| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Тип выхода | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Частота (макс.) | Количество выходов | Сегодняшний день | Напряжение проба | Количество входных строк | Макс. рабочий цикл | Рабочий цикл | Выход | Выходные характеристики | Количество выходных линий | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Задержка распространения (tpd) | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY89464UMY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-sy89464umy-datasheets-5664.pdf | 44-VFQFN Открытая колодка, 44-MLF® | 7 мм | 7 мм | 44 | 8 недель | 44 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 3 В ДО 3,6 В. | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,6 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | SY89464 | 2,625 В | 2,375 В | 40 | 1 | 1,2 нс | 2 ГГц | 10 | 160 мА | LVPECL | 0,025 нс | ХМЛ, ЛВДС, ПЭКЛ | 2:10 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89854UMG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 3,5 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy89854umgtr-datasheets-4799.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка, 16-MLF® | 3 мм | 850 мкм | 3 мм | Без свинца | 16 | 16 недель | Нет СВХК | 16 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ОТ ПИТАНИЯ 3,3 В. | Нет | 1 | 55 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2,375 В~3,6 В | КВАД | 2,5 В | 0,5 мм | SY89854 | 2,625 В | 2,375 В | 340 пс. | 340 пс. | 4 | 1 | LVPECL | 2000 МГц | 78мА | 0,02 нс | ХМЛ, ЛВДС, ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY58606UMG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 3 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-sy58606umgtr-datasheets-0547.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка, 16-MLF® | 3 мм | 850 мкм | 3 мм | Без свинца | 16 | 27 недель | 16 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ОТ ПИТАНИЯ 3,3 В. | Нет | 1 | 4В | 60 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2,375 В~3,6 В | КВАД | 2,5 В | 0,5 мм | SY58606 | 1 | 400 пс | 400 пс | 4 | 53 % | ХМЛ | 2 | 77мА | ХМЛ, LVDS, LVPECL | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEP14DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | 100LVEP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 2 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvep14dtg-datasheets-5549.pdf | 96А | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,6 мм | 150 мкА | 1,05 мм | 4,5 мм | Без свинца | 20 | 8 недель | Нет СВХК | 20 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | 2,42 В | 60 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | Без галогенов | 2,375 В~3,8 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | MC100LVEP14 | 20 | 3,8 В | 6 | 40 | Драйверы часов | 1 | ТТЛ | Буфер | 140 нс | 2,5 ГГц | 5 | 11В | ОКУ, ОКУ | ECL, HSTL, LVDS, PECL | 2:5 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 49FCT3805APYGI | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 49ФКТ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-49fct805pyg-datasheets-0335.pdf | 20-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 12 недель | 3В~3,6В | IDT49FCT3805 | 2 | 20-ССОП | КМОП, ЛВТТЛ | КМОП, ЛВТТЛ | 1:5 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI53302-B-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение), мультиплексор, транслятор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 725 МГц | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si53302bgmr-datasheets-0758.pdf | 44-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 850 мкм | 7 мм | 44 | 6 недель | Неизвестный | 44 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 1 | 100 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | 1,8 В | 0,5 мм | СИ53302 | 44 | 1 | Часы | 10 | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 2:10 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 49FCT3805EPYGI | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 49ФКТ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-49fct3805epygi-datasheets-5475.pdf | 20-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 13 недель | 3В~3,6В | IDT49FCT3805 | 2 | 20-ССОП | 166 МГц | КМОП, ЛВТТЛ | КМОП, ЛВТТЛ | 1:5 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI53342-B-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si53340bgm-datasheets-4769.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 24 | 6 недель | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 2,5 В VCC И 3,3 В VCC. | 1 | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,5 мм | 1 | S-XQCC-N24 | 53342 | 1,25 ГГц | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 0,05 нс | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 2:6 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8516FYILF | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-8516fyilf-datasheets-5489.pdf | 48-LQFP | 12 недель | 3135~3465В | ICS8516 | 1 | 48-ЛКФП (7х7) | 700 МГц | ЛВДС | HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL | 1:16 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 83905AMLF | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-83905aglft-datasheets-0212.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 1,6 В~3,465 В | ICS83905 | 1 | 16-СОИК | 100 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | Кристалл | 1:6 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI49FCT32805QE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 49ФКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/diodesincorporated-pi49fct32805qe-datasheets-5502.pdf | 20-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 | 23 недели | 20 | EAR99 | Нет | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 500мВт | 2,97~3,63 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,635 мм | 49FCT32805 | 3,63 В | 40 | 500мВт | Драйверы часов | 2 | ПКТ | 5,2 нс | 5,2 нс | 133 МГц | 10 | 30 мкА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3 нс | КМОП | 1:5 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 831742AGILF | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-831742agilf-datasheets-5509.pdf | 24-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 3В~3,6В | 1 | 700 МГц | ХССЛ | ХСЛ, ЛВДС, ЛВПЭКЛ | 4:2 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8543BGLF | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-8543bglf-datasheets-5514.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 3135~3465В | ICS8543 | 1 | 20-ЦСОП | 800 МГц | ЛВДС | ХМЛ, HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL | 2:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5330F-B00216-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 200 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si5330hb00222gm-datasheets-9221.