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 350Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 100В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 100В | 5,47% | 2,7 мА | стабилитрон | 350Ом | 500 нА при 75 В | 1,2 В при 200 мА | 100В | |||||||||||||||
| BZG05C51-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 115Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 51В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 51В | 5,88% | 4мА | стабилитрон | 115Ом | 500 нА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | 51В | |||||||||||||||
| BZG05C62-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 125Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 62В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 62В | 6,45% | стабилитрон | 125Ом | 500 нА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| БЗТ55А18-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 50Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 18В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 18В | 1% | 5мА | стабилитрон | 50Ом | 100 нА при 13 В | 1,5 В при 200 мА | 18В | |||||||||||||||||
| БЗТ55А10-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 15Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 10 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 15Ом | 100 нА при 7,5 В | 1,5 В при 200 мА | 10 В | |||||||||||||||||
| BZG05C8V2-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 5Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 8,2 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 8,2 В | 6,1% | 25 мА | стабилитрон | 5Ом | 1 мкА при 6,2 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | |||||||||||||||
| BZG05C18-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 18В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 18В | 6,41% | 15 мА | стабилитрон | 20Ом | 500 нА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | 18В | |||||||||||||||
| БЗТ55А5В6-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 40Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 5,6 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5,6 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 40Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 5,6 В | |||||||||||||||||
| BZG05C47-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 90Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 47В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 47В | 6,38% | стабилитрон | 90Ом | 500 нА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C56-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 120Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 56В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 56В | 7,14% | 4мА | стабилитрон | 120Ом | 500 нА при 43 В | 1,2 В при 200 мА | 56В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.