Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны (43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЗТ55А5В6-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 40Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 5,6 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5,6 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 40Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | 5,6 В | ||||||||||||||||||
| BZG05C47-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 90Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 47В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 47В | 6,38% | стабилитрон | 90Ом | 500 нА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C56-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 120Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 56В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 56В | 7,14% | 4мА | стабилитрон | 120Ом | 500 нА при 43 В | 1,2 В при 200 мА | 56В | |||||||||||||||||
| БЗТ55А13-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 26Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 13В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 13В | 1% | 5мА | стабилитрон | 26Ом | 100 нА при 10 В | 1,5 В @ 200 мА | 13В | ||||||||||||||||||
| БЗТ55А11-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 20Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 11В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 11В | 1% | 5мА | стабилитрон | 20Ом | 100 нА при 8,2 В | 1,5 В @ 200 мА | 11В | ||||||||||||||||||
| BZG05C82-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 200Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 82В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 82В | 6,1% | 2,7 мА | стабилитрон | 200Ом | 500 нА при 62 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | ||||||||||||||||
| BZG05C27-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 27В | ОДИНОКИЙ | 8мА | КРЕМНИЙ | 27В | 7,04% | стабилитрон | 30Ом | 500 нА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C20-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 24Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 20 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 20 В | 6% | 10 мА | стабилитрон | 24Ом | 500 нА при 15 В | 1,2 В при 200 мА | 20 В | ||||||||||||||||
| BZG05C51-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 115Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 51В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 51В | 5,88% | стабилитрон | 115Ом | 500 нА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C36-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 40Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 36В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 36В | 5,56% | 8мА | стабилитрон | 40Ом | 500 нА при 27 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | |||||||||||||||
| BZG05C75-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 135Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 75В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 75В | 6,04% | стабилитрон | 135Ом | 500 нА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C22-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 25 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 22В | ОДИНОКИЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 22В | 5,67% | стабилитрон | 25 Ом | 500 нА при 16 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| BZG05C62-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 125 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 62В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 62В | 6,45% | 4мА | стабилитрон | 125 Ом | 500 нА при 47 В | 1,2 В при 200 мА | 62В | ||||||||||||||||
| BZG05C39-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 39В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 39В | 5,13% | 6мА | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | ||||||||||||||||
| BZG05C75-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 135Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 75В | ОДИНОКИЙ | 1250мВт | КРЕМНИЙ | 75В | 6,04% | 4мА | стабилитрон | 135Ом | 500 нА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C43-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 43В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 43В | 6,98% | 6мА | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | ||||||||||||||||
| BZG05C91-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 25 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 91В | ОДИНОКИЙ | 2,7 мА | 1250мВт | КРЕМНИЙ | 91В | 6,08% | стабилитрон | 25 Ом | 500 нА при 68 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||
| BZG05C15-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 15 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 15 В | 6,12% | 15 мА | стабилитрон | 15Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | |||||||||||||||||
| BZG05C18-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 18В | ОДИНОКИЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 18В | 6,41% | стабилитрон | 20Ом | 500 нА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| БЗТ55А33-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 80Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 33В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 33В | 1% | 5мА | стабилитрон | 80Ом | 100 нА при 24 В | 1,5 В @ 200 мА | 33В | ||||||||||||||||||
| BZG05C10-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 7Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 10 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 10 В | 6% | 25 мА | стабилитрон | 7Ом | 500 нА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | 10 В | ||||||||||||||||
| BZG05C10-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 7Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 10 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 10 В | 6% | 25 мА | стабилитрон | 7Ом | 500 нА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | 10 В | ||||||||||||||||
| BZG05C18-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 18В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 18В | 6,41% | 15 мА | стабилитрон | 20Ом | 500 нА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | 18В | ||||||||||||||||
| BZG05C91-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 250Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 91В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 91В | 6,08% | 2,7 мА | стабилитрон | 250Ом | 500 нА при 68 В | 1,2 В при 200 мА | 91В | ||||||||||||||||
| BZG05C13-HE3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 10Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 13В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 13В | 6,42% | 20 мА | стабилитрон | 10Ом | 500 нА при 10 В | 1,2 В при 200 мА | 13В | ||||||||||||||||
| БЗТ55А7В5-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 7Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 7,5 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 7,5 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 7Ом | 100 нА при 5 В | 1,5 В @ 200 мА | 7,5 В | ||||||||||||||||||
| BZG05C33-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 35Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 33В | ОДИНОКИЙ | 8мА | КРЕМНИЙ | 33В | 6,06% | стабилитрон | 35Ом | 500 нА при 24 В | 1,2 В при 200 мА | |||||||||||||||||
| БЗТ55А15-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 30Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 15 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 15 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 30Ом | 100 нА при 11 В | 1,5 В @ 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||||
| JANTX1N971DUR-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx1n965bur1-datasheets-3524.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 2 | 14 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКАЯ СВЯЗКА, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±1% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | 27В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 27В | 1% | 4,6 мА | стабилитрон | 1% | 41 Ом | 500 нА при 21 В | 1,1 В @ 200 мА | ||||||||||||
| BZG05C68-E3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 130Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 68В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 68В | 5,88% | стабилитрон | 130Ом | 500 нА при 51 В | 1,2 В при 200 мА |