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 24 | 6 недель | 24 | Золото | 1 | 10 мА | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | СИ5330 | 24 | НЕ УКАЗАН | 1 | 4 нс | 4 нс | 4 | 10 мА | 60 % | КМОП | КМОП, HSTL, LVTTL, SSTL | 1:8 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 49FCT20805ПИГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 49ФКТ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-49fct20805pygi-datasheets-5518.pdf | 20-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 13 недель | 2,3 В~2,7 В | IDT49FCT20805 | 2 | 20-ССОП | 166 МГц | КМОП, ЛВТТЛ | КМОП, ЛВТТЛ | 1:5 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI6CB18200ZDIEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/diodesincorporated-pi6cb18200zdiex-datasheets-5432.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 24 | 23 недели | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,5 мм | 1 | S-XQCC-N24 | 6С | 125 МГц | ХССЛ | 4,5 нс | КМОП | 2:4 | Нет/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI53312-B-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение), мультиплексор, транслятор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 1,25 ГГц | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si53312bgm-datasheets-5522.pdf | 44-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 850 мкм | 7 мм | 44 | 6 недель | Неизвестный | 44 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 2,5, 3,3 В. | 1 | 100 мА | Неинвертирующий | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | СИ53312 | НЕ УКАЗАН | 1 | Буфер, Часы | 60 нс | 10 | 52 % | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 2:10 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЛ133-37ТИ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-pl13337tir-datasheets-9780.pdf | СОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 6 недель | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,62~3,63 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,95 мм | PL133 | Драйверы часов | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | 150 МГц | LVCMOS | LVCMOS, синусоидальная волна | 1:3 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5В2305ПГГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-5v2305nrgi8-datasheets-0165.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 13 недель | 2,3 В~3,6 В | IDT5V2305 | 1 | 200 МГц | ЛВТТЛ | 1:5 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5330A-B00202-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si5330hb00222gm-datasheets-9221.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 24 | 6 недель | 24 | 1 | 10 мА | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,5 мм | СИ5330 | 24 | 2,75 В | 2,25 В | НЕ УКАЗАН | 1 | 2,5 нс | 4 нс | 710 МГц | 4 | 60 % | 60 % | LVPECL | ХМЛ, HCSL, LVDS, LVPECL | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89876LMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), разделитель | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy89876lmgtr-datasheets-5447.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка, 16-MLF® | 3 мм | 3 мм | 3,3 В | Без свинца | 16 | 12 недель | 16 | Нет | ТР | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,97~3,63 В | КВАД | 3,3 В | 0,5 мм | SY89876 | 3,6 В | 3В | 1 | 2 ГГц | 2 | 100 мА | ЛВДС | 0,87 нс | 0,87 нс | ХМЛ, HSTL, LVDS, LVPECL | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛМК01020ISQE/НОПБ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), разделитель | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 1,6 ГГц | 338 мА | Соответствует ROHS3 | 48-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 800 мкм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 750 мкм | EAR99 | Олово | Нет | ТР | 1 | е3 | 702,3 МВт | 3,15 В~3,45 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ЛМК01020 | 48 | 3,45 В | 3,3 В | 1 | Буфер, Часы | 8 | LVPECL | 0,0005 А | 0,03 нс | Часы | 1:8 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89645LK4G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 650 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-sy89645lk4g-datasheets-5457.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | 3,3 В | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 3,465 В | 3,135 В | 20 | Нет | 3135~3465В | SY89645 | 1 | 20-ЦСОП | 3 нс | Буфер | 3 нс | 650 МГц | 8 | 60 % | ЛВДС | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 1:4 | Нет/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8302 АМИЛФ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-8302amilf-datasheets-5369.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 3135~3465В | ICS8302 | 1 | 8-СОИК | 200 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 1:2 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЛ123-05НСК | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-pl12305nscr-datasheets-9475.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 6 недель | 8 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,62~3,63 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | PL123 | 3,63 В | 40 | 1 | 9,2 нс | 134 МГц | 5 | 32 мА | 60 % | КМОП | 1:5 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 49FCT3805APYGI8 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 49ФКТ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-49fct805pyg-datasheets-0335.pdf | 20-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 12 недель | 3В~3,6В | IDT49FCT3805 | 2 | 20-ССОП | КМОП, ЛВТТЛ | КМОП, ЛВТТЛ | 1:5 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8П34С1208НБГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-8p34s1208nbgi-datasheets-5386.pdf | 28-WFQFN Открытая колодка | 12 недель | 1,71 В~1,89 В | 1 | 28-ВФКФПН (5х5) | 1,2 ГГц | ЛВДС | ХМЛ, ЛВДС | 2:8 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC6954IUFF-4#PBF | Линейные технологии/аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), разделитель | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 36-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 4 мм | 36 | 20 недель | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3,15 В~3,45 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | LTC6954 | 36 | 3,45 В | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-PQCC-N36 | 1,4 ГГц | ЛВКМОП, ЛВДС | LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1:3 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8535АГИ-31ЛФ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-8535agi31lf-datasheets-5298.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 3135~3465В | ICS8535-31 | 1 | 266 МГц | LVPECL | LVCMOS, LVTTL, кристалл | 2:4 | Нет/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HMC6832ALP5LE | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Полоска | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-hmc6832alp5le-datasheets-5396.pdf | 28-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | Содержит свинец | 28 | 8 недель | Нет СВХК | 28 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ 3,3 В. | 1 | ДА | 2,375 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | HMC683 | 28 | 2,625 В | 2,375 В | 30 | 1 | 6832 | 3,5 ГГц | ЛВДС, ЛВПЭКЛ | ХМЛ, LVDS, LVPECL | 2:8 | Да/Да |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.